本发明公开一种近零电容传感器及其制备方法，所述近零电容传感器包括上电极、介电层和下电极，所述下电极、介电层和上电极依次层叠设置，所述介电层由柔性基底及填充于所述柔性基底中的导电材料组成，所述导电材料相对于所述柔性基底的质量分数为5～50wt％。本发明所述介电层由柔性基底及填充于所述柔性基底中的导电材料组成，所述导电材料相对于所述柔性基底的质量分数为5～50wt％，在施加应变或者压力时，导电填料排布方式发生改变，近零电容值处于临界态不稳定，近零电容值很快跃迁到1nf左右，实现了1000以上灵敏度的超灵敏感知，进而突破了原有灵敏度的限制，对应变和压力的响应都极其敏感，灵敏度极高。