公开(公告)号：CN107895685A

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201710877794.3

申请日：2017-09-25

Applicant: 重庆文理学院

Inventor： 辛斌 ,  尹巍 ,  杨文耀 ,  刘文波 ,  夏继宏

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02634 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02664

Abstract: 本发明涉及一种高结晶质量石墨烯的制备方法，该方法包括：选取SiC衬底；刻蚀SiC衬底形成台面结构的预刻蚀衬底；在所述预刻蚀衬底上生长3C-SiC材料；热解3C-SiC材料，以完成高结晶石墨烯的制备。本发明通过预刻蚀SiC衬底，有效隔离缺陷间的相互影响，在刻蚀台面上实现完美结晶薄膜；此外，3C-SiC在[111]方向上原子层排列的方向不变，可以避免台阶束的产生，从而制备出更高质量的石墨烯。

公开(公告)号：CN107845566A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201710875017.5

申请日：2017-09-25

Applicant: 重庆文理学院

Inventor： 辛斌 ,  冯爽 ,  杨文耀 ,  刘文波 ,  夏继宏

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/165

Abstract: 本发明涉及一种基于预刻蚀衬底的双异质结及其制备方法，所述制备方法包括：选取4H-SiC衬底；在所述4H-SiC衬底上制作4H-SiC台面；在所述4H-SiC台面上制作3C-SiC层；在所述3C-SiC层表面制作石墨烯层以完成所述双异质结的制备。本发明通过预刻蚀衬底形成台面，可以有效隔离缺陷间的相互影响，从而在台面上可以制作质量更好的石墨烯材料以减小异质结结构的缺陷。

公开(公告)号：CN107845567A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201710876844.6

申请日：2017-09-25

Applicant: 重庆文理学院

Inventor： 辛斌 ,  王香灵 ,  杨文耀 ,  刘文波 ,  夏继宏

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/165

CPC classification number: H01L21/02378 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/165

Abstract: 本发明涉及一种石墨烯双异质结及其制备方法，其中，制备方法包括：(a)选取衬底材料；(b)在所述衬底材料表面生长3C-SiC外延层；(c)热解所述3C-SiC外延层形成石墨烯层以完成所述石墨烯双异质结的制备。本发明制备的石墨烯/3C-SiC/4H-SiC双异质结结构，能带差异很大，但石墨烯/3C-SiC/4H-SiC三者之间的晶格匹配非常好，因此三者之间不需要过渡层即可实现低缺陷的双异质结制备；本发明所有生长过程均可以用一台设备完成，有利于成本的降。