一种使用缓冲层增强太阳光对金属薄膜磁性调控的方法

    公开(公告)号:CN111416037A

    公开(公告)日:2020-07-14

    申请号:CN202010247202.1

    申请日:2020-03-31

    Abstract: 一种使用缓冲层增强太阳光对金属薄膜磁性调控的方法,包括以下步骤:步骤1,薄膜的制备;步骤2,旋涂/沉积缓冲层;步骤3,光伏活性层的旋涂:将选定的光伏活性层旋涂在缓冲层上;步骤4,生长电极:制备器件顶电极;步骤5,使用太阳光进行调控。本发明采用的插入缓冲层增加太阳光调控金属薄膜的调控量的方法,适用于其他可见光源,太阳光属于可再生能源极大地降低了能耗、成本,调控量的增大为实际应用提供了可能。

    一种利用可见光调控界面磁性的结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN110791741A

    公开(公告)日:2020-02-14

    申请号:CN201911215123.6

    申请日:2019-12-02

    Abstract: 一种利用可见光调控界面磁性的结构及其制备方法,包括硅基底和金属磁性薄膜,金属磁性薄膜沉积在硅基底上;硅基底为PN硅;金属磁性薄膜为磁性薄膜或者对电荷敏感的复杂磁性结构。金属磁性薄膜为Co薄膜或NiFe薄膜。本发明提供了一种基于简单的无机硅基底,实现可见光调控界面磁性的新技术,可用于Co、NiFe等超薄膜或对电荷敏感的复杂磁性结构组成的自旋电子器件,实现可见光对其性能的有效调控。

    一种实现可见光调控界面磁性的自旋电子器件及制备方法

    公开(公告)号:CN109768155A

    公开(公告)日:2019-05-17

    申请号:CN201811594047.X

    申请日:2018-12-25

    Abstract: 一种实现可见光调控界面磁性的自旋电子器件,包括基底、底电极、磁性层、活性层和顶电极;底电极设置在基底的上表面,磁性层设置在底电极的上表面,活性层设置在磁性层的上表面,顶电极设置在活性层的上表面;活性层包括给体和受体。本发明的一种实现可见光调控界面磁性的自旋电子器件使用光-电-磁三重耦合的有机半导体太阳能电池/铁磁体异质结,而不是单纯的离子液体调控界面磁性,不存在化学反应及腐蚀问题,也克服了现有太阳能光伏自旋电子学器件光控磁性不稳定且能耗高的问题。

    一种实现可见光调控界面磁性的自旋电子器件及制备方法

    公开(公告)号:CN109768155B

    公开(公告)日:2020-10-27

    申请号:CN201811594047.X

    申请日:2018-12-25

    Abstract: 一种实现可见光调控界面磁性的自旋电子器件,包括基底、底电极、磁性层、活性层和顶电极;底电极设置在基底的上表面,磁性层设置在底电极的上表面,活性层设置在磁性层的上表面,顶电极设置在活性层的上表面;活性层包括给体和受体。本发明的一种实现可见光调控界面磁性的自旋电子器件使用光‑电‑磁三重耦合的有机半导体太阳能电池/铁磁体异质结,而不是单纯的离子液体调控界面磁性,不存在化学反应及腐蚀问题,也克服了现有太阳能光伏自旋电子学器件光控磁性不稳定且能耗高的问题。

    一种触觉传感器及机械手
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119984583A

    公开(公告)日:2025-05-13

    申请号:CN202510143287.1

    申请日:2025-02-10

    Abstract: 本申请公开了一种触觉传感器及机械手,属于传感器领域。该触觉传感器包括:摩擦电层、电极层以及压阻层;摩擦电层、电极层以及压阻层层叠设置,电极层位于摩擦电层与压阻层之间;电极层包括基体层、摩擦电极、温度层以及压阻电极;摩擦电层、温度层以及压阻电极均设置于基体层,摩擦电极朝向摩擦电层,压阻电极朝向压阻层;压阻层包括压阻基体以及设置于压阻基体的压阻凸起,压阻凸起朝向电极层,压阻凸起用于与压阻电极抵接,且压阻凸起可形变;在压阻凸起与压阻电极接触的情况下,压阻凸起形状变化,压阻凸起与压阻电极接触的面积变化,压阻电极检测的电阻变化。

    一种三维力传感器三维力加载标定装置及方法

    公开(公告)号:CN114279632B

    公开(公告)日:2025-03-25

    申请号:CN202210045534.0

    申请日:2022-01-15

    Abstract: 本发明公开了一种三维力传感器三维力加载标定装置及方法,在力加载杆穿过直线轴承,直线轴承被竖直固定在支架上,在力加载杆上放置砝码,力加载杆会向三维力传感器施加一个竖直方向的力,施加力的大小F为砝码与力加载杆的质量和,该力作用在装在加载台上的传感器上,通过调整施加砝码的重量以及加载台的角度即可调整施加三维力的大小和方向。本发明三维力传感器三维力加载及标定装置,以施加砝码的质量作为所施加三维力大小的控制量,以加载台上斜面与竖直方向的夹角作为所施加三维力方向的控制量,可以对三维力传感器很方便地实现不同角度与大小的三维力的加载与标定作业,避免了复杂的三维力加载与标定的装置,操作简便,测试成本低。

    一种亚纳米尺度硅(111)原子台阶高度标准样板及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118169433A

    公开(公告)日:2024-06-11

    申请号:CN202410285119.1

    申请日:2024-03-13

    Abstract: 本发明提供一种亚纳米尺度硅(111)原子台阶高度标准样板及其制备方法和应用,该标准样板包括:凹槽,所述凹槽位于所述标准样板的中间位置,所述凹槽内设有若干级规则排列的环形原子台阶,单级所述环形原子台阶的高度为300~350pm;两个定位标志,对称设于所述凹槽外檐的所述环形原子台阶的外侧,所述定位标志指向所述环形原子台阶的中心,用于快速确定待测台阶的位置。该标准样板能实现台阶总高度的可控性,使得标准样板的高度量值覆盖范围广,并且数值稳定,台阶高度可直接溯源至硅晶格常数,减小引入的测量不确定度,能够应用于校准扫描探针显微镜的Z轴位移测量偏差及Z向漂移,有利于提高扫描探针显微镜的测量准确性。

    一种柔性自供电乳酸传感器电极及其制备方法

    公开(公告)号:CN118566312A

    公开(公告)日:2024-08-30

    申请号:CN202410880438.7

    申请日:2024-07-02

    Abstract: 本发明公开了一种柔性自供电乳酸传感器电极及其制备方法,包括乳酸传感器阳极结构和乳酸传感器阴极结构,乳酸传感器阳极结构包括石墨烯纤维,石墨烯纤维表面生长有PANI薄膜,PANI薄膜的上修饰有Au纳米片、ZnO纳米线和乳酸氧化酶;所述乳酸传感器阴极结构包括石墨烯纤维,石墨烯纤维表面生长有PEDOT薄膜,PEDOT薄膜表面修饰有Pt颗粒,本发明的乳酸传感器底层的石墨烯纤维优异的电导率能够保证电荷的快速转移和传输,外部的Au、ZnO可以固定更多的Lox,并使其具有优越的乳酸传感器性能,所开发的柔性电极具有不错的电容量和良好的生物催化性能,具有自供电的能力。

    一种三维力传感器三维力加载标定装置及方法

    公开(公告)号:CN114279632A

    公开(公告)日:2022-04-05

    申请号:CN202210045534.0

    申请日:2022-01-15

    Abstract: 本发明公开了一种三维力传感器三维力加载标定装置及方法,在力加载杆穿过直线轴承,直线轴承被竖直固定在支架上,在力加载杆上放置砝码,力加载杆会向三维力传感器施加一个竖直方向的力,施加力的大小F为砝码与力加载杆的质量和,该力作用在装在斜台上的传感器上,通过调整施加砝码的重量以及斜台的角度即可调整施加三维力的大小和方向。本发明三维力传感器三维力加载及标定装置,以施加砝码的质量作为所施加三维力大小的控制量,以斜台上斜面与竖直方向的夹角作为所施加三维力方向的控制量,可以对三维力传感器很方便地实现不同角度与大小的三维力的加载与标定作业,避免了复杂的三维力加载与标定的装置,操作简便,测试成本低。

    一种三维力传感器切向力加载标定装置及方法

    公开(公告)号:CN114279631A

    公开(公告)日:2022-04-05

    申请号:CN202210045531.7

    申请日:2022-01-15

    Abstract: 本发明公开了一种三维力传感器切向力加载及标定装置及方法,利用传感器压板将三维力传感器沿法向压在力加载杆上,通过两个直线轴承与轴向定位板限制力加载杆只能沿竖直方向移动;通过在力加载杆上方不同重量的砝码实现不同大小切向力的加载,通过调整传感器与竖直方向的夹角,实现不同方向切向力的加载,从而实现三维力传感器的切向力加载与标定,本发明采用简单的砝码,不需要精确地位移控制与力的测量即可实现切向力的加载与标定,使用简单方便,测试成本低,三维力传感器的安装角度可以与重力方向呈任意角度θ,从而实现任意角度切向力的施加。

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