公开(公告)号：CN100561702C

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200810017335.9

申请日：2008-01-18

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 苗欣 ,  邵志标 ,  李宇海 ,  傅懿斌

IPC: H01L21/66

Abstract: 半导体掺杂分布的精确测量方法，在传统KMK方法的测量结果上，考虑耗尽区的影响，通过迭代收敛的修正方法得出真实的掺杂浓度分布，突破了测量精度的限制，利用由数值模拟得到的过渡区多子分布关系式，避免了重复求解泊松方程；提出新的收敛公式有效提高了收敛速度并成功解决了结果的“不收敛”和“不唯一”问题；建立了新的收敛比较标准，省去了C-x转化为C-V的繁复计算过程。整个数据处理步骤清楚，简便易行。

公开(公告)号：CN101221455A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200710018664.0

申请日：2007-09-14

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 邵志标 ,  傅懿斌

IPC: G05F3/24

Abstract: 一种采用工艺偏差补偿结构的电压基准源，采用工艺偏差补偿电阻，连接在晶体管基极，使得晶体管基极－发射极电压与工艺偏差补偿电阻Rb1上电压之和不受工艺偏差的影响，从而得到初始精度高、无需修正的高精度电压基准源。

公开(公告)号：CN101252098A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200810017335.9

申请日：2008-01-18

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 苗欣 ,  邵志标 ,  李宇海 ,  傅懿斌

IPC: H01L21/66

Abstract: 半导体掺杂分布的精确测量方法，在传统KMK方法的测量结果上，考虑耗尽区的影响，通过迭代收敛的修正方法得出真实的掺杂浓度分布，突破了测量精度的限制，利用由数值模拟得到的过渡区多子分布关系式，避免了重复求解泊松方程；提出新的收敛公式有效提高了收敛速度并成功解决了结果的“不收敛”和“不唯一”问题；建立了新的收敛比较标准，省去了C－x转化为C－V的繁复计算过程。整个数据处理步骤清楚，简便易行。

公开(公告)号：CN100576132C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200710018664.0

申请日：2007-09-14

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 邵志标 ,  傅懿斌

IPC: G05F3/24

Abstract: 一种采用工艺偏差补偿结构的电压基准源，采用工艺偏差补偿电阻，连接在晶体管基极，使得晶体管基极-发射极电压与工艺偏差补偿电阻Rb1上电压之和不受工艺偏差的影响，从而得到初始精度高、无需修正的高精度电压基准源。