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公开(公告)号：CN107845566A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201710875017.5
申请日：2017-09-25
Applicant: 重庆文理学院
IPC: H01L21/02 , H01L29/165
Abstract: 本发明涉及一种基于预刻蚀衬底的双异质结及其制备方法，所述制备方法包括：选取4H-SiC衬底；在所述4H-SiC衬底上制作4H-SiC台面；在所述4H-SiC台面上制作3C-SiC层；在所述3C-SiC层表面制作石墨烯层以完成所述双异质结的制备。本发明通过预刻蚀衬底形成台面，可以有效隔离缺陷间的相互影响，从而在台面上可以制作质量更好的石墨烯材料以减小异质结结构的缺陷。
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