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公开(公告)号：CN120018520A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510117001.2
申请日：2025-01-24
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种可控矫顽电场的HZO铁电薄膜、铁电电容器及其制备方法，所述HZO铁电薄膜中具有至少一个微束镓离子注入区域；每个微束镓离子注入区域的镓离子注入量均为1.3×1014～5.2×1014ion/cm2。本发明提供的一种可控矫顽电场的HZO铁电薄膜，通过调节微束镓离子注入区域中镓离子注入量能够精准调控HZO铁电薄膜的矫顽电场，同时，能够维持铁电薄膜的高极化强度、结构均匀性和电学稳定性。并且，在HZO铁电薄膜的不同区域进行不同注入量的镓离子注入，能够在不同区域表现出不同的矫顽电场，可应用于多值存储器，大幅提高存储密度。
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公开(公告)号：CN119229986A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411256917.8
申请日：2024-09-09
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G16C10/00 , G06F30/20 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种MOSFET栅氧化层辐照位移损伤及影响的模拟方法，主要解决现有技术辐照缺陷演化参数描述不全面，模拟结果不准确的问题。包括：1)通过分子动力学模拟，获取辐照后栅氧化层中产生的陷阱类型及数量；2)利用第一性原理软件构造栅氧化层超胞并引入陷阱类型；3)对包含缺陷的超胞运用第一性原理获取陷阱的能级位置并计算俘获截面；4)将陷阱的类型、数量、能级位置以及俘获截面输入半导体器件仿真软件进行性能模拟；5)获得辐照后栅氧化层中陷阱电荷对器件电学性能的影响。本发明能够全面、准确地描述辐照位移损伤对栅氧化层的影响，明确其中缺陷对器件电学性能产生的影响，为进一步指导优化半导体器件性能提供可靠依据。
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公开(公告)号：CN118098451A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410180898.9
申请日：2024-02-18
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G16C60/00 , G16C10/00 , G16C20/80 , G06F30/20 , G06F119/14 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种用于氧化铪基铁电薄膜畴翻转动力学的相场模拟方法，主要解决现有技术难以原位实时观测氧化铪基铁电畴翻转的动力学过程、表征成本高的问题。包括：1)根据氧化铪基铁电薄膜顺电‑铁电相变的特性，选取极化和应变分别作为主、次序参量，构建总自由能方程；2)设定边界条件并计算能量密度，包括朗道能密度、弹性能密度、静电能密度以及梯度能密度；3)构建能量密度的控制方程，通过半隐式傅里叶谱法获取控制方程数值求解的迭代形式；4)由总自由能及控制方程组成相场模型，求解得到参量的时空分布；5)利用绘图软件实现畴结构和畴演化的动态可视化。本发明能够低成本实现氧化铪基铁电薄膜畴翻转动力学过程的纳米尺度实时模拟。
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公开(公告)号：CN116261335A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310201504.9
申请日：2023-03-03
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H10B51/30 , H01L21/28 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种基于曲面绝缘栅堆垛结构的铁电存储器件，包括衬底、沟道层、源极、漏极以及曲面绝缘栅堆垛结构，其中，沟道层位于衬底的上表面，源极和漏极分别嵌入在沟道层左右两侧，曲面绝缘栅堆垛结构设置在沟道层上表面且位于源极与漏极之间；曲面绝缘栅堆垛结构包括凸状曲面和凹状曲面，且凸状曲面和凹状曲面均包括自下而上依次堆叠的绝缘层、铁电层和栅极金属层，绝缘层界面面积均大于铁电层界面面积。本发明通过曲面栅堆垛结构使得绝缘层界面相对铁电层界面存在更大的有效承受栅极电压区域面积，降低了绝缘层相对于铁电层界面处偶极子的实际分布密度，解决FeFET器件由于反复擦写造成的存储窗口退化和器件的击穿失效问题。
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公开(公告)号：CN116207144A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310077662.8
申请日：2023-01-19
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种铁电伪装晶体管及其安全电路的读写方式，主要涉及芯片技术领域，包括衬底，所述衬底上设置有隔离层和有源区，所述有源区上设置有沟道层，所述沟道层为具有双极化特性的半导体材料，所述沟道层上设置绝缘层，所述绝缘层上设置有铁电材料层，所述铁电材料层具有强铁电极化特性，所述铁电材料层上设置有栅电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116083848A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211219801.8
申请日：2022-09-30
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种双层薄膜材料及制备方法、铁电存储器，双层薄膜材料的制备方法包括：利用脉冲激光沉积技术，在具有[001]晶体取向的衬底上生长单晶缓冲层；利用脉冲激光沉积技术，在单晶缓冲层上生长单晶铁电层，单晶铁电层的材料包括Pb0.52Zr0.48TiO3；对样品进行降温处理，得到包括单晶缓冲层和单晶铁电层的双层薄膜材料。该制备方法通过缓冲层的引入实现了Pb0.52Zr0.48TiO3铁电层的超薄厚度的生长，实现了单晶缓冲层和单晶铁电层的原子级复合，使得Pb0.52Zr0.48TiO3薄膜的单晶分布均匀且具有铁电畴结构，得到了铁电性能优异的双层薄膜结构，有利于实现电子设备的小型化。
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公开(公告)号：CN118993143A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411078324.7
申请日：2024-08-07
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种低回滞高介电可调铁电材料及其制备方法和应用，该铁电材料的化学通式为(Sr0.6Ba0.4)(1‑1.5x)BixTiO3，其中0＜x＜0.4；该方法通过利用Bi3+离子对室温下处于顺电相的钛酸锶钡(Sr0.6Ba0.4TiO3)的A位进行非等价置换，由于Bi与O之间会产生轨道杂化，并且A位非等价置换能够促进带电点缺陷的形成，从而提升了铁电材料的极化强度和介电常数；通过引入具有低熔点的硝酸铋，在制备温度低于700℃的前提下便可获得具有低损耗、低回滞、适中介电常数和优异介电调谐特性的铁电材料，能够广泛应用于铁电移相器、铁电可调谐滤波器以及可变电容器等。
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公开(公告)号：CN118900623A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410945278.X
申请日：2024-07-15
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种多值存储氧化铪基铁电薄膜及其存储方法、应用，铁电薄膜包括：至少两层氧化铪基铁电层，其中，所述至少两层氧化铪基铁电层层叠设置，所述至少两层氧化铪基铁电层具有不同的矫顽电场，且两层所述氧化铪基铁电层的矫顽电场差值大于或等于0.3MV/cm。本发明可以实现更多的存储状态，由于各层氧化铪基铁电层的矫顽电场存在差异，且每层氧化铪基铁电层的极化随着电场强度的增加而逐渐增加，不同层之间的极化由于矫顽电场的差异而阶梯式翻转，通过不同层铁电极化的阶梯式翻转和每层铁电极化的逐渐翻转可以实现更多的存储状态，而多层铁电薄膜的结构使得不同极化状态之间的差异更加明显，从而在可以实现高可靠性的多值存储。
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公开(公告)号：CN115831939A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202111388892.3
申请日：2021-11-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L23/64 , H01G7/06 , G09G3/3225 , G09G3/36
Abstract: 本公开提供一种非易失性铁电电容及显示驱动电路，其中非易失性铁电电容包括：衬底表面上形成有铁电电容，衬底表面上分别形成有第一沟道层和第二沟道层；铁电电容包括依次层叠设置的底电极、铁电薄膜和顶电极，第一沟道层与底电极相接触；铁电电容、第一沟道层和第二沟道层的表面形成有介电材料；介电材料的表面形成有第一栅电极和第二栅电极，得到铁电电容结构。将非易失性铁电电容集成到显示驱动电路中，得到一种新型非易失性、低功耗、高显示质量的显示驱动技术。
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公开(公告)号：CN116083848B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202211219801.8
申请日：2022-09-30
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种双层薄膜材料及制备方法、铁电存储器，双层薄膜材料的制备方法包括：利用脉冲激光沉积技术，在具有[001]晶体取向的衬底上生长单晶缓冲层；利用脉冲激光沉积技术，在单晶缓冲层上生长单晶铁电层，单晶铁电层的材料包括Pb0.52Zr0.48TiO3；对样品进行降温处理，得到包括单晶缓冲层和单晶铁电层的双层薄膜材料。该制备方法通过缓冲层的引入实现了Pb0.52Zr0.48TiO3铁电层的超薄厚度的生长，实现了单晶缓冲层和单晶铁电层的原子级复合，使得Pb0.52Zr0.48TiO3薄膜的单晶分布均匀且具有铁电畴结构，得到了铁电性能优异的双层薄膜结构，有利于实现电子设备的小型化。
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