公开(公告)号：CN118812266A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410795579.9

申请日：2024-06-19

申请人： 西安交通大学

发明人： 乔仲康 ,  王福豪 ,  吴吴一 ,  颜高升 ,  胡淑玲 ,  申胜平

IPC分类号： C04B35/58 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  H05B3/08 ,  F27B17/00

摘要： 本发明公开了一种二硼化锆基超高温陶瓷材料及其制备方法和制备装置，S1，制备二硼化锆陶瓷坯体；S2，将二硼化锆陶瓷坯体放入加热元件中通电进行烧结，加热元件将坯体包裹，加热元件由导电材料制成，烧结条件为：直流电源恒功率输出，输出功率为1300～2300W，保持时间10～90s，然后断开电源自然冷却。加热元件经过大功率通电就可快速升温，加热元件上下面之间就形成高温温场，通过热辐射把热量传导到坯体中，使得坯体烧结，从而完成致密化，实现了极快的升温速率，在较短的烧结周期内制得致密的超高温陶瓷，打破了超高温陶瓷烧结耗能多、耗时长的传统烧结模式，能够在极短周期内进行大批量生产。

公开(公告)号：CN118641914A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410665487.9

申请日：2024-05-27

申请人： 西安交通大学

发明人： 王一凡 ,  郭彤 ,  王凯璐 ,  王福豪 ,  梁旭 ,  申胜平

IPC分类号： G01R31/26 ,  H01L21/66 ,  G01N23/207

摘要： 本发明公开了一种不同晶面半导体单晶的挠曲电系数预测方法，包括以下步骤；步骤1.明确所选材料单晶晶体结构和空间点群；步骤2.明确所选材料挠曲电系数矩阵结构；步骤3.通过实验或者查询文献数据明确独立非零挠曲电张量具体数值，通过四元数法，明确预测所需预测晶面的局部坐标与全局坐标的转移矩阵；步骤4.推导进行坐标旋转后的独立挠曲电张量表达式形式，输出挠曲电系数二维和三维极坐标图。本发明能够在挠曲电微纳器件制造前对不同晶面的挠曲电系数进行预测，从而指导挠曲电微纳器件的生产制造，提高器件性能和生产效率。