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公开(公告)号：CN118739227A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411223307.8
申请日：2024-09-03
申请人： 西安龙飞电气技术有限公司
摘要： 本发明提供了一种基于PMOS管的闭环控制浪涌抑制电路，涉及电子技术领域，该电路跨接在电源和负载之间，通过调节电阻阻值改变浪涌电压的防护阈值，当电源中浪涌电压超过浪涌电压的防护阈值，则通过PMOS管的闭环控制改变输出电压，从而调整基于PMOS管的闭环控制浪涌抑制电路的工作状态，以抑制浪涌电压。本发明利用较低成本且容易获取的分立器件设计闭环反馈，以单个或者多个并联的PMOS管为核心，通过调节参考电压可以精确设定浪涌电压的防护阈值，对高于防护阈值的电压进行钳位，使负载上的电压不高于防护阈值以保护负载，而当电源中浪涌电压不存在时，本发明不影响电源的输出特性。
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公开(公告)号：CN115911095A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211536370.8
申请日：2022-12-02
申请人： 西安龙飞电气技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种具有沟槽结构的SiC MPS二极管及其制作方法，包括n+‑SiC衬底，在衬底上为轻掺杂n‑SiC漂移区，在n‑SiC漂移区上表面干法刻蚀形成较深的倒锥型沟槽区，并在沟槽内部外延生长形成p+‑SiC，上表面覆盖阳极金属，衬底下表面覆盖阴极电极。本发明的主要目的是干法刻蚀形成深沟槽，降低槽底部的PN结势垒，从而减小大电流水平下的开启电压，降低双极正向压降；同时沟槽型结构增大了有效通流面积，因此可减小通态电阻，改善SiC MPS二极管的抗浪涌能力。
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公开(公告)号：CN115831754A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211620917.2
申请日：2022-12-16
申请人： 西安龙飞电气技术有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
摘要： 本发明公开了一种兼容BCD深槽隔离制造工艺的垂直双扩散晶体管及其制造方法。具体为本发明提供了一种BCD工艺中利用深槽隔离将高压VDMOS与低压CMOS隔离的解决办法，隔离槽与VDMOS漏极电位引出槽通过负载效应一次性刻蚀生成两种不同深度的槽，隔离槽CD为漏极电位引出槽CD的1.5~2倍；同时本发明还提供了一种槽底氧化层刻蚀后填充外延工艺，槽底刻蚀掉氧化层然后填充外延后作为VDMOS漏极引出的结构。本发明使用深槽刻蚀工艺和槽底氧化层刻蚀技术以及槽底外延填充技术相互结合，将VDMOS的漏极引入器件的正面，避免了版图面积的浪费，不会对光刻套刻蚀精度产生影响。
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公开(公告)号：CN115411012A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211169402.5
申请日：2022-09-26
申请人： 西安龙飞电气技术有限公司
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/367 , H01L23/373
摘要： 本发明公开了一种可提高SiC MOSFET塑封器件短路耐量的引线框架结构，包括第一框架本体、第二框架本体、第三框架本体，以及设置在第一框架本体SiC MOSFET芯片两侧的铜层凸起。采用本发明引线框架结构在进行SiC MOSFET器件封装时，在SiC MOSFET芯片两侧的铜层凸起有利于快速吸收短时间内芯片热量，增大了SiC MOSFET芯片与散热器间的热容,从而有效提高SiC MOSFET器件短路电流能力。在第一框架本体焊接芯片部分采用正常框架铜厚尺寸，保证器件正常工作时良好的热阻特性。
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公开(公告)号：CN113467320A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110822583.6
申请日：2021-07-21
申请人： 西安龙飞电气技术有限公司
IPC分类号： G05B19/042
摘要： 本发明涉及基于增益补偿的微弱信号检测算法，所述检测算法为：在放大微弱信号电路中的差分放大器输入端各增加一个跟随器起到阻抗匹配的作用，然后将经过差分放大后的微弱信号送入单片机进行增益补偿；所述算法中，从放大器中提取出信号送入单片机，对信号进行傅里叶分解，对全波形中的离散点进行增益补偿。本发明涉及的方法在差分放大器的输入端各加了一个跟随器，利用它的输入高阻抗、输出低阻抗的特性，使得它在电路中可以起到阻抗匹配的作用；从放大器中提取出信号送入单片机，采用离散谐振点增益补偿的方式，不是补偿全波形，而是着重关心干扰点增益补偿，从而抵消放大器带宽的影响。
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公开(公告)号：CN118693160A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202411178430.2
申请日：2024-08-27
申请人： 西安龙飞电气技术有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种具有栅氧保护结构的碳化硅MOSFET器件及制备方法，器件包括：漏极和源极金属、N+型碳化硅衬底、N‑型第一碳化硅外延层、N‑型第二碳化硅外延层、层间绝缘介质、P型和N型第一掺杂区、N+型第一源区、P型体区、N+型第二源区；源极沟槽贯穿N‑型第二碳化硅外延层直至N‑型第一碳化硅外延层，外侧为P+型源区，内部及层间绝缘介质上有源极金属；栅极沟槽内有栅氧化层，还有多晶硅作为栅极，栅氧化层与N+型第二源区和N+型第一源区接触；N+型第一源区和P+型源区重叠并接触源极金属；P型体区和N+型第二源区部分上表面接触源极金属，P型体区一侧接触P+型源区。本发明可解决栅氧化层电场过高问题。
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公开(公告)号：CN114184091A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202110376750.9
申请日：2021-04-08
申请人： 西安龙飞电气技术有限公司
摘要： 本发明涉及空空导弹导引头的红外雷达双模数字处理方法，在空空导弹挂飞训练弹的交联控制舱内集成模拟雷达信号发生器模块和模拟红外信号发生器模块，分别模拟半主动雷达制导训练弹导引头功能和红外被动寻的制导训练弹导引头功能；交联控制舱的主处理器接收来自载机机载红外系统、机载雷达系统捕获的目标位置坐标，速度信号，进行弹型判断，调用模拟雷达信号发生器模块或模拟红外信号发生器模块，处理产生相关指令并下达，传输给各模块部件并通过信号输出模块将信号返回给载机。通过数字方式实现红外、雷达两种空空导弹导引头功能，模拟导弹发射过程，解决现有空空导弹训练弹成本高、可靠性低、通用性差等问题。
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公开(公告)号：CN113533818A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110817096.0
申请日：2021-07-20
申请人： 西安龙飞电气技术有限公司
IPC分类号： G01R17/00
摘要： 本发明涉及一种基于有源减振网络的动态不平衡桥检测电路，所述电路包括电阻R3、电阻R4、电阻R9、电阻R8和mos管Q5；电阻R3、电阻R4、电阻R9、电阻R8依序连接形成回路，电阻R9与mos管Q5并联；电阻R4上并联有多个电容与开关管的串联组合。本发明涉及的检测电路中涉及了有源减振网络，即电容与开关管mos的多个并联的组合，同时在开关频率发生变化的时候对各个波形的衰减进行采样检测，最后得到一个稳定的波形，可以实现减振的效果；根据电容和开关管的排列方式的不同，通过多种匹配，可以匹配出尖峰最小的情况。
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公开(公告)号：CN118693160B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202411178430.2
申请日：2024-08-27
申请人： 西安龙飞电气技术有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种具有栅氧保护结构的碳化硅MOSFET器件及制备方法，器件包括：漏极和源极金属、N+型碳化硅衬底、N‑型第一碳化硅外延层、N‑型第二碳化硅外延层、层间绝缘介质、P型和N型第一掺杂区、N+型第一源区、P型体区、N+型第二源区；源极沟槽贯穿N‑型第二碳化硅外延层直至N‑型第一碳化硅外延层，外侧为P+型源区，内部及层间绝缘介质上有源极金属；栅极沟槽内有栅氧化层，还有多晶硅作为栅极，栅氧化层与N+型第二源区和N+型第一源区接触；N+型第一源区和P+型源区重叠并接触源极金属；P型体区和N+型第二源区部分上表面接触源极金属，P型体区一侧接触P+型源区。本发明可解决栅氧化层电场过高问题。
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公开(公告)号：CN114184091B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202110376750.9
申请日：2021-04-08
申请人： 西安龙飞电气技术有限公司
摘要： 本发明涉及空空导弹导引头的红外雷达双模数字处理方法，在空空导弹挂飞训练弹的交联控制舱内集成模拟雷达信号发生器模块和模拟红外信号发生器模块，分别模拟半主动雷达制导训练弹导引头功能和红外被动寻的制导训练弹导引头功能；交联控制舱的主处理器接收来自载机机载红外系统、机载雷达系统捕获的目标位置坐标，速度信号，进行弹型判断，调用模拟雷达信号发生器模块或模拟红外信号发生器模块，处理产生相关指令并下达，传输给各模块部件并通过信号输出模块将信号返回给载机。通过数字方式实现红外、雷达两种空空导弹导引头功能，模拟导弹发射过程，解决现有空空导弹训练弹成本高、可靠性低、通用性差等问题。
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