公开(公告)号：CN119208368A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411272027.6

申请日：2024-09-11

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 卢阳 ,  苏禹森 ,  马晓华 ,  刘昕 ,  邓龙格 ,  赵子越 ,  冯婷 ,  丁振恺

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种三维结构GaN集成电路芯片及其制备方法，该芯片包括：GaN基底和从下之上依次交错层叠的多级布线介质层和隔离介质层，在第n级的布线介质层和第n‑1级的隔离介质层之间夹设有至少一个第n级集成电路，n为正整数，第0级的隔离介质层为基底介质层；在第n级的隔离介质层上设置有至少一个贯穿第n级的隔离介质层并连通第n+1级集成电路、第n级集成电路的第n级第一通孔；第n+1级集成电路、第n级集成电路基于第n级第一通孔，通过导线或者金属键合作用相连。本发明提供的芯片通过三维布线能够提高晶圆的利用率和集成度。