半导体掺杂分布的精确测量方法

    公开(公告)号:CN100561702C

    公开(公告)日:2009-11-18

    申请号:CN200810017335.9

    申请日:2008-01-18

    Abstract: 半导体掺杂分布的精确测量方法,在传统KMK方法的测量结果上,考虑耗尽区的影响,通过迭代收敛的修正方法得出真实的掺杂浓度分布,突破了测量精度的限制,利用由数值模拟得到的过渡区多子分布关系式,避免了重复求解泊松方程;提出新的收敛公式有效提高了收敛速度并成功解决了结果的“不收敛”和“不唯一”问题;建立了新的收敛比较标准,省去了C-x转化为C-V的繁复计算过程。整个数据处理步骤清楚,简便易行。

    半导体掺杂分布的精确测量方法

    公开(公告)号:CN101252098A

    公开(公告)日:2008-08-27

    申请号:CN200810017335.9

    申请日:2008-01-18

    Abstract: 半导体掺杂分布的精确测量方法,在传统KMK方法的测量结果上,考虑耗尽区的影响,通过迭代收敛的修正方法得出真实的掺杂浓度分布,突破了测量精度的限制,利用由数值模拟得到的过渡区多子分布关系式,避免了重复求解泊松方程;提出新的收敛公式有效提高了收敛速度并成功解决了结果的“不收敛”和“不唯一”问题;建立了新的收敛比较标准,省去了C-x转化为C-V的繁复计算过程。整个数据处理步骤清楚,简便易行。

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