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公开(公告)号：CN118759050B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411245894.0
申请日：2024-09-06
Applicant: 辽宁博芯科半导体材料有限公司
Abstract: 本申请涉及硅棒缺陷检测技术领域，具体涉及一种单晶硅棒的缺陷检测方法及系统，具体包括：根据反射回波及透射回波中波峰的高度变化，分析同一高度处反射回波和透射回波之间的联系，确定两类回波的始波及底波，以及反射回波中的缺陷波；基于各个波的积分面积及出现时间的差异构建单晶硅棒各个高度处的位错横向指数，分析位错缺陷分布的横向特征；根据单晶硅棒各高度处位错横向指数的变化趋势计算单晶硅棒的位错纵向指数，分析位错缺陷的纵向分布特征；基于位错纵向指数进行位错缺陷检测，提高了对于位错缺陷特征的识别能力，提高了对单晶硅棒的位错缺陷检测的准确性。
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公开(公告)号：CN119179354A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411659313.8
申请日：2024-11-20
Applicant: 辽宁博芯科半导体材料有限公司
Abstract: 本申请涉及温度控制技术领域，具体涉及一种应用于光电半导体硅片的退火温度控制方法。所述方法包括：对所述光电半导体硅片在退火过程中的温度数据进行预处理，获取温度预处理数据集；根据所述温度预处理数据集，获取温度隶属度函数；根据所述温度隶属度函数，对所述光电半导体硅片的退火温度进行模糊控制。本申请利用模糊PID控制算法能够克服调节信号非线性波动的问题，提高光电半导体硅片退火温度控制的精确度和实时性，从而提高半导体器件的性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN119179354B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411659313.8
申请日：2024-11-20
Applicant: 辽宁博芯科半导体材料有限公司
Abstract: 本申请涉及温度控制技术领域，具体涉及一种应用于光电半导体硅片的退火温度控制方法。所述方法包括：对所述光电半导体硅片在退火过程中的温度数据进行预处理，获取温度预处理数据集；根据所述温度预处理数据集，获取温度隶属度函数；根据所述温度隶属度函数，对所述光电半导体硅片的退火温度进行模糊控制。本申请利用模糊PID控制算法能够克服调节信号非线性波动的问题，提高光电半导体硅片退火温度控制的精确度和实时性，从而提高半导体器件的性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN118759050A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411245894.0
申请日：2024-09-06
Applicant: 辽宁博芯科半导体材料有限公司
Abstract: 本申请涉及硅棒缺陷检测技术领域，具体涉及一种单晶硅棒的缺陷检测方法及系统，具体包括：根据反射回波及透射回波中波峰的高度变化，分析同一高度处反射回波和透射回波之间的联系，确定两类回波的始波及底波，以及反射回波中的缺陷波；基于各个波的积分面积及出现时间的差异构建单晶硅棒各个高度处的位错横向指数，分析位错缺陷分布的横向特征；根据单晶硅棒各高度处位错横向指数的变化趋势计算单晶硅棒的位错纵向指数，分析位错缺陷的纵向分布特征；基于位错纵向指数进行位错缺陷检测，提高了对于位错缺陷特征的识别能力，提高了对单晶硅棒的位错缺陷检测的准确性。
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