公开(公告)号：CN1144402A

公开(公告)日：1997-03-05

申请号：CN96110070.2

申请日：1996-05-22

Applicant: 财团法人半导体研究振兴会

Inventor： 西泽润一 ,  本谷薰 ,  伊藤彰

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66416 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7722

Abstract: 一种击穿电压高的凹型静态晶体管，包括：设置在n+型漏区的n型沟道区，在沟道槽中的p+型伸长栅区，在沟道区形成的和栅区平行的n+型伸长区，其中每一个设置在栅区之间，在沟道区中的围绕栅区的p+型保护环区。伸长栅区在两边与保护环区耦连，最外部的伸长栅区在纵向与保护环区分别耦连，以增加器件的击穿电压。栅和源接触点仅在保护环区彼此相对设置，以减少栅漏区之间和栅源区之间的寄生电容。

公开(公告)号：CN1087504C

公开(公告)日：2002-07-10

申请号：CN96110070.2

申请日：1996-05-22

Applicant: 财团法人半导体研究振兴会

Inventor： 西泽润一 ,  本谷薰 ,  伊藤彰

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66416 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7722

Abstract: 一种击穿电压高的凹型静态晶体管，包括：设置在n+型漏区的n型沟道区，在沟道槽中的P+型伸长栅区，在沟道区形成的和栅区平行的n+型伸长区，其中每一个设置在栅区之间，在沟道区中的围绕栅区的P+型保护环区。伸长栅区在两边与保护环区耦连，最外部的伸长栅区在纵向与保护环区分别耦连，以增加器件的击穿电压。栅和源接触点仅在保护环区彼此相对设置，以减少栅漏区之间和栅源区之间的寄生电容。