公开(公告)号：CN119643597A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411635050.7

申请日：2024-11-15

Applicant: 重庆大学

Inventor： 蔡炜 ,  黄潇冰 ,  朱万全 ,  黄天林 ,  黄晓旭

IPC: G01N23/02 ,  G06T7/00 ,  G06T7/80 ,  G06N3/0464 ,  G06T7/73 ,  G01N23/20058

Abstract: 本发明公开了一种在透射电子显微镜中快速实现晶体学取向成像的方法，上述方法包括以下步骤：通过透射电镜采集3～5个样品倾角下前8～10个衍射环的圆锥扫描暗场像；对不同样品倾角下的暗场像进行漂移矫正后对所有暗场像二值化；搭建入射电子束圆锥扫描模型，模拟不同样品倾角下任意取向的电子衍射花样，构建电子衍射花样数据库；重构同一个样品倾角下暗场像中每个像素的衍射花样并对所有的像素的取向进行标定；结合多个样品倾角的数据完成所有像素的取向标定。本发明基于透射电镜圆锥扫描暗场成像技术和晶体学取向标定算法实现了晶粒取向的快速表征，适用于透射电镜下晶体材料的晶体学取向表征。