一种基于关断振荡的SiC MOSFET栅氧层退化监测方法

    公开(公告)号:CN119395498A

    公开(公告)日:2025-02-07

    申请号:CN202411683935.4

    申请日:2024-11-22

    Applicant: 重庆大学

    Abstract: 发明公开一种基于关断振荡的SiC MOSFET栅氧层退化监测方法,利用源极杂散电感电压vcir测量SiC MOSFET关断时的漏源极电流变化率diDS/dt,基于diDS/dt中阈值电压VTH的负温敏性和电子迁移率μ的正温敏性的抵消作用,提出通过调节关断时的驱动电阻RG和负压VEE实现源极杂散电感电压负峰值vcir_min的零温敏性,并在选定的监测驱动电阻RG_M和关断栅压VEE_M下监测SiC MOSFET栅氧层退化程度。本监测方法通用性强,对不同型号的SiC MOSFET的栅氧层退化都有较好的监测效果;受温度影响极小,利于在温度波动大的环境下工作;不需要被监测器件的引脚作为测量接口,对系统侵入性小;参数测量方法多且成熟;有较大的在线应用潜力。

    一种基于物理特性的SiC MOSFET器件静态模型

    公开(公告)号:CN117436390A

    公开(公告)日:2024-01-23

    申请号:CN202311547553.4

    申请日:2023-11-20

    Abstract: 发明公开一种基于物理特性的SiC MOSFET器件静态模型,包括漏极电流Id模型、沟道电压降Vds模型、栅源极有效电压Vgs模型以及反型层沟道载流子迁移率μ的模型。所述漏极电流Id模型在标准长沟道器件模型的基础上进行改良,通过对沟道调制效应、耗尽层体电荷效应等物理过程的表征;所述栅源极有效电压模型引入了栅源极有效电压Vgs,并通过渐进函数来表征界面态陷阱随外部栅源极电压VGS的升高而逐渐被载流子完全占据的过程。本模型通用性强,对不同类型的SiC MOSFET器件均有较好的表征效果;模型具有较高的准确度,且模型参数均具有一定的物理意义,有利于在本模型的基础上做更深入的研究;同时模型紧凑,仿真速度较快,适用于电路的仿真。

    一种用于GaN MIS-HEMT功率器件的短路保护方法及保护电路

    公开(公告)号:CN116799745A

    公开(公告)日:2023-09-22

    申请号:CN202310866470.5

    申请日:2023-07-14

    Applicant: 重庆大学

    Abstract: 本发明公开一种用于GaN MIS‑HEMT功率器件的短路保护方法及保护电路,所述保护方法包括通过差分采样电路获取栅极驱动电阻RGon的电压,以此来还原驱动回路的栅极泄漏电流;然后通过带有复位开关S1的积分电路对栅极泄漏电流积分以获取栅极泄漏电荷;再通过比较器获取短路故障信号;最后硬关断电路将短路故障信号通过SR锁存器锁存,锁存器的输出信号Q直接连接LED灯以作短路故障警示信号,锁存器的另一输出信号‑Q经数字隔离器把使能信号反馈给GaN MIS‑HEMT的隔离型驱动,控制驱动芯片使能工作。所述保护电路包括栅极泄漏电荷检测电路和硬关断电路。本发明解决现有技术存在受PCB布局和器件封装结构寄生参数的影响,短路保护电路设计复杂、成本高等问题。

    一种手术用品转运装置
    6.
    实用新型

    公开(公告)号:CN221130037U

    公开(公告)日:2024-06-14

    申请号:CN202420238320.X

    申请日:2024-01-31

    Abstract: 本实用新型涉及医疗器械技术领域,具体涉及一种手术用品转运装置,包括推车车体、第一箱体、第二箱体和箱盖,第一箱体的外表面设置有固定组件;通过第一箱体和第二箱体可分别存放不同种类的手术用品,并且可避免手术用品在转运的过程中掉落,第二箱体和箱盖分别通过合页与第一箱体和第二箱体连接,使得转动箱盖或第二箱体可打开第二箱体或第一箱体,从而可改变整个存放结构的高度,有利于对第一箱体中存放的手术用品取拿,通过将手术用品存放于第一箱体和第二箱体中,通过第二箱体可对第一箱体顶部的开口遮盖,通过箱盖可对第二箱体顶部的开口遮盖,从而保证灭菌后的手术用品在运送途中的无菌效果。

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