公开(公告)号：CN107895685A

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201710877794.3

申请日：2017-09-25

Applicant: 重庆文理学院

Inventor： 辛斌 ,  尹巍 ,  杨文耀 ,  刘文波 ,  夏继宏

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02634 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02664

Abstract: 本发明涉及一种高结晶质量石墨烯的制备方法，该方法包括：选取SiC衬底；刻蚀SiC衬底形成台面结构的预刻蚀衬底；在所述预刻蚀衬底上生长3C-SiC材料；热解3C-SiC材料，以完成高结晶石墨烯的制备。本发明通过预刻蚀SiC衬底，有效隔离缺陷间的相互影响，在刻蚀台面上实现完美结晶薄膜；此外，3C-SiC在[111]方向上原子层排列的方向不变，可以避免台阶束的产生，从而制备出更高质量的石墨烯。