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公开(公告)号：CN108359833A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810266443.3
申请日：2018-03-28
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
IPC: C22C5/02 , B22D11/00 , B22D11/126
Abstract: 本发明公开了一种金锡合金蒸镀材料及其规则颗粒制备方法，涉及一种制造半导体芯片的蒸镀材料，由重量百分比Au:75-85％，Sn：15-25％构成；采用了连铸+精密机加工(自动切割)工艺，制备脆性AuSn15-25合金规则颗粒的新工艺。该方法制备直径2-4毫米长度2-8毫米AuSn15-25合金规则颗粒，每粒重0.2-2克，纯度达到99.999％，杂质含量≤10ppm。该方法制备AuSn15-25合金规则颗粒，具有纯度高，颗粒性能、大小一致性好，生产效率高、成品率达到95％以上的优越性能，是制造半导体芯片关键基础材料。
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公开(公告)号：CN101831557B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201010171997.9
申请日：2010-05-14
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种既经济又有效制备具有抗自然时效软化高纯银材生产方法。更具体地说，在高纯银材熔炼过程中，通过低真空熔炼或在大气中用木碳粉和草木灰覆盖保护熔炼，浇铸在加热的石墨铸模中，重点是控制铸锭含氧量在25ppm～50ppm范围内，氧含量太低，银材产品产生自然时效软化，氧含量高了铸锭在随后热加工和热处理过程中会在表面产生气泡，影响银材质量。铸锭后续加工，采用常规热加工或冷加工加工成丝材、片材的生产方法。
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公开(公告)号：CN101510473A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910094219.1
申请日：2009-03-13
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种银、铜、铈的三元银合金，特别是涉及中、小负荷低压电器的分断触头和滑动触头合金材料。其含有成分为(重量％)3～10的Cu，0.3～0.7的Ce，余量为Ag。该材料具有优异的电接触性能，使用寿命长，可作为分断触头和滑动触头材料应用于中、小负荷低压电器中。
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公开(公告)号：CN107971652A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201711185029.1
申请日：2017-11-23
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种电真空钎料及其制备方法，该钎料化学成分的质量分数为：30～55％银，1～6％镓，0.5～3％铟，其余为铜。焊料采用真空合金化熔炼，保护气体连铸板坯、棒材+传统工艺制备钎料薄带材和丝材，用此方法制备AgCuGaIn合金钎料熔化温度范围760～810℃，产品溅散性Ⅰ级、清洁性Ⅰ-Ⅱ级，性能一致性好，生产效率和成品率高，产品可替代AgCu28合金、AgCuNi28-1合金应用于真空断路器钎焊，成本比AgCu28合金、AgCuNi28合金低10～20％以上。
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公开(公告)号：CN101914697B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201010239639.7
申请日：2010-07-29
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种银镁镍合金坯锭的制备方法：先将Ag、Mg合金元素采用真空熔铸技术制备银镁中间合金；再将Ag、Ni合金元素、银镁中间合金按银镁镍合金牌号的成分比例配料，利用配有真空下可以多级加料的真空中频感应炉，把银镁中间合金、Ni分别放入多级加料系统，通过除气、精炼、保温等精密工艺来制备银镁镍合金铸锭。有效控制Ag的含气量、镁的氧化，浇铸成型所制备的坯锭直接经过冷轧加工，制备成板、片、带材，利用电阻炉在空气中进行内氧化处理(800℃/2h)，材料表面不会产生‘起泡’。利用此法制备银镁镍合金坯锭，解决了控制少量添加组分Mg烧损不易控制及铸坯经冷轧加工成的板带材在大气中内氧化表面会‘起泡’的问题，为该材料的后续使用提供了稳定的工艺保证。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101831557A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010171997.9
申请日：2010-05-14
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种既经济又有效制备具有抗自然时效软化高纯银材生产方法。更具体地说，在高纯银材熔炼过程中，通过低真空熔炼或在大气中用木碳粉和草木灰覆盖保护熔炼，浇铸在加热的石墨铸模中，重点是控制铸锭含氧量在25ppm～50ppm范围内，氧含量太低，银材产品产生自然时效软化，氧含量高了，铸锭在随后热加工和热处理过程中会在表面产生气泡，影响银材质量。铸锭后续加工，采用常规热加工或冷加工加工成丝材、片材的生产方法。
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公开(公告)号：CN1113969C
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN99127597.7
申请日：1999-12-29
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种钯基合金电接触材料及钯基复合触点。钯基合金接触材料由金属Pd，Cu及稀土RE(RE＝La.Ce.Sm.Gd)元素中的一种组成，其成分(重量%)为：Pd 59.5～85，Cu 14～40，RE 0.05～1。钯基复合触点由本发明的钯基合金与一种铜合金基材复合而制得。该铜合金基材由金属Cu，Fe，Ag及稀土RE(RE＝La，Ce，Sm，Gd)中的一种组成，其成份(重量%)为Cu 84～98.4，Fe 0.5～5，Ag 1～10，RE 0.1～1。本发明的合金材料采用常规的熔铸加工，热处理方法制备。钯基合金可根据需要加工成丝材，带材及各种规格的纯合金触点和复合触点。
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公开(公告)号：CN108677029B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201810264365.3
申请日：2018-03-28
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种集成电路用高纯金规则颗粒制备方法，提出有别于传统熔炼、铸锭、轧制、拉丝、切粒工艺在制备过程对高纯金蒸发材料带来污染的工艺，全新制备集成电路用高纯金蒸发规则颗粒的新方法。具体工艺是，采用电解法进行一次提纯，去除4N金中大部分金属及非金属杂质，再通过化学法进行二次提纯，高纯金原料纯度大于99.999％以上，且能有效控制特定杂质元素C，N，O，S，Fe，Pb，Sb，Bi等，通过可控精密铸造直接成型生产出高纯金蒸发规则颗粒。本发明提出的产品纯度达到99.999％以上，C含量低于1ppm；产品粒径0.3‑3mm，误差±0.2mm，重量误差±0.1g，清洁性达到电子行业1级标准。
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公开(公告)号：CN107971652B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201711185029.1
申请日：2017-11-23
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种电真空钎料及其制备方法，该钎料化学成分的质量分数为：30～55％银，1～6％镓，0.5～3％铟，其余为铜。焊料采用真空合金化熔炼，保护气体连铸板坯、棒材+传统工艺制备钎料薄带材和丝材，用此方法制备AgCuGaIn合金钎料熔化温度范围760～810℃，产品溅散性Ⅰ级、清洁性Ⅰ‑Ⅱ级，性能一致性好，生产效率和成品率高，产品可替代AgCu28合金、AgCuNi28‑1合金应用于真空断路器钎焊，成本比AgCu28合金、AgCuNi28合金低10～20％以上。
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公开(公告)号：CN108359833B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201810266443.3
申请日：2018-03-28
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
IPC: C22C5/02 , B22D11/00 , B22D11/126
Abstract: 本发明公开了一种金锡合金蒸镀材料及其规则颗粒制备方法，涉及一种制造半导体芯片的蒸镀材料，由重量百分比Au:75‑85％，Sn：15‑25％构成；采用了连铸+精密机加工(自动切割)工艺，制备脆性AuSn15‑25合金规则颗粒的新工艺。该方法制备直径2‑4毫米长度2‑8毫米AuSn15‑25合金规则颗粒，每粒重0.2‑2克，纯度达到99.999％，杂质含量≤10ppm。该方法制备AuSn15‑25合金规则颗粒，具有纯度高，颗粒性能、大小一致性好，生产效率高、成品率达到95％以上的优越性能，是制造半导体芯片关键基础材料。
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