公开(公告)号：CN102437144A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201110402807.4

申请日：2011-12-06

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 宋忠孝 ,  何国华 ,  李雁淮 ,  钱旦 ,  范丽娜 ,  吴汇焱 ,  徐可为

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供了一种Ru-RuO/Ru-Ge-Cu自形成双层非晶扩散阻挡层及其制备方法，扩散阻挡层体系包括衬底、沉积在衬底上并作为种子层和析出层的Cu(Ru)合金薄膜、植入于衬底和Cu(Ru)合金薄膜之间并作为预阻挡和耗尽层的非晶Ru-Ge合金薄膜，以及镀在Cu(Ru)合金薄膜上并作为互连层的纯Cu层。本发明自形成的双层阻挡层连续均匀致密，厚度可控制在几纳米内，且具有低的电阻和高的热稳定性，满足超大规模集成电路对Cu互连扩散阻挡层的性能要求。

公开(公告)号：CN102437145A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201110402808.9

申请日：2011-12-06

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 宋忠孝 ,  何国华 ,  李雁淮 ,  钱旦 ,  范丽娜 ,  吴汇焱 ,  徐可为

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供了一种自形成梯度Zr/ZrN双层扩散阻挡层及其制备方法，扩散阻挡层包括衬底、沉积在衬底上并作为种子层和自析层的Cu(Zr)合金薄膜、植入于衬底和Cu(Zr)合金薄膜之间并作为预阻挡的纳米晶ZrN，以及沉积在Cu(Zr)合金薄膜上层的纯铜互联线。本发明自形成的双层阻挡层连续均匀致密，厚度可控制在几纳米内，且具有低的电阻、高的热稳定性和良好的粘附性，满足超大规模集成电路对Cu互连扩散阻挡层的性能要求。