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公开(公告)号:CN118278240A
公开(公告)日:2024-07-02
申请号:CN202410369335.4
申请日:2024-03-28
Applicant: 西安交通大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/10 , G06F111/10 , G06F113/10 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明基于ANSYS的电子束微束增材制造多道多层扫描数值模拟方法,该方法利用ANSYS经典版以及WORKBENCH模块,模拟电子束微束增材制造多道多层扫描过程,以时间为节点,建立电子束微束选区熔化多道多层模型,求解材料接近准稳定状态时的温度场数据,根据传热分析模型的边界条件以及扫描策略,求解实际电子束微束熔化过程中熔覆层对金属材料的影响。通过ANSYS函数编辑器,将设置好的分段函数公式导入编辑器,求解出命令流,结合生死单元,实现热源的逐道以及逐层移动;采用该模拟方法,可研究熔道之间、熔覆层之间的关系,以及制件成形过程的温度史,通过调整熔化参数,可研究不同参数下温度场、应力场的变化规律,为实际打印提供理论支撑。