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公开(公告)号：CN110438364A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910822075.0
申请日：2019-09-02
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了钯钒精密高阻合金及其制备方法，该合金的化学成分质量百分比为28～32V，1～4M(M＝Cr、Al中至少一种)、0～2Ru，余量为Pd。采用高频感应熔炼制备铸锭，经过均匀化热处理、高温锻造、轧制、粗丝拉拔、中间退火、细丝拉拔、短程有序转变热处理，制备出直径大于Φ0.03mm的丝材。该合金具有较高的电阻率和抗拉强度、较低的电阻温度系数，是综合性能优良的精密高阻合金材料，在高阻或小型精密线绕电位器和电阻器领域具有广泛地应用前景。
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公开(公告)号：CN110453105B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201910822074.6
申请日：2019-09-02
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钯钼精密电阻合金及其制备方法，该合金的化学成分质量百分比为30～40Mo，0.5～6M(Zr、Cr、Y中至少一种)，余量为Pd。采用高频感应熔炼制备铸锭，经过高温锻造、短程有序转变热处理等工序制备成品，该合金具有高的电阻率和抗拉强度、低的电阻温度系数，高的抗氧化性和耐磨性，是综合性能优良的精密电阻合金材料，在电子计算技术、航天和航空等尖端技术领域具有广泛地应用前景。
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公开(公告)号：CN110438364B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201910822075.0
申请日：2019-09-02
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了钯钒精密高阻合金及其制备方法，该合金的化学成分质量百分比为28～32V，1～4M(M＝Cr、Al中至少一种)、0～2Ru，余量为Pd。采用高频感应熔炼制备铸锭，经过均匀化热处理、高温锻造、轧制、粗丝拉拔、中间退火、细丝拉拔、短程有序转变热处理，制备出直径大于Φ0.03mm的丝材。该合金具有较高的电阻率和抗拉强度、较低的电阻温度系数，是综合性能优良的精密高阻合金材料，在高阻或小型精密线绕电位器和电阻器领域具有广泛地应用前景。
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公开(公告)号：CN111394606B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202010371170.6
申请日：2020-05-06
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种金基高阻合金、合金材料及其制备方法，其中金基高阻合金组元主要包含贵金属，是一种Au‑Pd‑Fe系合金，其主要元素及质量百分比为：钯：30％～35％，铁：5％～8％，铱：0.5％～2％,其余为金。本发明将通过优化各组元配比，改良加工工艺，使本成分的金钯铁系合金出现K状态，使合金具有高的电阻率，良好的可加工性。该新型合金是上述原料经过熔炼、浇铸、均匀化、热处理等方式形成。可以提高金钯铁系合金电阻的同时并改善其加工性能，其最高性能达到：硬度HV≥230Hv；抗拉强度≥900MPa，电阻率≥160μΩ·㎝。本发明Au‑Pd‑Fe系合金可以用作高电阻率的电阻材料。
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公开(公告)号：CN111394606A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010371170.6
申请日：2020-05-06
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种金基高阻合金、合金材料及其制备方法，其中金基高阻合金组元主要包含贵金属，是一种Au-Pd-Fe系合金，其主要元素及质量百分比为：钯：30％～35％，铁：5％～8％，铱：0.5％～2％,其余为金。本发明将通过优化各组元配比，改良加工工艺，使本成分的金钯铁系合金出现K状态，使合金具有高的电阻率，良好的可加工性。该新型合金是上述原料经过熔炼、浇铸、均匀化、热处理等方式形成。可以提高金钯铁系合金电阻的同时并改善其加工性能，其最高性能达到：硬度HV≥230Hv；抗拉强度≥900MPa，电阻率≥160μΩ·㎝。本发明Au-Pd-Fe系合金可以用作高电阻率的电阻材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108677029B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201810264365.3
申请日：2018-03-28
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种集成电路用高纯金规则颗粒制备方法，提出有别于传统熔炼、铸锭、轧制、拉丝、切粒工艺在制备过程对高纯金蒸发材料带来污染的工艺，全新制备集成电路用高纯金蒸发规则颗粒的新方法。具体工艺是，采用电解法进行一次提纯，去除4N金中大部分金属及非金属杂质，再通过化学法进行二次提纯，高纯金原料纯度大于99.999％以上，且能有效控制特定杂质元素C，N，O，S，Fe，Pb，Sb，Bi等，通过可控精密铸造直接成型生产出高纯金蒸发规则颗粒。本发明提出的产品纯度达到99.999％以上，C含量低于1ppm；产品粒径0.3‑3mm，误差±0.2mm，重量误差±0.1g，清洁性达到电子行业1级标准。
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公开(公告)号：CN107971652B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201711185029.1
申请日：2017-11-23
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种电真空钎料及其制备方法，该钎料化学成分的质量分数为：30～55％银，1～6％镓，0.5～3％铟，其余为铜。焊料采用真空合金化熔炼，保护气体连铸板坯、棒材+传统工艺制备钎料薄带材和丝材，用此方法制备AgCuGaIn合金钎料熔化温度范围760～810℃，产品溅散性Ⅰ级、清洁性Ⅰ‑Ⅱ级，性能一致性好，生产效率和成品率高，产品可替代AgCu28合金、AgCuNi28‑1合金应用于真空断路器钎焊，成本比AgCu28合金、AgCuNi28合金低10～20％以上。
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公开(公告)号：CN108359833B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201810266443.3
申请日：2018-03-28
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
IPC: C22C5/02 , B22D11/00 , B22D11/126
Abstract: 本发明公开了一种金锡合金蒸镀材料及其规则颗粒制备方法，涉及一种制造半导体芯片的蒸镀材料，由重量百分比Au:75‑85％，Sn：15‑25％构成；采用了连铸+精密机加工(自动切割)工艺，制备脆性AuSn15‑25合金规则颗粒的新工艺。该方法制备直径2‑4毫米长度2‑8毫米AuSn15‑25合金规则颗粒，每粒重0.2‑2克，纯度达到99.999％，杂质含量≤10ppm。该方法制备AuSn15‑25合金规则颗粒，具有纯度高，颗粒性能、大小一致性好，生产效率高、成品率达到95％以上的优越性能，是制造半导体芯片关键基础材料。
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公开(公告)号：CN110453105A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910822074.6
申请日：2019-09-02
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钯钼精密电阻合金及其制备方法，该合金的化学成分质量百分比为30～40Mo，0.5～6M(Zr、Cr、Y中至少一种)，余量为Pd。采用高频感应熔炼制备铸锭，经过高温锻造、短程有序转变热处理等工序制备成品，该合金具有高的电阻率和抗拉强度、低的电阻温度系数，高的抗氧化性和耐磨性，是综合性能优良的精密电阻合金材料，在电子计算技术、航天和航空等尖端技术领域具有广泛地应用前景。
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公开(公告)号：CN108677029A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810264365.3
申请日：2018-03-28
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种集成电路用高纯金规则颗粒制备方法，提出有别于传统熔炼、铸锭、轧制、拉丝、切粒工艺在制备过程对高纯金蒸发材料带来污染的工艺，全新制备集成电路用高纯金蒸发规则颗粒的新方法。具体工艺是，采用电解法进行一次提纯，去除4N金中大部分金属及非金属杂质，再通过化学法进行二次提纯，高纯金原料纯度大于99.999％以上，且能有效控制特定杂质元素C，N，O，S，Fe，Pb，Sb，Bi等，通过可控精密铸造直接成型生产出高纯金蒸发规则颗粒。本发明提出的产品纯度达到99.999％以上，C含量低于1ppm；产品粒径0.3‑3mm，误差±0.2mm，重量误差±0.1g，清洁性达到电子行业1级标准。
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