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公开(公告)号:CN120006263A
公开(公告)日:2025-05-16
申请号:CN202311527322.7
申请日:2023-11-15
Abstract: 公开了一种粉体表面元素掺杂类金刚石沉积装置,粉体表面元素掺杂类金刚石沉积装置中,振动台提供可调节振动,等离子体反应腔容纳粉体且在底部形成沉积区域,等离子体反应腔支承于振动台以振动分散粉体,靶材基座设于密封盖底部,靶材安装于靶材基座,脉冲功率源连接靶材基座以提供脉冲功率溅射靶材生成掺杂元素,电感线圈安装于等离子体反应腔外,电感线圈连接高频匹配电路以在等离子体反应腔中产生高密度等离子体,偏置电极设于等离子体反应腔的下部,偏置电极连接低频匹配电路以调节沉积区域离子能量。
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公开(公告)号:CN119010844A
公开(公告)日:2024-11-22
申请号:CN202311213246.2
申请日:2023-09-20
Abstract: 公开了一种多参数可调的重频纳秒高压脉冲发生电路及方法,电路中,功率开关模块包括串联的多级的开关驱动模块以及控制开断的控制电路,均压电路连接固态开关,驱动供电电路连接均压电路和控制电路,驱动供电电路包括,光电转换模块连接光纤接收器,光电转换模块包括反相电路,光纤接收器传输的光信号经光纤接收器转换为电信号,电信号通过反相电路反相后输出到驱动模块输入端作为驱动信号,驱动模块连接光电转换模块以将驱动信号经栅极电阻传输至栅极,自取能驱动电路输入端连接至漏源极两端以高压取能,输出端将高压转换为光电转换模块以及驱动模块的供电电压,以实现驱动模块的供电和固态开关的开断。
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公开(公告)号:CN119010529A
公开(公告)日:2024-11-22
申请号:CN202311218749.9
申请日:2023-09-20
Abstract: 公开了一种用于串联MOSFET的驱动电路悬浮电位取能装置,多个串联的MOSFET,悬浮电位自取能模块并列在串联的MOSFET漏源极两端,串联的MOSFET漏源极两端的高电压输入至悬浮电位自取能模块,所述悬浮电位自取能模块将高电压转换为驱动供电电压。悬浮电位取能电路直接并联在各级MOSFET的源极和漏极之间,通过悬浮电位取能电路将前方串联电路的高电压转变为驱动供电电压。由于MOSFET通过电场效应控制开关的开断,栅极可近似为电容负载,因此通常MOSFET驱动电路所需的功耗很小。在较高的输入电压下,启动时间大大缩短,且启动之后将启动电阻切除,提高了反激变换器的工作效率。
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