一种耐高温莫来石/硅酸钇/氧化锆复合涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN118344133A

    公开(公告)日:2024-07-16

    申请号:CN202410446850.8

    申请日:2024-04-15

    Applicant: 郑州大学

    Abstract: 本发明提供了一种耐高温莫来石/硅酸钇/氧化锆复合涂层及其制备方法,属于耐高温涂层技术领域。本发明将莫来石、硅酸钇、氧化锆、粘结剂和分散剂混合后,采用刷涂、喷涂或浸渍工艺涂覆在基体表面,然后进行分段烧结,得到耐高温莫来石/硅酸钇/氧化锆复合涂层。本发明的制备方法采用刷涂、喷涂以及浸渍等技术手段,可以在任何复杂工件表面制备一定厚度的涂层,无需专业设备,操作简单,生产效率高;本发明采用两段式升温进行烧结,工艺流程简单,不需要喷雾造粒和预烧喂料,一次烧结即可制备完成,适用性广,操作方便,可用于大型或异型件的制备,具有广阔的应用前景。

    一种高导热陶瓷封装基座及其生产工艺

    公开(公告)号:CN119912266A

    公开(公告)日:2025-05-02

    申请号:CN202510085036.2

    申请日:2025-01-20

    Applicant: 郑州大学

    Abstract: 本发明涉及电子封装技术领域,具体为一种高导热陶瓷封装基座及其生产工艺;所述高导热陶瓷封装基座包括基座本体及至少设置在其一端面的导电层;基座本体由陶瓷浆料制成,且陶瓷浆料由如下重量份原料组成:50~60份改性氮化铝、0.5~0.8份分散剂、0.6~1.5份增塑剂、5~8份聚合物、35~40份有机溶剂及1~2份助熔剂;所述导电层所用导电原料由如下重量份原料组成:90~96份金属W、4~7份Al2O3和2~5份M2O3;其中,M为Er、Y、Sm中的任意一种;本发明生产的陶瓷封装基座具有优良的导热性能,这在一定程度上有效解决了传统封装基座因散热不佳从而影响电子元器件性能的问题,能够保障电子芯片在长时间稳定工作过程中及时散热,延长其使用寿命。

    一种具有优良层间结合性的多层陶瓷基板制备方法

    公开(公告)号:CN119874337A

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202510150677.1

    申请日:2025-02-11

    Applicant: 郑州大学

    Abstract: 本发明公开了一种具有优良层间结合性的多层陶瓷基板制备方法,包括以下步骤:将氧化铝粉末、氧化铬粉末和氧化钇粉末混合并进行球磨、过筛;将粘结剂、增塑剂、分散剂、溶剂进行混合搅拌均匀;将混合粉料和有机混合浆料混合,真空除泡;将浆料进行流延预成型,随后将流延预成型的生坯体进行烘箱预热后叠层干压成型;通过特定排胶烧结一体化制度对多层陶瓷基板生坯体进行无压烧结,即得到具有优良层间结合性的多层陶瓷基板。本发明采用上述一种具有优良层间结合性的多层陶瓷基板制备方法,可在无压条件下实现多层氧化铝陶瓷基板层间良好结合及致密化,解决传统高温热压烧结工艺高温热压存在周期长、效率低、能耗高以及热压模具昂贵易损的问题。

    一种拉曼散射光谱检测芯片及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN119534426A

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN202411961212.6

    申请日:2024-12-30

    Applicant: 郑州大学

    Abstract: 本发明提供了一种拉曼散射光谱检测芯片及其制备方法和应用,属于拉曼散射光谱技术领域。本发明的拉曼散射光谱检测芯片自下而上依次为衬底、BiFeO3薄膜和贵金属纳米颗粒阵列。首先将铋盐、铁盐、乙二醇甲醚混合于乙酸中,得到前驱体溶液;再将前驱体溶液旋涂于衬底上制膜,每旋涂一层后进行退火,重复旋涂和退火过程直至达到所需厚度,最后进行热处理,制得BiFeO3薄膜;将贵金属纳米颗粒分散液滴在BiFeO3薄膜的表面,之后进行干燥,制得拉曼散射光谱检测芯片。本发明的拉曼散射光谱检测芯片的拉曼散射光谱信号强度得到了显著增加,在检测微量有机物分子‑罗丹明6G溶液时,其灵敏度至少可以提高1个数量级。

    一种基于图像识别的陶瓷封装基本表面缺陷检测方法及系统

    公开(公告)号:CN118657724A

    公开(公告)日:2024-09-17

    申请号:CN202410711324.X

    申请日:2024-06-03

    Applicant: 郑州大学

    Abstract: 本发明提供一种基于图像识别的陶瓷封装基本表面缺陷检测方法及系统,对电子元件与陶瓷封装层之间的接触区域表面进行第一视觉采集与识别,得到两者之间的接触空间状态数据,对两者之间的接触紧密程度进行全局量化识别,以此确定两者之间的接触异常区域;再对接触异常区域进行图像画面提取与识别,更加细化分析两者的接触界面形貌数据,对两者的接触变化情况进行表征,以此确定两者之间的接触缺陷区域,实现对电子元件与陶瓷封装层的接触不紧密区域进行定位;还对陶瓷封装层的外表面进行第二视觉采集与识别,得到陶瓷封装层的外表面缺陷区域,并基于接触缺陷区域和外表面缺陷区域的相对位置关系信息,确定陶瓷封装层的结构缺陷区域,从而对电子元件的陶瓷封装层的结构缺陷进行全局化定位识别,提高对电子元件的良品甄别准确性。

    一种通用式半导体芯片陶瓷封装装置

    公开(公告)号:CN222190702U

    公开(公告)日:2024-12-17

    申请号:CN202421081494.6

    申请日:2024-05-16

    Applicant: 郑州大学

    Abstract: 本实用新型涉及芯片陶瓷封装技术领域,具体是涉及一种通用式半导体芯片陶瓷封装装置,包括封装外壳,封装外壳的内部活动设置有芯片安装板,封装外壳的顶部设置有提手,封装外壳的内部开设有供下压板移动的矩形槽,下压板的底部设置有若干个定位杆,通过使用定位杆与定位孔的配合,芯片的拿取变得极为便捷,当需取出芯片时,工作人员仅需按压两个L型定位块,使其同步靠近,此时,L型定位块的另一端会自然远离提手内的定位槽,在复位组件的自动作用下,提手将上移,进而带动下压块和定位杆从定位孔中脱离,此后,工作人员即可轻松取出芯片安装板内的芯片,无需他人协助,极大地简化了操作过程,提高了工作效率。

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