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公开(公告)号：CN112701130B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202010150316.4
申请日：2020-03-06
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H10F39/18 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L23/488 , H01L23/485 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开一种图像传感器封装件及其制造方法。图像传感器封装件包括重配置线路结构；图像传感器芯片，配置于重配置线路结构上且具有传感面，其中传感面上配置有传感区以及第一导电柱，第一导电柱配置在传感区旁的周围区域；盖体，覆盖传感区；包封体，配置于重配置线路结构上且包封图像传感器芯片与盖体的至少部分；及上部半导体芯片，配置于图像传感器芯片上方且上部半导体芯片的主动面上配置有第一导体，其中第一导体在与传感面垂直的方向上与图像传感器芯片交叠，其中第一导电柱与第一导体彼此对准并接合以电连接图像传感器芯片与上部半导体芯片。
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公开(公告)号：CN110856795B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201811193549.1
申请日：2018-10-12
Applicant: 财团法人工业技术研究院
Abstract: 一种分离装置，适于分离出流体中的第一成分。分离装置包括两个膜盒、多个膜层及流向调整结构。两膜盒叠置于彼此且于两膜盒之间形成入气口。各膜盒包括流道形成结构以及外框部。流道形成结构包括多个流道，其中这些流道部分地暴露于膜盒的相对两表面。外框部位于流道形成结构的外围，且包括抽气口，其中抽气口连通于这些流道。这些膜层配置在两膜盒的这些表面的暴露出这些流道的部位上。流向调整结构配置于两膜盒之间。
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公开(公告)号：CN111380937A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201911370542.7
申请日：2019-12-26
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: G01N27/416
Abstract: 一种气体感测装置包括壳体、盖体以及气体感测模块。壳体具有容置空间。盖体设置于壳体上。盖体具有顶面、底面和气体通道。底面面向容置空间。气体通道与容置空间相连通。气体通道具有第一开口与第二开口。第一开口位于顶面。第二开口位于底面。第一开口的面积大于第二开口的面积。一种气体感测系统包括二个前述气体感测装置，且其中一个气体感测装置设置有过滤模块。
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公开(公告)号：CN114684894B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202110237207.0
申请日：2021-03-03
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: C02F1/469
Abstract: 本揭露提供一种废水处理系统与方法。所述废水处理系统包括废水室、正极室、负极室、酸液室、碱液室以及缓冲室。废水室接收含有第一离子的废水。正极室与负极室分别设置于废水室的相对两侧。酸液室设置于废水室与正极室之间。碱液室设置于废水室与负极室之间。缓冲室设置于酸液室与碱液室中的一个与废水室之间，接收含有第一离子的缓冲溶液。废水室与缓冲室之间的界面为第一离子交换膜，酸液室与碱液室中的所述一个与第一缓冲室之间的界面为第二离子交换膜，且第一离子交换膜与第二离子交换膜具有相同的电性。
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公开(公告)号：CN112652605A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011068698.2
申请日：2020-09-29
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L23/498 , H01L23/538 , H01L27/146 , H01L21/48 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开一种多芯片封装件及其制造方法。多芯片封装件包括重配置线路结构；第一半导体芯片，配置在所述重配置线路结构上且具有第一主动面，所述第一主动面上配置有第一导电柱；第二半导体芯片，配置在所述第一半导体芯片上方且具有第二主动面，所述第二主动面上配置有第一导体；以及第一包封体，配置于所述重配置线路结构上且至少包封所述第一半导体芯片，其中所述第一导电柱与所述第一导体彼此对准并接合以电连接所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110880529A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201910835907.2
申请日：2019-09-05
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/24 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开一种半导体元件及其制造方法，其中该半导体元件包含基板、通道层、第一电极层、第二电极层及栅极结构。基板有第一氧化镓层。通道层设置在该基板上，其中该通道层是第二氧化镓层。第一电极层与第二电极层设置在该通道层上。栅极结构设置在该通道层上且位于该第一电极层与该第二电极层之间。该栅极结构是在该通道层上，或是该栅极结构的底部延伸进入到该通道层中。
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公开(公告)号：CN110856795A
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201811193549.1
申请日：2018-10-12
Applicant: 财团法人工业技术研究院
Abstract: 一种分离装置，适于分离出流体中的第一成分。分离装置包括两个膜盒、多个膜层及流向调整结构。两膜盒叠置于彼此且于两膜盒之间形成入气口。各膜盒包括流道形成结构以及外框部。流道形成结构包括多个流道，其中这些流道部分地暴露于膜盒的相对两表面。外框部位于流道形成结构的外围，且包括抽气口，其中抽气口连通于这些流道。这些膜层配置在两膜盒的这些表面的暴露出这些流道的部位上。流向调整结构配置于两膜盒之间。
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公开(公告)号：CN114684894A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202110237207.0
申请日：2021-03-03
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: C02F1/469
Abstract: 本揭露提供一种废水处理系统与方法。所述废水处理系统包括废水室、正极室、负极室、酸液室、碱液室以及缓冲室。废水室接收含有第一离子的废水。正极室与负极室分别设置于废水室的相对两侧。酸液室设置于废水室与正极室之间。碱液室设置于废水室与负极室之间。缓冲室设置于酸液室与碱液室中的一个与废水室之间，接收含有第一离子的缓冲溶液。废水室与缓冲室之间的界面为第一离子交换膜，酸液室与碱液室中的所述一个与第一缓冲室之间的界面为第二离子交换膜，且第一离子交换膜与第二离子交换膜具有相同的电性。
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公开(公告)号：CN113571496A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110417910.X
申请日：2021-04-19
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L23/538 , H01L25/065 , H01L25/18 , H01L23/31 , H01L21/98
Abstract: 本发明公开一种多芯片封装件及其制造方法。多芯片封装件包括：中介层，包括介电主体、被所述介电主体隔开的多个半导体主体、贯穿所述介电主体的贯穿通路以及位于所述多个半导体主体中的每一者中的布线结构；多个半导体芯片，并排地位于所述中介层的第一表面上且电连接至所述布线结构；包封体，位于所述中介层的所述第一表面上且包封所述多个半导体芯片的至少部分；以及重配置线路结构，位于所述中介层的第二表面上，所述中介层的所述第二表面与所述中介层的所述第一表面相对，所述重配置线路结构通过所述贯穿通路电连接至所述多个半导体芯片。
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公开(公告)号：CN112652605B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202011068698.2
申请日：2020-09-29
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L23/498 , H01L23/538 , H01L27/146 , H01L21/48 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开一种多芯片封装件及其制造方法。多芯片封装件包括重配置线路结构；第一半导体芯片，配置在所述重配置线路结构上且具有第一主动面，所述第一主动面上配置有第一导电柱；第二半导体芯片，配置在所述第一半导体芯片上方且具有第二主动面，所述第二主动面上配置有第一导体；以及第一包封体，配置于所述重配置线路结构上且至少包封所述第一半导体芯片，其中所述第一导电柱与所述第一导体彼此对准并接合以电连接所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片。
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