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公开(公告)号：CN117410963A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311231948.3
申请日：2023-09-22
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种光储微电网系统平滑切换控制方法，属于工业控制领域。选取带有LC型滤波器的三相电压并网逆变器作为研究对象，深入研究并选择了微电网不同运行模式下逆变器的控制方法。使用带正反馈的主动移频法进行孤岛检测；运行模式切换时使用了改进的四开关控制结构；并网向孤岛切换时，采用状态跟随的控制方法，提高微电网系统电压和频率的稳定性；孤岛向并网切换时，采用相位预同步的控制方法，避免冲击电流的产生。孤岛运行时。本发明可以实现模式切换的平滑过渡，系统拥有较好的稳定性。同时在微电网并网操作时增加预同步处理，能够有效消除配电网冲击，离网时增加幅值跟踪，能够降低电压频率的波动，实现微电网的平滑切换。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116879915A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310875456.1
申请日：2023-07-17
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种雨天激光雷达目标跟踪系统与方法，该系统由预处理、检测与跟踪模块组成。预处理模块使用动态半径滤波方法对激光雷达采集的点云数据进行预处理，滤除大部分雨滴噪声点云后分割出非地面点云集；检测模块根据雨滴和目标点云的密度差异性以及激光雷达和目标的相对运动状态，将多帧目标点云转移到同一坐标系下进行叠加，根据雨量传感器数据对新点云集使用自适应滤波方法过滤目标周围噪声点云后进行聚类得到目标量测集合；跟踪模块将上一时刻目标的运动状态作为先验信息进行跟踪预测，结合目标的点云密度计算出目标的可信度进而筛选出真实目标。本发明能提高激光雷达在雨天的目标检测性能，增强智能汽车在雨天的正常工作能力。
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公开(公告)号：CN101958232B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201010186282.0
申请日：2010-05-28
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明提出了一种基于FTIR光谱监测的等离子体刻蚀机内部状态维护方法，在等离子体刻蚀机的反应腔室外壁开一个窗口，安装内反射晶体，在窗口的一端安装ATR-FTIR光谱探针，另一端安装红外探测器，使傅里叶变换红外光谱探针发射的光线在内反射晶体内多次反射后，从内反射晶体另一端射出，聚焦到红外探测器，所述碲镉汞探测器与图谱处理系统连接；定期或实时取得等离子体刻蚀机反应腔室内壁的傅里叶变换红外光谱图谱，用于测量所附着的聚合物的组分，通过与标准傅里叶变换红外光谱图谱进行比较，确定是否需要对反应腔室进行清洗，如是，则对等离子体刻蚀机反应腔室进行清洗。
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公开(公告)号：CN101958232A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010186282.0
申请日：2010-05-28
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明提出了一种基于FTIR光谱监测的等离子体刻蚀机内部状态维护方法，在等离子体刻蚀机的反应腔室外壁开一个窗口，安装内反射晶体，在窗口的一端安装ATR-FTIR光谱探针，另一端安装红外探测器，使傅里叶变换红外光谱探针发射的光线在内反射晶体内多次反射后，从内反射晶体另一端射出，聚焦到红外探测器，所述碲镉汞探测器与图谱处理系统连接；定期或实时取得等离子体刻蚀机反应腔室内壁的傅里叶变换红外光谱图谱，用于测量所附着的聚合物的组分，通过与标准傅里叶变换红外光谱图谱进行比较，确定是否需要对反应腔室进行清洗，如是，则对等离子体刻蚀机反应腔室进行清洗。
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公开(公告)号：CN103092074B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201210591451.8
申请日：2012-12-30
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05B13/04
Abstract: 本发明公开了一个半导体先进过程控制（APC）的参数优化控制方法。在半导体工艺过程中，针对间歇过程的优化控制方法，传统方法一般采用线性预测模型。本发明采用基于遗传算法优化的BP神经网络预测模型，通过遗传算法对神经网络的初始权值和阈值进行优化，根据每个染色体所对应的适应度函数F，采用选择操作、概率交叉和变异操作等，并输出最优解，由此确定BP神经网络的最优初始权值和阈值，利用附加动量方法和变学习率学习算法提高BP神经网络的性能，使其经过训练后能很好的预测非线性模型。该方法中遗传算法具有很好的全局搜索能力，容易等到全局最优解，或性能很好的次优解，这对于提高神经网络的建模能力，有很好的促进作用。
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公开(公告)号：CN103092074A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210591451.8
申请日：2012-12-30
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05B13/04
Abstract: 本发明公开了一个半导体先进过程控制（APC）的参数优化控制方法。在半导体工艺过程中，针对间歇过程的优化控制方法，传统方法一般采用线性预测模型。本发明采用基于遗传算法优化的BP神经网络预测模型，通过遗传算法对神经网络的初始权值和阈值进行优化，根据每个染色体所对应的适应度函数F，采用选择操作、概率交叉和变异操作等，并输出最优解，由此确定BP神经网络的最优初始权值和阈值，利用附加动量方法和变学习率学习算法提高BP神经网络的性能，使其经过训练后能很好的预测非线性模型。该方法中遗传算法具有很好的全局搜索能力，容易等到全局最优解，或性能很好的次优解，这对于提高神经网络的建模能力，有很好的促进作用。
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