公开(公告)号：CN107845567A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201710876844.6

申请日：2017-09-25

Applicant: 重庆文理学院

Inventor： 辛斌 ,  王香灵 ,  杨文耀 ,  刘文波 ,  夏继宏

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/165

CPC classification number: H01L21/02378 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/165

Abstract: 本发明涉及一种石墨烯双异质结及其制备方法，其中，制备方法包括：(a)选取衬底材料；(b)在所述衬底材料表面生长3C-SiC外延层；(c)热解所述3C-SiC外延层形成石墨烯层以完成所述石墨烯双异质结的制备。本发明制备的石墨烯/3C-SiC/4H-SiC双异质结结构，能带差异很大，但石墨烯/3C-SiC/4H-SiC三者之间的晶格匹配非常好，因此三者之间不需要过渡层即可实现低缺陷的双异质结制备；本发明所有生长过程均可以用一台设备完成，有利于成本的降。