公开(公告)号：CN118763141A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202410734380.5

申请日：2024-06-07

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 冯倩 ,  王垚 ,  武文凯 ,  王龙 ,  张雅超 ,  张进成

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明公开了一种高质量ε‑Ga2O3外延薄膜的快速生长方法，主要解决现有ε‑Ga2O3外延薄膜结晶质量差、缺陷密度高及生长速率低的问题。其实现方案为：选取衬底并进行清洗；将清洗后的衬底放入MOCVD的反应腔内进行退火处理；向反应室同时通入O2和两种不同流入方式的N2，获得O原子、Ga原子及间歇性的Sn原子，通过Ga原子和Sn原子两者之间的金属交换机制，促进Ga原子与O原子的快速反应结合，以在退火后的衬底上生长ε‑Ga2O3外延薄膜，再对其进行冷却处理，完成外延薄膜的制备。本发明通过优化工艺参数显著降低了外延薄膜的缺陷密度，同时提升了薄膜的生长速率和结晶质量，可用于紫外光检测器和高频传感器的高效制备。

公开(公告)号：CN117558758A

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202311463545.1

申请日：2023-11-06

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 冯倩 ,  罗子翔 ,  王文涛 ,  蔡云匆 ,  武文凯 ,  刘民伟 ,  张进成

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/34 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  C30B29/16 ,  C30B25/20

Abstract: 本发明公开了一种屏蔽栅氧化镓MOSFET器件及制作方法，主要解决现有技术耐压能力低和可靠性差的问题。其自下而上包括：漏极(1)，Ga2O3衬底(2)、Ga2O3外延层(3)、注入有受主离子的Ga2O3层(4)、高掺杂n型Ga2O3层(5)，该高掺杂n型Ga2O3层的中间设有沟槽，沟槽内壁上设有绝缘栅介质层(8)，该绝缘栅介质层上设有栅极(9)，该高掺杂n型Ga2O3层的两端设有源极(10)，该沟槽内壁与绝缘栅介质层之间设有氧化层(6)，该氧化层内包裹有多晶硅层(7)，以形成屏蔽栅。本发明降低了沟槽底部电场强度，提高了器件的反向耐压，减小了静态功耗和动态功耗，制作工艺简单，可用作功率和高压开关器件。

公开(公告)号：CN117174769A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202311112228.5

申请日：2023-08-31

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 冯倩 ,  武文凯 ,  李佳乐 ,  王垚 ,  刘民伟 ,  罗子翔 ,  张进成

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  H01S5/34 ,  C23C16/44 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种氧化镓量子点材料及其制作方法，主要解决现有氧化镓量子量子点密度不均匀，材料质量差的问题。其自下而上包括衬底(1)、低温AlN成核层(2)、高温AlN层(3)、GaN层(4)和量子点(5)，该量子点采用Ga2O3材料，并通过控制TEG在载气N2的作用下的流速和O2的流速，使得三乙基镓TEG与O2反应生成Ga2O3，当Ga2O3与GaN之间产生的晶格失配时产生应力，并随着Ga2O3的继续生长应力不断积累，在GaN层上形成高为6nm‑12nm、宽为30nm‑70nm的等间隔三维岛状阵列结构。本发明提高了量子点的均匀性，提升了氧化镓量子点材料的质量，可用于制备高性能的紫外波段光电子器件。