基于电流反馈控制的全功率变速抽蓄系统振荡抑制方法

    公开(公告)号:CN118889530A

    公开(公告)日:2024-11-01

    申请号:CN202411003569.3

    申请日:2024-07-25

    摘要: 本发明提供的一种基于电流反馈控制的全功率变速抽蓄系统振荡抑制方法,所述全功率变速抽蓄系统包括机侧单元和网侧单元,所述机侧单元包括发电机、第一逆变器以及第一逆变控制单元;所述网侧单元包括第二逆变器和第二逆变控制单元;所述发电机的输出端连接于第一逆变器的输入端,所述第一逆变器的输出端连接于第二逆变器的输入端;所述第二逆变器的输出端连接于电网,所述第一逆变控制单元的控制输出端连接于第一便器的控制输入端;所述第二逆变控制单元的输出端连接于第二逆变器的控制输入端;所述第二逆变控制单元包括电压采集模块、电流采集模块、第一电流控制器、第一PI控制器、第二PI控制器、第三PI控制器、第二电流控制器以及脉冲发生器、第一滤波器和第二滤波器。

    基于地形指标的输电线路覆冰监测装置布点方法、可读存储介质及其电子设备

    公开(公告)号:CN117131639A

    公开(公告)日:2023-11-28

    申请号:CN202310917055.8

    申请日:2023-07-24

    摘要: 本发明提供的一种基于地形指标的输电线路覆冰监测装置布点方法,包括:获取目标输电线路的杆塔所在位置的设定的A个覆冰期内覆冰监测装置所监测的最大覆冰厚度均值,并获取目标输电线路杆塔所在位置的地形参数,提取地形参数的特征;构建深度学习‑神经网络,将地形参数的特征和最大覆冰厚度均值输入至深度学习‑神经网络中进行训练;获取新建输电线路的地形参数,并将新建输电线路的地形参数的特征输入至训练完成后的深度学习‑神经网络中进行处理,由深度学习‑神经网络输出新建输电线路覆冰厚度预测值;构建覆冰厚度‑覆冰监测装置布设间距对照表,查询覆冰厚度‑覆冰监测装置布设间距对照表得到新建输电线路的覆冰监测装置的布设间距。

    基于不同分区点阻抗确定变流器系统控制环路带宽的方法

    公开(公告)号:CN115224715A

    公开(公告)日:2022-10-21

    申请号:CN202210909754.3

    申请日:2022-07-29

    IPC分类号: H02J3/36 G06F30/20 G06F113/04

    摘要: 本发明提供一种基于不同分区点阻抗确定变流器系统控制环路带宽的方法,根据电压源型变流器系统中元件的对称特性选择稳定分析的分区点;通过分别向系统中注入扰动电压,获取不同频率的扰动电压下每个分区点的输入阻抗和输出阻抗;进一步判断子系统中是否包含右半平面的极点,计算得出系统不同分区点的相角裕度,并分析参数变化时不同分区点稳定裕度的变化趋势;根据系统稳定裕度要求以及参数对不同分区点稳定裕度的影响,确定出控制环路带宽的最优解。本发明相较现有的基于多输入多输出导纳矩阵模型具有更强的通用性和普适性,因考虑了控制环路带宽对不同分区点系统稳定裕度的影响,较现有的基于单一分区点方法而言,可以更高效更准确地保障系统的安全稳定。

    基于不同分区点阻抗确定变流器系统控制环路带宽的方法

    公开(公告)号:CN115224715B

    公开(公告)日:2024-08-30

    申请号:CN202210909754.3

    申请日:2022-07-29

    IPC分类号: H02J3/36 G06F30/20 G06F113/04

    摘要: 本发明提供一种基于不同分区点阻抗确定变流器系统控制环路带宽的方法,根据电压源型变流器系统中元件的对称特性选择稳定分析的分区点;通过分别向系统中注入扰动电压,获取不同频率的扰动电压下每个分区点的输入阻抗和输出阻抗;进一步判断子系统中是否包含右半平面的极点,计算得出系统不同分区点的相角裕度,并分析参数变化时不同分区点稳定裕度的变化趋势;根据系统稳定裕度要求以及参数对不同分区点稳定裕度的影响,确定出控制环路带宽的最优解。本发明相较现有的基于多输入多输出导纳矩阵模型具有更强的通用性和普适性,因考虑了控制环路带宽对不同分区点系统稳定裕度的影响,较现有的基于单一分区点方法而言,可以更高效更准确地保障系统的安全稳定。

    考虑频率耦合的新能源变流器阻抗建模方法

    公开(公告)号:CN117477599A

    公开(公告)日:2024-01-30

    申请号:CN202311433572.4

    申请日:2023-10-31

    IPC分类号: H02J3/24 H02J3/38 G06Q50/06

    摘要: 本发明公开了一种考虑频率耦合的新能源变流器阻抗建模方法,包括:S1.确定机侧变流器的等效导纳,将机侧变流器的等效导纳与直流母线电容并联相加,得到整个直流侧的等效导纳;S2.确定直流扰动电流、交流扰动电流与并网点扰动电压的关系;确定直流扰动电流、交流扰动电流与直流侧扰动电压的关系;S3.构建自导纳和伴随导纳模型;S4.将所得的自导纳和伴随导纳分别相加得到整个新能源场站的自导那和伴随导纳模型,根据电网阻抗,得到整个新能源场站的等效阻抗。本发明能够准确描述并网背靠背变流器的阻抗特性,且在面向多变流器并联运行的场合时,也可以准确表征整个新能源场站的阻抗特性。

    真空和常压环境SiC MOSFET器件加速老化试验平台

    公开(公告)号:CN116520052A

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202310417773.9

    申请日:2023-04-18

    申请人: 重庆大学

    IPC分类号: G01R31/00 G01N17/02

    摘要: 本发明公开了一种真空和常压环境SiC MOSFET器件加速老化试验平台,包括加热控制单元、检测控制单元、数据采集模块、置于真空环境中的第一待测器件DUT1以及置于常压环境中的第二待测器件DUT2;加热控制单元与检测控制单元并联,第一待测器件DUT1和第二待测器件DUT2串联后与加热控制单元和检测控制单元并联;数据采集模块分别与第一待测器件DUT1和第二待测器件DUT2连接,用于采集第一待测器件DUT1和第二待测器件DUT2的实验数据。本发明能够同时在真空和常压环境下对SiC MOSFET器件进行加速老化,且保证了散热方式、加热和测量电流等其它变量的一致性,保证了试验数据的可对比性,确保最终能够准确的分析真空环境对SiC MOSFET器件老化的影响。