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发明公开
提高塑封SiC MOSFET器件短路耐量的引线框架结构审中-实审

公开(公告)号：CN115411012A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202211169402.5

申请日：2022-09-26

申请人： 西安龙飞电气技术有限公司

发明人： 曹琳 , 许江波 , 赵佳佳 , 张锴

IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/367 , H01L23/373

摘要： 本发明公开了一种可提高SiC MOSFET塑封器件短路耐量的引线框架结构，包括第一框架本体、第二框架本体、第三框架本体，以及设置在第一框架本体SiC MOSFET芯片两侧的铜层凸起。采用本发明引线框架结构在进行SiC MOSFET器件封装时，在SiC MOSFET芯片两侧的铜层凸起有利于快速吸收短时间内芯片热量，增大了SiC MOSFET芯片与散热器间的热容,从而有效提高SiC MOSFET器件短路电流能力。在第一框架本体焊接芯片部分采用正常框架铜厚尺寸，保证器件正常工作时良好的热阻特性。