公开(公告)号：CN116859205A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202310888313.4

申请日：2023-07-19

Applicant: 重庆大学 ,  国网重庆市电力公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

Inventor： 孙鹏菊 ,  杨滢辉 ,  李凯伟 ,  马兴 ,  杜雄 ,  罗全明

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明提供一种沟槽栅型SiC MOSFET器件栅极退化监测方法和监测电路。该方法利用SiC MOSFET器件第三象限零栅压、不同结温下的输出特性曲线交点处的体二极管压降作为特征量。在双脉冲电路中，下管待测SiC MOSFET器件的栅压始终保持零栅压；在电感电流通过下管待测SiC MOSFET器件续流时，侦测交点电流下待测SiC MOSFET器件的体二极管压降值，通过与全新器件在该交点电流下的体二极管压降值作对比以判断待测SiC MOSFET器件是否发生了栅极退化。本发明能够忽略结温的影响实现SiC MOSFET器件栅极退化的准确监测，且是一个很好的在线监测的候选方法，可以避免因停机检测造成的经济损失。

公开(公告)号：CN116799745A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202310866470.5

申请日：2023-07-14

Applicant: 重庆大学

Inventor： 孙鹏菊 ,  胡应鹏 ,  黄旭 ,  兰昱锋 ,  房新斌 ,  杨滢辉 ,  周兴豪 ,  刘青松 ,  高铭泽 ,  欧阳铭熙 ,  欧阳文远 ,  谢明航

IPC: H02H3/08 ,  H02H3/04 ,  H02H1/00 ,  H02H7/122

Abstract: 本发明公开一种用于GaN MIS‑HEMT功率器件的短路保护方法及保护电路，所述保护方法包括通过差分采样电路获取栅极驱动电阻RGon的电压，以此来还原驱动回路的栅极泄漏电流；然后通过带有复位开关S1的积分电路对栅极泄漏电流积分以获取栅极泄漏电荷；再通过比较器获取短路故障信号；最后硬关断电路将短路故障信号通过SR锁存器锁存，锁存器的输出信号Q直接连接LED灯以作短路故障警示信号，锁存器的另一输出信号‑Q经数字隔离器把使能信号反馈给GaN MIS‑HEMT的隔离型驱动，控制驱动芯片使能工作。所述保护电路包括栅极泄漏电荷检测电路和硬关断电路。本发明解决现有技术存在受PCB布局和器件封装结构寄生参数的影响，短路保护电路设计复杂、成本高等问题。