公开(公告)号：CN106783601A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611187932.7

申请日：2016-12-20

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 胡辉勇 ,  王禹 ,  朱翔宇 ,  张鹤鸣 ,  宣荣喜 ,  舒斌 ,  宋建军 ,  苏汉 ,  苗渊浩

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L29/868 ,  H01L29/6609

Abstract: 本发明涉及一种Si‑Ge‑Si异质Ge基固态等离子体PiN二极管的制备方法及其器件，该制备方法包括：选取某一晶向的GeOI衬底，并在GeOI衬底内设置隔离区；刻蚀GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽，P型沟槽和N型沟槽的深度小于GeOI衬底的顶层Ge的厚度；填充P型沟槽和N型沟槽，并采用离子注入工艺在P型沟槽和N型沟槽内形成P型有源区和N型有源区；在GeOI衬底上形成引线，以完成异质Ge基固态等离子体PiN二极管的制备。本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能异质Ge基固态等离子体PiN二极管。

公开(公告)号：CN106784019B

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN201611187742.5

申请日：2016-12-20

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 胡辉勇 ,  苏汉 ,  王策 ,  张鹤鸣 ,  王斌 ,  舒斌 ,  宋建军 ,  宣荣喜 ,  朱翔宇

IPC: H01L29/868 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明涉及一种Ge基固态等离子体PiN二极管及其制备方法，该制备方法包括：选取某一晶向的GeOI衬底，并在GeOI衬底内设置隔离区；刻蚀GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽，P型沟槽和N型沟槽的深度小于GeOI衬底的顶层Ge的厚度；在P型沟槽和N型沟槽内采用离子注入形成第一P型有源区和第一N型有源区；填充P型沟槽和N型沟槽，并采用离子注入在GeOI衬底的顶层Ge内形成第二P型有源区和第二N型有源区；在GeOI衬底上形成引线，以完成Ge基固态等离子体PiN二极管的制备。本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能Ge基固态等离子体PiN二极管。

公开(公告)号：CN119126027A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411189971.5

申请日：2024-08-28

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 李亚超 ,  朱翔宇 ,  王家东 ,  王奇 ,  王义涛 ,  仲秦 ,  叶鑫 ,  郭艳红

IPC: G01S7/36

Abstract: 本发明涉及一种联合形态学处理的时频域干扰抑制方法及装置，包括：对接收到的目标处的回波信号进行短时傅里叶变换，得到时频图；根据时频图得到初始干扰掩膜；通过膨胀运算对初始干扰掩膜进行处理，得到目标干扰掩膜；通过目标干扰掩膜对时频图进行处理，得到干扰抑制后的时频图。本发明通过对回波信号进行短时傅里叶变换得到其在时频图，并结合时频图得到干扰掩膜，使得时频图中低于目标回波能量的干扰边缘被有效抑制，实现高干扰抑制比，从而使雷达可以识别和探测到真实目标，通过膨胀运算提升干扰边缘的抑制能力，提升干扰抑能力，兼具高干扰抑制比与低信号损失。

公开(公告)号：CN118837829A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410887369.2

申请日：2024-07-03

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 李亚超 ,  朱恩娣 ,  王家东 ,  吴迪 ,  方涛 ,  朱翔宇 ,  张彬 ,  郭鹏程

IPC: G01S7/02 ,  G01S7/36

Abstract: 本发明公开了一种联合多重失配滤波器优化设计的脉内频率编码方法，包括：根据优化代价函数得到优化后的频率集合，设计出低距离栅瓣的脉内稀疏频率编码波形；根据干扰先验信息将信号划分为三段，通过二次优化使三个信号段的频带集合相互正交；根据基于脉冲回波信号和干扰信号的模型得到受干扰的捷变频波形的回波信号；对捷变波形的回波信号进行下变频处理，得到下变频受干扰的基带回波信号；将脉冲回波信号、干扰采样部分的信号段和间歇采样干扰第1次转发的信号段作为脉冲压缩的匹配函数，通过对消手段得到无干扰的目标回波信号。本发明基于失配滤波器对间歇采样干扰进行了消除，从而有效降低了干扰过渡带内残留干扰的影响。

公开(公告)号：CN106784019A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611187742.5

申请日：2016-12-20

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 胡辉勇 ,  苏汉 ,  王策 ,  张鹤鸣 ,  王斌 ,  舒斌 ,  宋建军 ,  宣荣喜 ,  朱翔宇

IPC: H01L29/868 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明涉及一种Ge基固态等离子体PiN二极管及其制备方法，该制备方法包括：选取某一晶向的GeOI衬底，并在GeOI衬底内设置隔离区；刻蚀GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽，P型沟槽和N型沟槽的深度小于GeOI衬底的顶层Ge的厚度；在P型沟槽和N型沟槽内采用离子注入形成第一P型有源区和第一N型有源区；填充P型沟槽和N型沟槽，并采用离子注入在GeOI衬底的顶层Ge内形成第二P型有源区和第二N型有源区；在GeOI衬底上形成引线，以完成Ge基固态等离子体PiN二极管的制备。本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能Ge基固态等离子体PiN二极管。

公开(公告)号：CN119064874A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202411175560.0

申请日：2024-08-26

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 李亚超 ,  朱翔宇 ,  冶佩 ,  王奇 ,  王家东 ,  仲秦 ,  李松源

IPC: G01S7/36 ,  G01S7/41

Abstract: 本发明公开了一种基于积分分解的切片干扰定位与抑制方法，包括：接收原始回波信号，对原始回波信号进行脉冲压缩；原始回波信号中包含多个目标信号，多个目标信号中包含真实目标信号和假目标信号，假目标信号为干扰信号；从脉压后的回波信号中检测每个目标信号的峰值位置；对于每个目标信号，基于该信号的峰值位置对原始回波信号积分分解，得到该信号的积分分解结果；基于积分分解结果确定每个真实目标信号和每个干扰信号的时频域的位置；基于真实目标信号和干扰信号的时频域的位置构建干扰抑制滤波器；对原始回波信号进行短时傅里叶变换，采用干扰抑制滤波器对短时傅里叶变换后的信号滤波。本发明能够提升干扰抑制比，从而提升干扰抑制效果。