公开(公告)号：CN1044172C

公开(公告)日：1999-07-14

申请号：CN92112889.4

申请日：1992-11-09

Applicant: 财团法人半导体研究振兴会

Inventor： 西泽润一 ,  铃木壮兵卫

IPC: H01L29/74 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L29/7392

Abstract: 在MOS混成S1闸流管中，以级联关系联在S1闸流管单元上的S1闸流管单元、MOS晶体管和稳压元件被合并集成在单一芯片上。S1闸流管单元具有高杂质浓度第一导电类型的阴极区、高杂质浓度第二导电类型的栅极区和低杂质浓度第一导电型的沟道区。MOS管具有与阴极区相同的漏极区，一在沟道区附近形成的第二导电型的阱或基极以及高杂质浓度第一导电型的源极区。在阱或基极上形成源极区。稳压元件含第二导电型的第一半导体区和第一导电型的第二半导体区，二者都具高杂质浓度。

公开(公告)号：CN1075030A

公开(公告)日：1993-08-04

申请号：CN92112889.4

申请日：1992-11-09

Applicant: 财团法人半导体研究振兴会

Inventor： 西泽润一 ,  铃木壮兵卫

IPC: H01L29/74 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L29/7392

Abstract: 在MOS混成S1闸流管中，以级联关系联在S1闸流管单元上的S1闸流管单元、MOS晶体管和稳压元件被合并集成在单一芯片上。S1闸流管单元具有高杂质浓度第一导电类型的阴极区、高杂质浓度第二导电类型的栅极区和低杂质浓度第一导电型的沟道区。MOS管具有与阴极区相同的漏极区，一在沟道区附近形成的第二导电型的井或基极以及高杂质浓度第一导电型的源极区。在井或基极上形成源极区。稳压元件含第二导电型的第一半导体区和第一导电型的第二半导体区，二者都具高杂质浓度。