异质结太阳电池生产系统及靶材清理机构

    公开(公告)号:CN114164408A

    公开(公告)日:2022-03-11

    申请号:CN202111487569.1

    申请日:2021-12-07

    摘要: 本发明涉及一种异质结太阳电池生产系统及靶材清理机构,需要对靶材进行清理时,驱动组件带动清理环沿靶材的延伸方向移动,从而使得靶材插入清理腔内,进而能够利用至少两个清理件对靶材的表面进行清理,能够将搭在靶材与挡板之间的破损的硅片的碎片进行清理,避免靶材发生短路;同时,还能够对靶材表面上的粉尘进行清理,减少溅射过程中的原核点,还能减少靶材结瘤,提高镀膜品质,生产的薄膜的性能优良;并且,不需进行降温开腔清理,从而不需在清理后进行抽真空与升温,生产效率高,提高了产能。

    导电层、太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN114914311B

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202210401548.1

    申请日:2022-04-18

    摘要: 本发明涉及一种导电层、太阳能电池及其制备方法。该导电层包括层叠设置的第一TCO层、第二TCO层、第三TCO层及第四TCO层。第一TCO层在第一气氛下制备,第一气氛为氩气及氢气的混合气体;第二TCO层在第二气氛下制备,第二气氛为氩气、氢气及氧气的混合气体,氢气分压梯度降低且氧气分压梯度增加;第三TCO层在第三气氛下制备,第三气氛为氩气及氧气的混合气体;第四TCO层在第四气氛下制备,第四气氛为氩气及氧气的混合气体,且氧气分压梯度降低;第三气氛中氧气分压不低于第二气氛中氧气分压及第四气氛中氧气分压。该导电层具有较高透过率及导电性,可提高太阳能电池的转换效率。

    导电层、太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN114914311A

    公开(公告)日:2022-08-16

    申请号:CN202210401548.1

    申请日:2022-04-18

    摘要: 本发明涉及一种导电层、太阳能电池及其制备方法。该导电层包括层叠设置的第一TCO层、第二TCO层、第三TCO层及第四TCO层。第一TCO层在第一气氛下制备,第一气氛为氩气及氢气的混合气体;第二TCO层在第二气氛下制备,第二气氛为氩气、氢气及氧气的混合气体,氢气分压梯度降低且氧气分压梯度增加;第三TCO层在第三气氛下制备,第三气氛为氩气及氧气的混合气体;第四TCO层在第四气氛下制备,第四气氛为氩气及氧气的混合气体,且氧气分压梯度降低;第三气氛中氧气分压不低于第二气氛中氧气分压及第四气氛中氧气分压。该导电层具有较高透过率及导电性,可提高太阳能电池的转换效率。

    异质结太阳能电池的制备方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114597290A

    公开(公告)日:2022-06-07

    申请号:CN202210180572.7

    申请日:2022-02-25

    摘要: 本发明提供了一种异质结太阳能电池的制备方法,该制备方法包括如下步骤:在晶硅衬底上制备非晶硅薄膜,采用短波激光对非晶硅薄膜进行第一光注入,短波激光的波长为250nm~650nm;在非晶硅薄膜上制备透明导电薄膜,采用长波激光对透明导电薄膜进行第二光注入,长波激光的波长为950nm~1250nm;在透明导电薄膜上表面制备电极,采用上述的短波激光和长波激光叠加的激光对非晶硅薄膜、透明导电薄膜和电极进行第三光注入。该制备方法能够及时修复异质结太阳能电池制程过程中出现的损伤,使电池片具有良好的钝化效果和膜层导电性,提高异质结太阳能电池的开路电压、填充因子和转换效率。

    硅/钙钛矿叠层太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN113594372A

    公开(公告)日:2021-11-02

    申请号:CN202110864717.0

    申请日:2021-07-29

    IPC分类号: H01L51/42 H01L51/44 H01L51/48

    摘要: 本申请涉及一种硅/钙钛矿叠层太阳能电池及其制备方法,属于钙钛矿叠层电池技术领域。该硅/钙钛矿叠层太阳能电池包括硅底电池和钙钛矿顶电池,硅底电池的表面和钙钛矿顶电池的底面之间依次设置有种子晶硅层和隧穿层,种子晶硅层靠近硅底电池,隧穿层靠近钙钛矿顶电池。其中,种子晶硅层为非晶硅层,隧穿层为掺杂的微晶硅氧层。该电池使硅底电池和钙钛矿顶电池之间的隧穿更加容易,以提高电池的开路电压和转化效率。

    硅片切割方法及电池
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114823317B

    公开(公告)日:2024-07-19

    申请号:CN202210319380.X

    申请日:2022-03-29

    摘要: 本发明涉及硅片切割方法及电池。该硅片切割方法采用激光对硅片进行切割,且在进行所述切割的同时,对所述硅片的切割位置进行喷雾处理,得到切割后的硅片;所述喷雾处理采用喷雾试剂包括过氧化氢溶液;将所述切割后的硅片置于氢氟酸溶液中进行浸泡;或对所述切割后的硅片的切割面进行等离子刻蚀处理,所述等离子刻蚀处理采用的等离子源选自氟取代的C1~C20烷烃和氟取代的C2~C20烯烃中的至少一种。该方法能消除激光切割面的凹凸、毛刺、锯齿边等切割异常的部分,能够使得切割面光滑平整。

    用于PVD腔室内的元件的处理方法、挡板和元件

    公开(公告)号:CN116334529A

    公开(公告)日:2023-06-27

    申请号:CN202111592571.5

    申请日:2021-12-23

    发明人: 薛建锋 徐磊

    IPC分类号: C23C14/00 C23C4/02 C23C4/12

    摘要: 本申请涉及仪器设备领域,具体而言,涉及一种用于PVD腔室内的元件的处理方法、挡板和元件。处理方法包括:提供工作表面的表面粗糙度为4.2~8.2μm的元件;于工作表面上形成表面粗糙度为7.0~9.2μm的第一涂层;于第一涂层表面粗糙度为8.3~11.5μm的第二涂层。通过上述方法可以使元件的整个表层结构更加致密,后续材料源不会进入到元件的内部,方便后续对材料源的回收,同时表层结构元件结合强度高,有效降低其因使用场景的温度、湿度变化对表层结构粘附能力的影响。此外,上述的表层结构还可以提供较大的附着力,为材料源提供附着力,增加材料源的回收率,降低浪费,同时也可以增加前述元件的使用周期。

    一种电池用硅片制绒方法及由其制备的电池用硅片

    公开(公告)号:CN113808933A

    公开(公告)日:2021-12-17

    申请号:CN202111005789.6

    申请日:2021-08-30

    摘要: 本发明公开了一种电池用硅片制绒方法及由其制备的电池用硅片,涉及硅片制绒技术领域,先将硅片放入碱液和双氧水的混合液中预清洗后水洗,再将硅片放入酸液中减薄抛光后水洗,然后将硅片放入碱液和双氧水的混合液中碱处理后水洗,最后将硅片放入碱液和制绒添加剂的混合液中制绒后水洗,利用酸液对硅片进行抛光减薄,提高抛光效率;同时酸液会先附上硅片表面尖锐的地方,使得硅片表面的微米级凹坑随着时间延长逐渐趋近于平面,为后续制绒工序提供良好基础;碱处理过程中碱液先腐蚀二氧化硅,降低硅片表面的粗糙度,同时硅片在碱液下发生轻微反应,形成一层微小的绒面金字塔种子层,利于后续制绒过程中的绒面生长。