边界的低流量激光击锤的方法

    公开(公告)号:CN100347317C

    公开(公告)日:2007-11-07

    申请号:CN200410042115.3

    申请日:2004-04-30

    CPC classification number: F01D5/286 C21D10/005

    Abstract: 一种对物件(8)进行激光击锤的方法包括,用至少一束高流量激光束(16)对第一区域(14)进行激光击锤,用至少一束第一低流量激光束(24)对物件(8)第一区域(14)和非-激光击锤区域(22)之间的边界区域(20)进行激光击锤。边界区域(20)可以用第二低流量激光束(45)或者流量更低的激光束进行激光击锤,其中,第二低流量激光束(45)和其它激光束的流量要比第一低流量激光束(24)的低。可以从一束第一低流量激光束(24)开始,用流量逐渐降低的激光束对边界区域(20)进行激光击锤,其中,流量逐渐降低的激光束从最高流量到最低流量,从第一区域通过边界区域(20)到非-激光击锤区域(22)向外顺序进行。

    单头激光器的高通过量激光冲击喷丸处理

    公开(公告)号:CN1598006A

    公开(公告)日:2005-03-23

    申请号:CN200410057697.2

    申请日:2004-08-23

    Abstract: 一种置于激光冲击喷丸设备内用于产生沿主光束通道(66)的主激光束(34)的激光装置(31)。该装置(31)具有一个仅带单个激光杆(36)的脉动的自由运行振荡器(33)。外接于该自由运行振荡器(33)的一个电-光转换器(64)从工作上沿主光束通道(66)设置,以便阻塞主激光束(34)的来自自由运行振荡器(33)的初始慢速上升时间,并将能量拒斥于主光束通道(66)之外。至少用一条光学传输电路(43)来形成至少一个来自主激光束(34)的稳定的激光束(2),并将该稳定的激光束(2)导引向至少一个激光冲击喷丸目标区(42)。用一个与上述电-光转换器(64)可控连接的延迟脉冲发生器(103)将能量从主光束通道(66)沿转储通道(89)拒斥到转储器(88),并锐化主激光束(34)的脉冲。

    边界的低流量激光击锤
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1550560A

    公开(公告)日:2004-12-01

    申请号:CN200410042115.3

    申请日:2004-04-30

    CPC classification number: F01D5/286 C21D10/005

    Abstract: 一种对物件(8)进行激光击锤的方法包括,用至少一束高流量激光束(16)对第一区域(14)进行激光击锤,用至少一束第一低流量激光束(24)对物件(8)第一区域(14)和非-激光击锤区域(22)之间的边界区域(20)进行激光击锤。边界区域(20)可以用第二低流量激光束(45)或者流量更低的激光束进行激光击锤,其中,第二低流量激光束(45)和其它激光束的流量要比第一低流量激光束(24)的低。可以从一束第一低流量激光束(24)开始,用流量逐渐降低的激光束对边界区域(20)进行激光击锤,其中,流量逐渐降低的激光束从最高流量到最低流量,从第一区域通过边界区域(20)到非-激光击锤区域(22)向外顺序进行。

    阻止裂纹的激光震动喷丸方法

    公开(公告)号:CN1220934A

    公开(公告)日:1999-06-30

    申请号:CN98125434.9

    申请日:1998-12-18

    CPC classification number: F01D5/286 C21D10/005 Y02T50/671 Y02T50/673

    Abstract: 一种金属制品以及用激光震动喷丸工艺加工硬金属制品的方法,在该制品的至少一部分上具有至少一个激光震动喷丸加工的表面和多个空间上相隔的激光震动喷丸加工的凸起,该凸起从所述激光振动喷丸表面向制品内延伸且具有由激光震动喷丸方法(LSP)施加的深度残余压应力,所述激光振动喷丸表面上具有间隔开的不重叠的圆形激光束点,该表面可以首先涂覆有激光束能使之汽化的烧蚀材料,而该方法可以是空中激光震动喷丸方法。

    用于单晶超级合金和金属的直写的设备和方法

    公开(公告)号:CN106552939B

    公开(公告)日:2020-04-03

    申请号:CN201611051382.6

    申请日:2016-08-20

    Abstract: 提供了用于单晶超级合金和金属的直写的方法。本方法可包括:使用第一加热器(24)将位于底板(22)上的基底(23)加热到预定温度;使用激光(26)在基底(23)表面上形成熔池(34);将超级合金粉末(32)引入到熔池(34);测定熔池(34)的温度;在控制器(40)处接收测定的温度;和使用与控制器(40)连通的辅助热源(41)以调节熔池(34)的温度。预定温度低于基底的熔点。激光(26)和底板(22)能够相对于彼此移动,其中激光(26)用于直接金属沉积。也大体上提供用于单晶超级合金和金属的直写的设备(20)。

    用于单晶超级合金和金属的直写的设备和方法

    公开(公告)号:CN106552939A

    公开(公告)日:2017-04-05

    申请号:CN201611051382.6

    申请日:2016-08-20

    Abstract: 提供了用于单晶超级合金和金属的直写的方法。本方法可包括:使用第一加热器(24)将位于底板(22)上的基底(23)加热到预定温度;使用激光(26)在基底(23)表面上形成熔池(34);将超级合金粉末(32)引入到熔池(34);测定熔池(34)的温度;在控制器(40)处接收测定的温度;和使用与控制器(40)连通的辅助热源(41)以调节熔池(34)的温度。预定温度低于基底的熔点。激光(26)和底板(22)能够相对于彼此移动,其中激光(26)用于直接金属沉积。也大体上提供用于单晶超级合金和金属的直写的设备(20)。

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