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公开(公告)号:CN102390991A
公开(公告)日:2012-03-28
申请号:CN201110216641.7
申请日:2011-07-29
申请人: 西安交通大学
IPC分类号: C04B35/453 , C04B35/01 , C04B35/622
摘要: 本发明公开了一种新型低温烧结微波介质陶瓷基板材料及其制备方法。该低温烧结微波介质陶瓷基板材料的结构表达式为:xZnO-(1-x)B2O3,其中x=0.5~0.75。粉料制备采用固相合成法工艺,预烧温度为750℃~800℃,烧结温度为850℃~960℃。本发明的基板材料具有以下特点:介电常数较低,介电损耗较小,烧结温度低,可与Ag或Cu电极共烧,制备工艺简单等优点,可用于制备低温共烧陶瓷(LTCC)基板。
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公开(公告)号:CN101462874A
公开(公告)日:2009-06-24
申请号:CN200810232480.9
申请日:2008-11-28
申请人: 西安交通大学
IPC分类号: C04B35/462 , C04B35/622 , H01B3/12
摘要: 本发明公开了一种低温烧结中介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法。该微波介质陶瓷由ZnTiNb2O8相和Zn0.17Nb0.33Ti0.5O2两相组成,本发明的原材料配比为:由重量百分比为96~99%的2.5ZnO-(5-x)TiO2-xMO2-2.5Nb2O5和1~4%的BaCu(B2O5)组成或由重量百分比为94~96%的2.5ZnO-(5-x)TiO2-xMO2-2.5Nb2O5和4~6%的B2O3与CuO的混合物组成;其中,M代表Zr或者Sn;0≤x≤0.2;通过固相反应,即可得到本发明材料。其烧结温度低(可在900℃以下烧结成瓷),能与银电极得到较好的共烧匹配;本发明材料是极具应用前景的低温烧结微波介质陶瓷材料,可用于低温共烧陶瓷系统(LTCC)、多层介质谐振器、微波天线、滤波器等微波器件的制造。
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公开(公告)号:CN101462874B
公开(公告)日:2012-05-23
申请号:CN200810232480.9
申请日:2008-11-28
申请人: 西安交通大学
IPC分类号: C04B35/462 , C04B35/622 , H01B3/12
摘要: 本发明公开了一种低温烧结中介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法。该微波介质陶瓷由ZnTiNb2O8相和Zn0.17Nb0.33Ti0.5O2两相组成,本发明的原材料配比为:由重量百分比为96~99%的2.5ZnO-(5-x)TiO2-xMO2-2.5Nb2O5和1~4%的BaCu(B2O5)组成或由重量百分比为94~96%的2.5ZnO-(5-x)TiO2-xMO2-2.5Nb2O5和4~6%的B2O3与CuO的混合物组成;其中,M代表Zr或者Sn;0≤x≤0.2;通过固相反应,即可得到本发明材料。其烧结温度低(可在900℃以下烧结成瓷),能与银电极得到较好的共烧匹配;本发明材料是极具应用前景的低温烧结微波介质陶瓷材料,可用于低温共烧陶瓷系统(LTCC)、多层介质谐振器、微波天线、滤波器等微波器件的制造。
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公开(公告)号:CN102390991B
公开(公告)日:2013-08-14
申请号:CN201110216641.7
申请日:2011-07-29
申请人: 西安交通大学
IPC分类号: C04B35/453 , C04B35/01 , C04B35/622
摘要: 本发明公开了一种新型低温烧结微波介质陶瓷基板材料及其制备方法。该低温烧结微波介质陶瓷基板材料的结构表达式为:xZnO-(1-x)B2O3,其中x=0.5~0.75。粉料制备采用固相合成法工艺,预烧温度为750℃~800℃,烧结温度为850℃~960℃。本发明的基板材料具有以下特点:介电常数较低,介电损耗较小,烧结温度低,可与Ag或Cu电极共烧,制备工艺简单等优点,可用于制备低温共烧陶瓷(LTCC)基板。
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