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公开(公告)号：CN88101565A
公开(公告)日：1988-10-05
申请号：CN88101565
申请日：1988-03-23
Applicant: 财团法人半导体研究振兴会 , 东北电力株式会社通研电气工业株式会社
IPC: H02M7/00
CPC classification number: H02M1/38 , H02M7/5387
Abstract: 本发明涉及基本PWM信号而开关多个桥式连接半导体开关元件(11-14)的PWM电源转换器。作为半导体开关元件(11-14)，可组合采用具有低导通电压和小导通损耗的元件与具有小开关损耗和可进行高速开关的元件，从而改善电压转换效率。
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公开(公告)号：CN1044172C
公开(公告)日：1999-07-14
申请号：CN92112889.4
申请日：1992-11-09
Applicant: 财团法人半导体研究振兴会
CPC classification number: H01L29/7392
Abstract: 在MOS混成S1闸流管中，以级联关系联在S1闸流管单元上的S1闸流管单元、MOS晶体管和稳压元件被合并集成在单一芯片上。S1闸流管单元具有高杂质浓度第一导电类型的阴极区、高杂质浓度第二导电类型的栅极区和低杂质浓度第一导电型的沟道区。MOS管具有与阴极区相同的漏极区，一在沟道区附近形成的第二导电型的阱或基极以及高杂质浓度第一导电型的源极区。在阱或基极上形成源极区。稳压元件含第二导电型的第一半导体区和第一导电型的第二半导体区，二者都具高杂质浓度。
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公开(公告)号：CN1075030A
公开(公告)日：1993-08-04
申请号：CN92112889.4
申请日：1992-11-09
Applicant: 财团法人半导体研究振兴会
CPC classification number: H01L29/7392
Abstract: 在MOS混成S1闸流管中，以级联关系联在S1闸流管单元上的S1闸流管单元、MOS晶体管和稳压元件被合并集成在单一芯片上。S1闸流管单元具有高杂质浓度第一导电类型的阴极区、高杂质浓度第二导电类型的栅极区和低杂质浓度第一导电型的沟道区。MOS管具有与阴极区相同的漏极区，一在沟道区附近形成的第二导电型的井或基极以及高杂质浓度第一导电型的源极区。在井或基极上形成源极区。稳压元件含第二导电型的第一半导体区和第一导电型的第二半导体区，二者都具高杂质浓度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1144402A
公开(公告)日：1997-03-05
申请号：CN96110070.2
申请日：1996-05-22
Applicant: 财团法人半导体研究振兴会
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66416 , H01L29/0619 , H01L29/41741 , H01L29/42316 , H01L29/7722
Abstract: 一种击穿电压高的凹型静态晶体管，包括：设置在n+型漏区的n型沟道区，在沟道槽中的p+型伸长栅区，在沟道区形成的和栅区平行的n+型伸长区，其中每一个设置在栅区之间，在沟道区中的围绕栅区的p+型保护环区。伸长栅区在两边与保护环区耦连，最外部的伸长栅区在纵向与保护环区分别耦连，以增加器件的击穿电压。栅和源接触点仅在保护环区彼此相对设置，以减少栅漏区之间和栅源区之间的寄生电容。
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公开(公告)号：CN1054703C
公开(公告)日：2000-07-19
申请号：CN93103674.7
申请日：1993-03-04
Applicant: 财团法人半导体研究振兴会
Inventor： 西泽润一
CPC classification number: H01L27/0817 , H01L29/7392
Abstract: 一种静电感应器件(SI器件)至少包括一个SI晶闸管结构，一个IGT和一个电容器，它们均合装在单个单片上。该SI晶闸管具有一个阴极、一个阳极、一个栅区和一个沟道。该IGT具有一个位于沟道表面的阱、一个源极和一个漏极位于阱内，一个栅极绝缘膜形成在阱上，并有一个栅电极位于栅绝缘膜上。电容器包括SI晶闸管的栅区、位于此栅区的栅绝缘膜和栅极。该阴极和漏区通过一高导电极相互连接。
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公开(公告)号：CN1019440B
公开(公告)日：1992-12-09
申请号：CN88101565
申请日：1988-03-23
Applicant: 财团法人半导体研究振兴会 , 东北电力株式会社 , 通研电气工业株式会社
IPC: H02M7/00
CPC classification number: H02M1/38 , H02M7/5387
Abstract: 本发明涉及基于PWM信号而开关多个桥式连接半导体开关元件(11-14)的PWM电源转换器。作方半导体开关元件(11-14)，可组合采用具有低导通电压和小导通损耗的元件与具有小开关损耗和可进行高速开关的元件，从而改善电压转换效率。
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公开(公告)号：CN1087504C
公开(公告)日：2002-07-10
申请号：CN96110070.2
申请日：1996-05-22
Applicant: 财团法人半导体研究振兴会
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66416 , H01L29/0619 , H01L29/41741 , H01L29/42316 , H01L29/7722
Abstract: 一种击穿电压高的凹型静态晶体管，包括：设置在n+型漏区的n型沟道区，在沟道槽中的P+型伸长栅区，在沟道区形成的和栅区平行的n+型伸长区，其中每一个设置在栅区之间，在沟道区中的围绕栅区的P+型保护环区。伸长栅区在两边与保护环区耦连，最外部的伸长栅区在纵向与保护环区分别耦连，以增加器件的击穿电压。栅和源接触点仅在保护环区彼此相对设置，以减少栅漏区之间和栅源区之间的寄生电容。
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公开(公告)号：CN1081536A
公开(公告)日：1994-02-02
申请号：CN93103674.7
申请日：1993-03-04
Applicant: 财团法人半导体研究振兴会
Inventor： 西泽润一
CPC classification number: H01L27/0817 , H01L29/7392
Abstract: 一种静态感应装置(SI装置)至少包括一个SI晶闸管结构，一个IGT和一个电容器，它们均合装在一单个单片上。该SI晶闸管具有一个阴极，一个阳极和一个栅区，一个沟道。该IGT具有一个位于沟道表面的阱，一个源极和一个漏极位于阱内，一个栅极绝缘膜形成在阱上，并且一个栅电极位于栅绝缘膜上。电容器包括SI晶闸管的栅区，位于此栅区的栅绝缘膜和栅极。该阴极和漏区通过一高导电极相互连接。
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