公开(公告)号：CN117936493A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410098926.2

申请日：2024-01-24

Applicant: 重庆大学 ,  华润微电子(重庆)有限公司

Inventor： 马荣耀 ,  邵志峰 ,  唐开锋 ,  张新 ,  丁继 ,  刘洋 ,  潘效飞 ,  邓旻熙 ,  杨治宇 ,  梁钰茜 ,  孙鹏 ,  曾正

IPC: H01L23/495 ,  H01L25/07 ,  H01L23/367 ,  H01L23/473 ,  H02M7/00 ,  H02M1/00 ,  H02M7/5387

Abstract: 本发明涉及一种车用多芯片并联碳化硅功率模块，属于半导体器件技术领域。该碳化硅功率模块包括外壳、集成散热器基板、设置在所述集成散热器基板上的覆铜板以及焊接在所述覆铜板上的碳化硅开关单元、功率端子和信号端子。该碳化硅功率模块为三相半桥结构，每一相的半桥电路集成在一块覆铜板上，三相的覆铜板之间不存在电气连接。在单相覆铜板中，采用一体式铜框架实现碳化硅芯片之间的互联，将多个导电区连接形成半桥结构；其中，一体式铜框架通过焊接固定在覆铜板上。本发明通过一体式铜框架实现碳化硅芯片间的并联，提高了碳化硅芯片的通流能力、可靠性，并降低了寄生电感；同时，一体式铜框架做了开槽处理，可释放部分应力提高结合面的可靠性。

公开(公告)号：CN115343588B

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202110526808.3

申请日：2021-05-14

Applicant: 华润微电子(重庆)有限公司

Inventor： 唐开锋 ,  马荣耀 ,  丁继 ,  陈龙 ,  徐丹丹 ,  赵伟能 ,  邓旻熙

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明提供一种功率晶体管的测试系统和测试方法，功率晶体管测试系统包括：第一驱动模块，第二驱动模块，等效寄生参数模块，供电电源，第一电感，第二电感，第一开关，第二开关，第一NMOS管，第二NMOS管；功率晶体管测试系统还包括温控装置，第三NMOS管，第三驱动模块，第四NMOS管及第四驱动模块；功率晶体管的测试系统可以测试功率晶体管或并联晶体管的体二极管反向恢复特性、大电流开启和大电流关断特性或直通上电耐抗短路特性，也可以测试高低温对上述特性的影响；本发明的功率晶体管的测试系统的电路参数可调整，可测试可调参数对功率晶体管特性的影响；位于下半桥的晶体管，不易受外界干扰，方便测试。

公开(公告)号：CN115343588A

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202110526808.3

申请日：2021-05-14

Applicant: 华润微电子(重庆)有限公司

Inventor： 唐开锋 ,  马荣耀 ,  丁继 ,  陈龙 ,  徐丹丹 ,  赵伟能 ,  邓旻熙

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明提供一种功率晶体管的测试系统和测试方法，功率晶体管测试系统包括：第一驱动模块，第二驱动模块，等效寄生参数模块，供电电源，第一电感，第二电感，第一开关，第二开关，第一NMOS管，第二NMOS管；功率晶体管测试系统还包括温控装置，第三NMOS管，第三驱动模块，第四NMOS管及第四驱动模块；功率晶体管的测试系统可以测试功率晶体管或并联晶体管的体二极管反向恢复特性、大电流开启和大电流关断特性或直通上电耐抗短路特性，也可以测试高低温对上述特性的影响；本发明的功率晶体管的测试系统的电路参数可调整，可测试可调参数对功率晶体管特性的影响；位于下半桥的晶体管，不易受外界干扰，方便测试。