公开(公告)号：CN119179354A

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202411659313.8

申请日：2024-11-20

Applicant: 辽宁博芯科半导体材料有限公司

Inventor： 冯文丽 ,  张国峰 ,  郭党 ,  杜珂 ,  金刚

IPC: G05D23/30 ,  H01L31/18

Abstract: 本申请涉及温度控制技术领域，具体涉及一种应用于光电半导体硅片的退火温度控制方法。所述方法包括：对所述光电半导体硅片在退火过程中的温度数据进行预处理，获取温度预处理数据集；根据所述温度预处理数据集，获取温度隶属度函数；根据所述温度隶属度函数，对所述光电半导体硅片的退火温度进行模糊控制。本申请利用模糊PID控制算法能够克服调节信号非线性波动的问题，提高光电半导体硅片退火温度控制的精确度和实时性，从而提高半导体器件的性能和可靠性。

公开(公告)号：CN119179354B

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411659313.8

申请日：2024-11-20

Applicant: 辽宁博芯科半导体材料有限公司

Inventor： 冯文丽 ,  张国峰 ,  郭党 ,  杜珂 ,  金刚

IPC: G05D23/30 ,  H10F71/00

Abstract: 本申请涉及温度控制技术领域，具体涉及一种应用于光电半导体硅片的退火温度控制方法。所述方法包括：对所述光电半导体硅片在退火过程中的温度数据进行预处理，获取温度预处理数据集；根据所述温度预处理数据集，获取温度隶属度函数；根据所述温度隶属度函数，对所述光电半导体硅片的退火温度进行模糊控制。本申请利用模糊PID控制算法能够克服调节信号非线性波动的问题，提高光电半导体硅片退火温度控制的精确度和实时性，从而提高半导体器件的性能和可靠性。