公开(公告)号：CN117936493A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410098926.2

申请日：2024-01-24

Applicant: 重庆大学 ,  华润微电子(重庆)有限公司

Inventor： 马荣耀 ,  邵志峰 ,  唐开锋 ,  张新 ,  丁继 ,  刘洋 ,  潘效飞 ,  邓旻熙 ,  杨治宇 ,  梁钰茜 ,  孙鹏 ,  曾正

IPC: H01L23/495 ,  H01L25/07 ,  H01L23/367 ,  H01L23/473 ,  H02M7/00 ,  H02M1/00 ,  H02M7/5387

Abstract: 本发明涉及一种车用多芯片并联碳化硅功率模块，属于半导体器件技术领域。该碳化硅功率模块包括外壳、集成散热器基板、设置在所述集成散热器基板上的覆铜板以及焊接在所述覆铜板上的碳化硅开关单元、功率端子和信号端子。该碳化硅功率模块为三相半桥结构，每一相的半桥电路集成在一块覆铜板上，三相的覆铜板之间不存在电气连接。在单相覆铜板中，采用一体式铜框架实现碳化硅芯片之间的互联，将多个导电区连接形成半桥结构；其中，一体式铜框架通过焊接固定在覆铜板上。本发明通过一体式铜框架实现碳化硅芯片间的并联，提高了碳化硅芯片的通流能力、可靠性，并降低了寄生电感；同时，一体式铜框架做了开槽处理，可释放部分应力提高结合面的可靠性。

公开(公告)号：CN118073186A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202211473886.2

申请日：2022-11-22

Applicant: 华润微电子(重庆)有限公司

Inventor： 谭键文 ,  肖璇 ,  骆菲 ,  何明江 ,  叶俊 ,  杨治宇 ,  徐建祥 ,  侯钦志 ,  原康

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供一种屏蔽栅功率MOSFET及其制作方法，该方法包括以下步骤：形成硬掩模层于外延层上并图形化，刻蚀外延层得到沟槽；去除硬掩模层，形成场氧层及屏蔽栅多晶硅层于沟槽中；回刻屏蔽栅多晶硅层至第一深度；将沟槽侧壁的场氧层的裸露部分减薄；回刻屏蔽栅多晶硅层至第二深度；对屏蔽栅多晶硅层的顶面进行离子注入；形成牺牲氧化层；去除场氧层的一部分及牺牲氧化层的一部分以显露沟槽位于第三深度以上的侧壁；形成栅氧化层于沟槽的裸露侧壁，并加厚牺牲氧化层；形成控制栅多晶硅层于沟槽中。本发明可在相对更低的成本下实现具有更好动态特性的“上下结构”屏蔽栅功率MOSFET，且工艺难度低、适配性高，可应用于小元胞尺寸器件。

公开(公告)号：CN118226215A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202211644226.6

申请日：2022-12-20

Applicant: 华润微电子(重庆)有限公司

Inventor： 谢果 ,  杨治宇 ,  朱仁强 ,  张青青 ,  陈国川

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明提供一种测试系统及测试方法，包括：第一功率开关管，第一端经由第一电阻接地，第二端连接应用匹配电路；应用匹配电路，用于模拟实际应用场景；电源保护电路，连接在应用匹配电路和直流电源的正极之间；电流反馈电路，将第一电阻采集到的电流信号反馈至上位机；驱动控制电路，为第一功率开关管提供第一驱动控制信号；上位机，各部分实现测试。本发明支持多种应用场景下的功率开关管测试；支持线上、线下可编程式的操作测试，存储、读取测试数据的功能；通过温度控制模拟功率器件实际工作场景；具有多重保护电路、独立且可编程的驱动模块以及带电流反馈的多种驱动控制模式。

公开(公告)号：CN118173599A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202211589383.1

申请日：2022-12-09

Applicant: 华润微电子(重庆)有限公司

Inventor： 刘华瑞 ,  叶俊 ,  杨治宇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件结构及制造方法，该屏蔽栅沟槽MOSFET器件结构包括衬底、外延叠层、离子注入层、体区、源区、沟槽、屏蔽栅、控制栅、场氧化层、栅氧化层及隔离层，其中，外延叠层包括自下而上依次层叠的至少两层外延层，任意相邻两层外延层中，位于上层的外延层的掺杂浓度高于位于下层的外延层的掺杂浓度，离子注入层位于外延叠层的一非顶层外延层的上表层中，且掺杂浓度高于顶层外延层的掺杂浓度。本发明法在外延叠层的顶层外延层与下层外延层之间形成高离子掺杂浓度的离子注入层，可改善外延浓度突变引起的输出电容突变，使得电容曲线下降斜率明显变缓，降低电压尖峰，从而有效防止元器件损坏，提高器件可靠性。

公开(公告)号：CN118112383A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202211516105.3

申请日：2022-11-29

Applicant: 华润微电子(重庆)有限公司

Inventor： 朱仁强 ,  谢果 ,  杨治宇 ,  陈国川 ,  张青青

IPC: G01R31/26 ,  G01R1/30 ,  G01R1/28

Abstract: 本发明提供一种测试系统及测试方法，包括：直流电压产生单元，供电并提供驱动所需的直流电压信号；信号编辑发生单元，产生PWM方波信号；驱动单元，基于PWM方波信号产生开关频率信号；扼流单元，提供限流及滤除高频交流成分的电流信号；功率放大单元，基于直流电压信号、电流信号及开关频率信号产生驱动信号；反馈单元，检测流经功率管的电流，并反馈至直流电压产生单元或功率放大单元，以调整驱动电压；泄放单元，为功率管提供关断时的泄放通路；检测显示单元，显示驱动信号的电压、电流及频率。本发明对功率管的驱动能力部分进行可视化测试，可实现对驱动电流、驱动电压和开关频率的调整，满足不同功率管的测试要求；且成本低，安全性高。

公开(公告)号：CN119936597A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202311462201.9

申请日：2023-11-03

Applicant: 华润微电子(重庆)有限公司

Inventor： 朱仁强 ,  谢果 ,  杨治宇 ,  陈国川 ,  张青青

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明提供一种雪崩能量测试系统及测试方法，包括：驱动模块、第一开关管、第二开关管、待测MOS管、第一电阻、第一电感、第一二极管及直流电源；第一开关管的一端接地，另一端连接第一电感的第一端；第一电感的第二端经由第二开关管连接直流电源提供的工作电压；第一开关管与第二开关管的控制端连接驱动模块的输出端，获取对应的驱动信号；待测MOS管与第一开关管并联，栅极经由第一电阻接地；第一二极管的阴极连接电感的第二端，阳极接地；其中，第一开关管的击穿电压高于待测MOS管的击穿电压。本发明的雪崩能量测试系统及测试方法能快速、有效、准确的对功率器件的雪崩能量进行测试评估；性能稳定、硬件成本低。