公开(公告)号：CN116973722A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202310682804.3

申请日：2023-06-09

Applicant: 重庆大学 ,  国网重庆市电力公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

Inventor： 孙鹏菊 ,  吴朔 ,  马兴 ,  李凯伟 ,  罗全明 ,  杜雄

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种用于对桥式电路中桥臂的SiC MOSFET器件进行结温监测的方法，利用半桥结构电路中桥臂换流时不同阶段电流随上下管结温分别变化的特性，采用下管的电荷变化量与对应SiC MOSFET器件结温的线性关系，结合负载电流方向以获取半桥电路中桥臂上下两管的结温信息。采用本发明提供的结温监测方法具有良好的线性度、灵敏度，能够有效减少测量电路数量，避免了浮地测量所引起的共模干扰问题。

公开(公告)号：CN113933677B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202111248678.8

申请日：2021-10-26

Applicant: 重庆大学

Inventor： 孙鹏菊 ,  谢明航 ,  李凯伟 ,  欧阳文远 ,  罗全明 ,  杜雄

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种SiC MOSFET栅极老化监测电路及在线监测方法，该监测电路包括常规驱动、监测驱动、采样与逻辑运算电路以及控制单元；监测方法包括：当待测器件正常工作时，由常规驱动控制器件的开通和关断；当待测器件处于关断状态且实施栅极老化监测时，电路由常规驱动切换到监测驱动，对栅极进行充电；当栅极电压到达设定值时，由逻辑运算电路关断监测驱动并生成充电时间信号传送至控制单元，控制单元捕捉充电时间信号有效电平的持续时间，该充电时间作为栅极老化的特征量，用于监测栅极老化状态。本发明不会影响到器件以及装置的正常工作，可实现栅极老化在线监测，解决了大多数栅极老化监测方法难以在线实施的问题，有效避免停机监测造成的经济损失。

公开(公告)号：CN116773910A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310742330.7

申请日：2023-06-21

Applicant: 重庆大学

Inventor： 孙鹏菊 ,  李强 ,  黄旭 ,  兰昱锋 ,  欧阳铭熙 ,  李凯伟 ,  房新斌 ,  高铭泽

IPC: G01R27/04 ,  G01R23/04 ,  G01R23/163

Abstract: 本发明公开了一种基于模态分析的多逆变器系统电网阻抗检测方法，包括多逆变器系统模态分析模型的建立、系统谐振信息数据库的建立。根据新能源发电系统的运行工况，确定电网阻抗的波动范围，将其分别带入系统的导纳矩阵，并依次计算谐振频率，形成系统谐振信息的数据库；在系统运行过程中，检测逆变器输出电流和总入网电流的波形，并进行频谱分析，得到系统的谐振频率，与数据库信息进行对比，确定实时的电网阻抗参数。本发明在逆变器并联运行过程中，可以通过检测系统电流的谐振信息确定电网阻抗，并且不影响系统的正常运行，解决了新能源系统电网阻抗检测的难题。

公开(公告)号：CN115453305A

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202211166538.0

申请日：2022-09-23

Applicant: 重庆大学

Inventor： 孙鹏菊 ,  黄旭 ,  贺致远 ,  李凯伟 ,  李强 ,  杜雄 ,  罗全明

IPC: G01R31/26 ,  H02H9/04

Abstract: 本发明公开一种电压钳位电路及其在半导体功率器件导通压降测量中的应用，该电路包含高压二极管D，齐纳二极管Z，以及LM334恒流源电路。其中LM334恒流源电路包含LM334芯片和其工作所需外围电路用以产生满足齐纳二极管Z稳压所需的齐纳电流。钳位电路中DUT+端连接待测半导体功率器件漏极或集电极，DUT‑端连接待测半导体功率器件源极或射极；钳位电路中Vm+与Vm‑端用于输出钳位电压。通过调整高压二极管D、齐纳二极管Z和LM334工作所需外围电路R1、R2、D2可满足不同半导体功率器件测试需求。本发明具有结构简单，灵活性好，动态响应性能好，测量精度高、成本低廉等优点。

公开(公告)号：CN113933677A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202111248678.8

申请日：2021-10-26

Applicant: 重庆大学

Inventor： 孙鹏菊 ,  谢明航 ,  李凯伟 ,  欧阳文远 ,  罗全明 ,  杜雄

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种SiCMOSFET栅极老化监测电路及在线监测方法，该监测电路包括常规驱动、监测驱动、采样与逻辑运算电路以及控制单元；监测方法包括：当待测器件正常工作时，由常规驱动控制器件的开通和关断；当待测器件处于关断状态且实施栅极老化监测时，电路由常规驱动切换到监测驱动，对栅极进行充电；当栅极电压到达设定值时，由逻辑运算电路关断监测驱动并生成充电时间信号传送至控制单元，控制单元捕捉充电时间信号有效电平的持续时间，该充电时间作为栅极老化的特征量，用于监测栅极老化状态。本发明不会影响到器件以及装置的正常工作，可实现栅极老化在线监测，解决了大多数栅极老化监测方法难以在线实施的问题，有效避免停机监测造成的经济损失。

公开(公告)号：CN119395498A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411683935.4

申请日：2024-11-22

Applicant: 重庆大学

Inventor： 孙鹏菊 ,  周兴豪 ,  刘青松 ,  李凯伟 ,  欧阳铭熙 ,  唐晨皓

IPC: G01R31/26

Abstract: 发明公开一种基于关断振荡的SiC MOSFET栅氧层退化监测方法，利用源极杂散电感电压vcir测量SiC MOSFET关断时的漏源极电流变化率diDS/dt，基于diDS/dt中阈值电压VTH的负温敏性和电子迁移率μ的正温敏性的抵消作用，提出通过调节关断时的驱动电阻RG和负压VEE实现源极杂散电感电压负峰值vcir_min的零温敏性，并在选定的监测驱动电阻RG_M和关断栅压VEE_M下监测SiC MOSFET栅氧层退化程度。本监测方法通用性强，对不同型号的SiC MOSFET的栅氧层退化都有较好的监测效果；受温度影响极小，利于在温度波动大的环境下工作；不需要被监测器件的引脚作为测量接口，对系统侵入性小；参数测量方法多且成熟；有较大的在线应用潜力。

公开(公告)号：CN116859205A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202310888313.4

申请日：2023-07-19

Applicant: 重庆大学 ,  国网重庆市电力公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

Inventor： 孙鹏菊 ,  杨滢辉 ,  李凯伟 ,  马兴 ,  杜雄 ,  罗全明

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明提供一种沟槽栅型SiC MOSFET器件栅极退化监测方法和监测电路。该方法利用SiC MOSFET器件第三象限零栅压、不同结温下的输出特性曲线交点处的体二极管压降作为特征量。在双脉冲电路中，下管待测SiC MOSFET器件的栅压始终保持零栅压；在电感电流通过下管待测SiC MOSFET器件续流时，侦测交点电流下待测SiC MOSFET器件的体二极管压降值，通过与全新器件在该交点电流下的体二极管压降值作对比以判断待测SiC MOSFET器件是否发生了栅极退化。本发明能够忽略结温的影响实现SiC MOSFET器件栅极退化的准确监测，且是一个很好的在线监测的候选方法，可以避免因停机检测造成的经济损失。