公开(公告)号：CN105789336B

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201610203365.3

申请日：2016-04-01

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  陈小青 ,  张玉明 ,  刘博睿 ,  张晨旭

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/118 ,  H01L31/18 ,  G01T1/20

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种基于碳化硅PIN二极管结构的α射线闪烁体探测器及其制作方法，主要解决现有技术探测率低、不利于集成、抗辐射性差的问题。本发明的碳化硅PIN二极管型α射线探测器自下而上包括N型欧姆接触电极(8)、N型SiC衬底(7)、N型缓冲层(6)、掺杂浓本征吸收层(5)；该本征吸收层(5)中间区域开有窗口，窗口内埋入掺银硫化锌闪烁体(1)，窗口内部区域及窗口上方淀积有一层SiO2反射层(2)，本征吸收层(5)两侧上方为P+薄层(4)，P+薄层(4)上方为P型欧姆接触电极(3)。该α射线探测器探测率高，利于集成，抗辐射型好，可用于核能中对α射线的探测。

公开(公告)号：CN105738939A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201610202811.9

申请日：2016-04-01

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  刘博睿 ,  张玉明 ,  陈小青 ,  张晨旭

IPC: G01T1/203

CPC classification number: G01T1/203

Abstract: 本发明公开了一种基于碳化硅PIN二极管结构的β射线闪烁体探测器及其制作方法，主要解决现有技术探测率低、不利于集成、抗辐射性差的问题。本发明的碳化硅PIN二极管型β射线探测器自下而上包括N型欧姆接触电极(8)、N型SiC衬底(7)、N型缓冲层(6)、掺杂浓本征吸收层(5)；该本征吸收层(5)中间区域开有窗口，窗口内埋入塑料闪烁体(1)，窗口内部区域及窗口上方淀积有一层SiO2反射层(2)，本征吸收层(5)两侧上方为P+薄层(4)，P+薄层(4)上方为P型欧姆接触电极(3)。该β射线探测器探测率高，利于集成，抗辐射型好，可用于核能中对β射线的探测。

公开(公告)号：CN105738939B

公开(公告)日：2019-03-08

申请号：CN201610202811.9

申请日：2016-04-01

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  刘博睿 ,  张玉明 ,  陈小青 ,  张晨旭

IPC: G01T1/203

Abstract: 本发明公开了一种基于碳化硅PIN二极管结构的β射线闪烁体探测器及其制作方法，主要解决现有技术探测率低、不利于集成、抗辐射性差的问题。本发明的碳化硅PIN二极管型β射线探测器自下而上包括N型欧姆接触电极(8)、N型SiC衬底(7)、N型缓冲层(6)、掺杂浓本征吸收层(5)；该本征吸收层(5)中间区域开有窗口，窗口内埋入塑料闪烁体(1)，窗口内部区域及窗口上方淀积有一层SiO2反射层(2)，本征吸收层(5)两侧上方为P+薄层(4)，P+薄层(4)上方为P型欧姆接触电极(3)。该β射线探测器探测率高，利于集成，抗辐射型好，可用于核能中对β射线的探测。

公开(公告)号：CN105789336A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610203365.3

申请日：2016-04-01

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  陈小青 ,  张玉明 ,  刘博睿 ,  张晨旭

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/118 ,  H01L31/18 ,  G01T1/20

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1185 ,  G01T1/2018 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/02322 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于碳化硅PIN二极管结构的α射线闪烁体探测器及其制作方法，主要解决现有技术探测率低、不利于集成、抗辐射性差的问题。本发明的碳化硅PIN二极管型α射线探测器自下而上包括N型欧姆接触电极(8)、N型SiC衬底(7)、N型缓冲层(6)、掺杂浓本征吸收层(5)；该本征吸收层(5)中间区域开有窗口，窗口内埋入掺银硫化锌闪烁体(1)，窗口内部区域及窗口上方淀积有一层SiO2反射层(2)，本征吸收层(5)两侧上方为P+薄层(4)，P+薄层(4)上方为P型欧姆接触电极(3)。该α射线探测器探测率高，利于集成，抗辐射型好，可用于核能中对α射线的探测。

公开(公告)号：CN105845746B

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201610203362.X

申请日：2016-04-01

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  刘博睿 ,  张玉明 ,  陈小青 ,  张晨旭

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/117 ,  H01L31/18 ,  G01T1/20

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种基于碳化硅PIN二极管结构的γ射线闪烁体探测器及其制作方法，主要解决现有技术探测率低、不利于集成、抗辐射性差的问题。本发明的碳化硅PIN二极管型γ射线探测器自下而上包括N型欧姆接触电极(8)、N型SiC衬底(7)、N型缓冲层(6)、掺杂浓本征吸收层(5)；该本征吸收层(5)中间区域开有窗口，窗口内埋入掺铈溴化镧闪烁体(1)，窗口内部区域及窗口上方淀积有一层SiO2反射层(2)，本征吸收层(5)两侧上方为P+薄层(4)，P+薄层(4)上方为P型欧姆接触电极(3)。该γ射线探测器探测率高，利于集成，抗辐射型好，可用于核能中对γ射线的探测。

公开(公告)号：CN105845746A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610203362.X

申请日：2016-04-01

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  刘博睿 ,  张玉明 ,  陈小青 ,  张晨旭

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/117 ,  H01L31/18 ,  G01T1/20

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/117 ,  G01T1/2018 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/02322 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于碳化硅PIN二极管结构的γ射线闪烁体探测器及其制作方法，主要解决现有技术探测率低、不利于集成、抗辐射性差的问题。本发明的碳化硅PIN二极管型γ射线探测器自下而上包括N型欧姆接触电极(8)、N型SiC衬底(7)、N型缓冲层(6)、掺杂浓本征吸收层(5)；该本征吸收层(5)中间区域开有窗口，窗口内埋入掺铈溴化镧闪烁体(1)，窗口内部区域及窗口上方淀积有一层SiO2反射层(2)，本征吸收层(5)两侧上方为P+薄层(4)，P+薄层(4)上方为P型欧姆接触电极(3)。该γ射线探测器探测率高，利于集成，抗辐射型好，可用于核能中对γ射线的探测。