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公开(公告)号：CN117522218A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311570646.9
申请日：2023-11-23
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: G06Q10/0639 , G06Q10/0635 , G06F16/248 , G06F16/242 , G06Q50/04
Abstract: 本发明公开了资源不可靠与事件不能观的自动制造系统稳健性分析方法，首先考虑自动制造系统的不可靠资源，再将不可靠资源故障形式化为不可靠资源库所的所有前置变迁（表示为不可靠变迁），通过自主开发的软件PNA得到相应Petri网的可达图，删除不可靠变迁得到简化可达图，对具有不可靠资源的AMS进行稳健性分析，得到对应Petri网的强稳健标记集，弱稳健标记集以及非稳健标记集，然后在简化可达图的基础上考虑不能观变迁，通过考虑有些变迁是不能观的，得到具有不能观的简化可达图，最后在不能观的简化可达图的基础上进行稳健性分析，得到相应的强稳健标记集，弱稳健标记集以及非稳健标记集。
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公开(公告)号：CN117904789A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410067908.8
申请日：2024-01-17
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院
Abstract: 本发明涉及纤维膜制造技术领域，本发明公开了一种具有日间被动辐射制冷功能的纤维膜制造技术，包括S1、制备混合纺丝液；S11、向四氢呋喃溶液中添加溶质，得到质量分数为设定数值的混合溶液；S12、将混合溶液加入容器中，设定温度下混合设定时间，得到混合纺丝液；S2、根据制备的混合纺丝液，通过纺丝工艺制备纤维膜；S3、通过图像处理，进行图案化制造；通过减弱传统制冷系统的负担进一步防止能量的流失，同时对传统制造工艺的制备条件苛刻、纤维直径单一、生产速度慢、操作技术高进行改进；并通过掩模法制作了可用于人生物信号检测的电极，实现对电子皮肤的热暴露能力提高。
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公开(公告)号：CN117224836A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311028669.7
申请日：2023-08-16
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 , 西安电子科技大学
Inventor： 王备 , 江山 , 克劳斯·安德斯·尤特 , 周赟磊 , 保宏
Abstract: 本发明提供了一种人工耳蜗的植入电极结构制备方法、植入电极结构及设备。本发明提供的人工耳蜗的植入电极结构制备方法，包括：在移植玻璃表面上涂覆水溶性牺牲材料，在水溶性牺牲材料上喷涂硅基粘胶，在硅基粘胶上放置预设电极；在溶性牺牲材料上添加硅胶，使硅胶将预设电极完全覆盖，形成硅胶层，在硅胶层远离移植玻璃的一面上放置第二掩膜层；烧蚀过孔并切割掩膜图案，形成沉积孔和沉积槽，沉积可拉伸导体；移除第二掩膜层，重新添加硅胶，重新添加的硅胶与硅胶层形成封装结构，对封装结构进行切割并溶解水溶性牺牲材料，得到植入电极结构。本发明的方法，引入可拉伸导体降低了植入电极的刚度，同时可以降低植入电极的制造成本。
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公开(公告)号：CN116903919A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310924946.6
申请日：2023-07-26
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院
Abstract: 本发明公开了一种纤维素基辐射制冷气凝胶材料及其制备方法，包括以下步骤：(1)脱除天然纤维素原料中的木质素，得到纤维素纤维；(2)采用漂白溶液对纤维素纤维进行处理，调控纤维素纤维的尺寸为1.8～12μm；(3)将步骤(2)处理后的纤维素纤维分散到水中，再加入交联剂、催化剂进行反应，反应结束后进行冷冻干燥，得到辐射制冷气凝胶材料；所述的天然纤维素原料为木屑、苎麻、竹中至少一种。本发明的纤维素基辐射制冷气凝胶材料为纯纤维素基材料，绿色可降解，且制备方法简单，成本低。
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公开(公告)号：CN118734446A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410873681.6
申请日：2024-07-02
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 , 齐鲁理工学院
IPC: G06F30/15 , G06F30/20 , G06F119/14
Abstract: 本发明实施例公开了一种共形天线板结构大变形的位移变量获取方法，包括：建立用于共形天线板结构非线性应变场与用于共形天线板结构三维方向变形场的函数关系；根据用于共形天线板结构三维方向变形场与中性面理论应变的关系，建立中性面理论应变与共形天线板结构单元变形自由度的函数模型；采集共形天线板结构单元内上下表面的中性面测量应变；利用变分原理建立中性面理论应变与对应的中性面测量应变的最小二乘函数关系；根据最小二乘函数关系确定共形天线板结构大变形自由度与共形天线板结构的中性面测量应变的非线性逆有限逆单元重构求解函数；根据非线性逆有限逆单元重构求解函数确定共形天线板结构大变形的位移变量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118607126A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410736308.6
申请日：2024-06-07
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: G06F30/17 , G06F30/27 , G06F30/23 , G06T17/20 , G06N3/006 , G06F17/13 , G06F111/10 , G06F111/04
Abstract: 本发明实施例公开了一种阵面天线板结构的变形重构方法，所述方法包括：建立阵面天线板结构的中性面变形函数；根据变形应变微分关系，获取所述阵面天线板结构的平移应变、横向剪切应变与边界面变形自由度函数关系；根据逆单元拼接，获取所述阵面天线板结构的变形重构方程。本发明通过建立中性面变形函数、明确应变与变形关系以及利用逆单元拼接技术获取变形重构方程，实现了对阵面天线板结构变形的精确重构。
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公开(公告)号：CN116903919B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202310924946.6
申请日：2023-07-26
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院
Abstract: 本发明公开了一种纤维素基辐射制冷气凝胶材料及其制备方法，包括以下步骤：(1)脱除天然纤维素原料中的木质素，得到纤维素纤维；(2)采用漂白溶液对纤维素纤维进行处理，调控纤维素纤维的尺寸为1.8～12μm；(3)将步骤(2)处理后的纤维素纤维分散到水中，再加入交联剂、催化剂进行反应，反应结束后进行冷冻干燥，得到辐射制冷气凝胶材料；所述的天然纤维素原料为木屑、苎麻、竹中至少一种。本发明的纤维素基辐射制冷气凝胶材料为纯纤维素基材料，绿色可降解，且制备方法简单，成本低。
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公开(公告)号：CN117213671A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311131847.9
申请日：2023-09-04
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: G01L1/18
Abstract: 本发明公开一种超灵敏压力传感器及其制备方法，所述压力传感器包括上电极、复合高介电层以及下电极，所述复合高介电层由第一介电层和第二介电层耦合形成，所述下电极、第二介电层、第一介电层和上电极依次层叠设置，所述第一介电层的介电常数为正数，所述第二介电层的介电常数为负数，且所述第一介电层和所述第二介电层的介电常数的绝对值之差小于预设值。本发明解决了现有技术中不能在极端温度环境下进行高灵敏度压力传感的技术问题。
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公开(公告)号：CN117213354A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311131893.9
申请日：2023-09-04
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: G01B7/16
Abstract: 本发明公开一种近零电容传感器及其制备方法，所述近零电容传感器包括上电极、介电层和下电极，所述下电极、介电层和上电极依次层叠设置，所述介电层由柔性基底及填充于所述柔性基底中的导电材料组成，所述导电材料相对于所述柔性基底的质量分数为5～50wt％。本发明所述介电层由柔性基底及填充于所述柔性基底中的导电材料组成，所述导电材料相对于所述柔性基底的质量分数为5～50wt％，在施加应变或者压力时，导电填料排布方式发生改变，近零电容值处于临界态不稳定，近零电容值很快跃迁到1nf左右，实现了1000以上灵敏度的超灵敏感知，进而突破了原有灵敏度的限制，对应变和压力的响应都极其敏感，灵敏度极高。
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公开(公告)号：CN117135841A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311028670.X
申请日：2023-08-16
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 , 西安电子科技大学
Inventor： 江山 , 克劳斯·安德斯·尤特 , 周赟磊 , 王备 , 保宏
IPC: H05K3/46
Abstract: 本发明提供了一种多层电子电路制作方法。本发明提供的多层电子电路制作方法，包括：将第一元器件放置于在支撑体上形成的第一液体预制层上，利用第二液体预制层将第一元器件封装；根据第一掩膜层和第二液体预制层，形成第一沉积孔和第一沉积槽，在第一沉积孔和第一沉积槽中形成第一液体金属线路，移除第一掩膜层，利用第三液体预制层将第一元器件以及第一液体金属线路封装；根据第二掩膜层和第三液体预制层，形成第二液体金属线路；移除第二掩膜层，将第二元器件放置于第二液体金属线路的引脚上，利用第四液体预制层将第二元器件和第二液体金属线路封装。本发明的多层电子电路制作方法，可以制作得到高度可拉伸并且高度集成的多层电子电路。
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