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公开(公告)号:CN116973722A
公开(公告)日:2023-10-31
申请号:CN202310682804.3
申请日:2023-06-09
Applicant: 重庆大学 , 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种用于对桥式电路中桥臂的SiC MOSFET器件进行结温监测的方法,利用半桥结构电路中桥臂换流时不同阶段电流随上下管结温分别变化的特性,采用下管的电荷变化量与对应SiC MOSFET器件结温的线性关系,结合负载电流方向以获取半桥电路中桥臂上下两管的结温信息。采用本发明提供的结温监测方法具有良好的线性度、灵敏度,能够有效减少测量电路数量,避免了浮地测量所引起的共模干扰问题。
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公开(公告)号:CN116626464A
公开(公告)日:2023-08-22
申请号:CN202310578346.9
申请日:2023-05-22
Applicant: 重庆大学 , 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种SiC MOSFET器件键合线老化监测电路及在线监测方法,所述电路包括峰值检测电路、模数转换电路和控制运算单元;峰值检测电路包括第一峰值检测电路和第二峰值检测电路;第一峰值检测电路获取器件外部KS端子和S端子之间的电压VKS‑S,第二峰值检测电路获取器件电路中杂散电感上的电压VCIR;模数转换电路用于对峰值检测电路获取的电压值进行转换,并传给控制运算单元;控制运算单元发出指令,并对模数转换电路获取的数据进行计算,将VKS‑S和VCIR的比值作为SiC MOSFET器件键合线疲劳老化的特征量指标。具有构思巧妙,设计合理,结构简单等特点,能够在器件开通瞬态过程中提取出老化特征量并进行键合线老化监测。
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公开(公告)号:CN116859205A
公开(公告)日:2023-10-10
申请号:CN202310888313.4
申请日:2023-07-19
Applicant: 重庆大学 , 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种沟槽栅型SiC MOSFET器件栅极退化监测方法和监测电路。该方法利用SiC MOSFET器件第三象限零栅压、不同结温下的输出特性曲线交点处的体二极管压降作为特征量。在双脉冲电路中,下管待测SiC MOSFET器件的栅压始终保持零栅压;在电感电流通过下管待测SiC MOSFET器件续流时,侦测交点电流下待测SiC MOSFET器件的体二极管压降值,通过与全新器件在该交点电流下的体二极管压降值作对比以判断待测SiC MOSFET器件是否发生了栅极退化。本发明能够忽略结温的影响实现SiC MOSFET器件栅极退化的准确监测,且是一个很好的在线监测的候选方法,可以避免因停机检测造成的经济损失。
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公开(公告)号:CN116846211A
公开(公告)日:2023-10-03
申请号:CN202310888542.6
申请日:2023-07-19
Applicant: 重庆大学 , 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: H02M1/32 , H02M1/38 , H02M1/088 , H02M1/00 , H02M7/5387
Abstract: 本发明公开一种提升逆变器中SiC MOSFET器件运行寿命的方法,在包括主桥臂A、B、C的三相逆变器中,设有用于分时导通的冗余桥臂D和用于换相的双向可控硅TA、TB和TC;由控制器发出控制指令,根据三相主桥臂A、B、C各相输出电流的相位,来决定是否需要进行分时导通控制;当判断某相电流进入较大区间时,由控制器开通与该相连接的双向可控硅并且把该相桥臂的驱动信号给予冗余桥臂,并把该相桥臂上的SiC MOSFET关断,从而使该相桥臂暂时“休息”,实现降低该桥臂结温峰值和结温波动幅值的目的,进而实现三相主桥臂A、B、C和冗余桥臂D及双向可控硅TA、TB和TC的分时导通与换相,以提升三相逆变器中SiC MOSFET运行寿命。
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公开(公告)号:CN116599508A
公开(公告)日:2023-08-15
申请号:CN202310578297.9
申请日:2023-05-22
Applicant: 重庆大学 , 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: H03K17/081 , H03K17/687 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开了一种提升Sic MOSFET器件短路耐受时间的电路及方法,包括Sic MOSFET器件及其栅极驱动电路,还包括漏压分压模块和栅压钳位模块,其中,所述漏压分压模块设于Sic MOSFET器件的漏极和源级之间,所述栅压钳位模块设于Sic MOSFET器件的栅极和源级之间;所述栅压钳位模块包括MOS管T1,所述漏压分压模块与栅压钳位模块的MOS管T1的栅极相连,当Sic MOSFET器件的漏极与源级之间的电压超过阈值时,漏压分压模块能够触发栅压钳位模块工作;当栅压钳位模块工作时,能迅速将Sic MOSFET器件的驱动电压钳位在安全电压范围内,使Sic MOSFET器件的短路电流减小。本发明将SiC MOSFET的短路耐受时间延长到与IGBT相同的水平,并缩减了电路成本,便于推广应用。
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公开(公告)号:CN119743025A
公开(公告)日:2025-04-01
申请号:CN202411880370.9
申请日:2024-12-19
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种考虑电压宽范围变化的双向谐振型DC‑DC变换器及调制方法。所述调制方法包括:S1:考虑电压宽范围变化,根据双向谐振型DC‑DC变换器电源之间的电压关系构建对应的工作模式;S2:根据双向谐振型DC‑DC变换器的等效电路,生成对应工作模式的优化调制方案;S3:基于优化调制方案对双向谐振型DC‑DC变换器进行调制,使其进入对应的工作模式,同时利用流经励磁电感的励磁电流实现器件的软开关。本发明充分考虑了储能电池电压的宽范围变化,利用变压器励磁电流实现了器件的软开关,所有开关管均能够实现零电压开通,关断始终只有两个管子存在损耗。
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公开(公告)号:CN110579645B
公开(公告)日:2021-07-20
申请号:CN201910881660.8
申请日:2019-09-18
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明提供一种在电网阻抗未知的情况下测量并网逆变器等效导纳的方法,属于新能源并网领域。在真实的测量场景中,逆变器的阻抗受电网阻抗影响,传统的测量方法在电网阻抗已知时获取逆变器的阻抗,但现实的测量场景中,电网阻抗往往是未知的。于是,本发明提供电网阻抗未知的情况下,通过六组测量信息,建立数学模型,求解出并网逆变器自身的特征导纳YSA、和并用特征导纳来确定逆变器的等效导纳。本发明考虑了电网阻抗与逆变器阻抗之间的相互影响,同时避免同步相位角的引入,测量精度高。
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公开(公告)号:CN106096298A
公开(公告)日:2016-11-09
申请号:CN201610452198.6
申请日:2016-06-20
Applicant: 重庆大学
IPC: G06F19/00
CPC classification number: G06F19/00
Abstract: 本发明提供的基于观测器的变换器参数在线辨识方法,对变换器的电感电流和输出电压进行同步采样,建立变换器离散模型,通过观测器对所述变换器离散模型进行在线参数识别;本发明中的基于观测器的变换器参数在线辨识方法,采用观测器原理,对变换器的主电路参数进行非侵入式在线辨识,能够在不影响变换器正常工作的情况下得到准确的参数辨识结果,根据变换器的输出电压采样值和电感电流采样值以及控制器输出,即可准确地在线辨识出包括滤波电感值,电感等效串联电阻值,滤波电容容值,滤波电容等效串联电阻值,负载电阻值等在内的多个参数,易于实现,分析过程较为简单,适用范围广。
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公开(公告)号:CN103812349A
公开(公告)日:2014-05-21
申请号:CN201410055884.0
申请日:2014-02-19
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明提供一种高升压DC/DC变换器,其能够将低压直流电转换为电压较高的直流电,并且能够实现软开关,具有很高的工作效率。所述高升压DC/DC变换器中包含两个部分:Boost电路单元和升压单元。Boost电路单元由2个功率开关S1、S2和一个耦合电感的原边L1组成。耦合电感副边L2、电容C和二极管D构成本发明变换器的升压单元;升压单元相当于一个可控直流电压源,它的电压与耦合电感副原边的匝数比N和开关管S1的占空比D有关。本发明的高升压DC/DC变换器较于现有高升压DC/DC变换器,电压增益高、器件电压应力低、效率高。
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公开(公告)号:CN102123552B
公开(公告)日:2013-08-07
申请号:CN201110031371.2
申请日:2011-01-28
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明提供一种多路恒流大功率LED驱动电源,只需控制一路实现恒流输出,其余各路输出可自动恒流,每一路输出驱动电流驱动一组LED光源;所述多路恒流大功率LED驱动电源中包含n个功率开关S1、S2、S3…Sn,n个二极管D1、D2、D3…Dn,n个电感L1、L2、L3…Ln,n-1个电容C1、C2…Cn-1。每一路输出驱动一组LED光源,避免由于过多LED光源串联引起的可靠性差的问题;由于只需要控制一路实现恒流输出,其余各路输出可自动恒流,控制电路简单;本发明的电路结构简单,恒流性能好,并且成本低、体积小。
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