公开(公告)号：CN119986302A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510395837.9

申请日：2025-03-31

Applicant: 重庆大学

Inventor： 杜雄 ,  王振业 ,  聂泓宇

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明提供的一种低气压下功率器件寿命预测方法，包括以下步骤：获取待测功率器件所处环境的环境参数，该环境参数至少包括气压以及环境温度；基于待测功率器件所处环境的环境参数确定出待测功率器件的散热器表面的传热系数；基于待测功率器件的散热器表面的传热系数确定出散热器到空气的等效热阻；基于散热器到空气的等效热阻确定出功率器件的壳温和结温，并由壳温和结温确定出功率器件的焊层以及基板焊层的非弹性应变率；基于功率器件的焊层以及基板焊层的应变值确定出功率器件循环寿命；能够有效保证在低气压环境下功率器件的预测寿命与实际寿命基本趋于一致，有效确保光伏发电系统的安全稳定运行。

公开(公告)号：CN116520052A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310417773.9

申请日：2023-04-18

Applicant: 重庆大学

Inventor： 杜雄 ,  刘强强 ,  任宏宇 ,  王振业 ,  周君洁 ,  余瑶怡 ,  陈锐

IPC: G01R31/00 ,  G01N17/02

Abstract: 本发明公开了一种真空和常压环境SiC MOSFET器件加速老化试验平台，包括加热控制单元、检测控制单元、数据采集模块、置于真空环境中的第一待测器件DUT1以及置于常压环境中的第二待测器件DUT2；加热控制单元与检测控制单元并联，第一待测器件DUT1和第二待测器件DUT2串联后与加热控制单元和检测控制单元并联；数据采集模块分别与第一待测器件DUT1和第二待测器件DUT2连接，用于采集第一待测器件DUT1和第二待测器件DUT2的实验数据。本发明能够同时在真空和常压环境下对SiC MOSFET器件进行加速老化，且保证了散热方式、加热和测量电流等其它变量的一致性，保证了试验数据的可对比性，确保最终能够准确的分析真空环境对SiC MOSFET器件老化的影响。