公开(公告)号：CN113013315B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202110166141.0

申请日：2021-02-05

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 何海龙 ,  虞珂 ,  吴翊 ,  纽春萍 ,  荣命哲 ,  张雨谦 ,  任鸿睿

IPC: H10N10/852 ,  H10N10/01

Abstract: 公开了N型银硫属化合物热电材料的制备方法及多孔块体，方法包括：热电材料的化学式为AgxSe1/3Te1/3S1/3，以Ag，Se，S，Te单质为原料，按照所述化学式称量后混合放入球磨机中，所述球磨机对称量配比后的原料球磨8h形成粉体材料；对粉体材料真空干燥以得到预定阈值的粉体材料，干燥真空度≤0.1Pa，干燥温度为60‑120摄氏度，第一梯度升温后总保温时间在18h以上；SPS烧结法在真空加压条件下对所述粉体材料进行烧结，其中，烧结温度为350℃‑450℃；压力为50‑65MPa；保温时间为10min，且烧结采用第二梯度升温，全程保压。

公开(公告)号：CN117979803A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202410168221.3

申请日：2024-02-06

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 吴翊 ,  荣命哲 ,  何海龙 ,  张雨谦 ,  纽春萍

IPC: H10N10/817 ,  H10N10/854 ,  H10N10/80 ,  H10N10/01 ,  H10N10/17

Abstract: 公开了一种半霍斯勒热电器件及其界面连接方法，器件中，第一氮化铝陶瓷板导热绝缘层层叠于第一覆铜层上，第一焊料层层叠于第二覆铜层上，第一镍箔层叠于第一焊料层，第一半霍斯勒热电臂一端支承于第一银箔上，第二银箔层叠于第一半霍斯勒热电臂的另一端，第三覆铜层间隔且平行第一覆铜层，第二氮化铝陶瓷板导热绝缘层层叠于第三覆铜层上，第三银箔层叠于第二镍箔，第二半霍斯勒热电臂一端支承于第三银箔上，第四银箔层叠于第二半霍斯勒热电臂的另一端，第三镍箔层叠于第二银箔和第四银箔上，第五覆铜层层叠于第三焊料层上，第三氮化铝陶瓷板导热绝缘层层叠于第五覆铜层上，第六覆铜层层叠于第三氮化铝陶瓷板导热绝缘层上。

公开(公告)号：CN113013315A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202110166141.0

申请日：2021-02-05

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 何海龙 ,  虞珂 ,  吴翊 ,  纽春萍 ,  荣命哲 ,  张雨谦 ,  任鸿睿

IPC: H01L35/16 ,  H01L35/34

Abstract: 公开了N型银硫属化合物热电材料的制备方法及多孔块体，方法包括：热电材料的化学式为AgxSe1/3Te1/3S1/3，以Ag，Se，S，Te单质为原料，按照所述化学式称量后混合放入球磨机中，所述球磨机对称量配比后的原料球磨8h形成粉体材料；对粉体材料真空干燥以得到预定阈值的粉体材料，干燥真空度≤0.1Pa，干燥温度为60‑120摄氏度，第一梯度升温后总保温时间在18h以上；SPS烧结法在真空加压条件下对所述粉体材料进行烧结，其中，烧结温度为350℃‑450℃；压力为50‑65MPa；保温时间为10min，且烧结采用第二梯度升温，全程保压。

公开(公告)号：CN117979804A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202410172247.5

申请日：2024-02-06

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 荣命哲 ,  何海龙 ,  纽春萍 ,  张雨谦 ,  吴翊

IPC: H10N10/852 ,  H10N10/80 ,  H10N10/82 ,  H10N10/17 ,  H10N10/01

Abstract: 公开了一种碲化铋基热电器件及其制备模具与制备方法，器件中，第一陶瓷导热层层叠于第一热端导流片上，第二热端导流片层叠于第一陶瓷导热层上，第一焊锡层层叠于第二热端导流片上，第一阻挡层层叠于第一焊锡层，P型碲化铋基热电臂支承于第一阻挡层上，第二阻挡层层叠于P型碲化铋基热电臂的上表面，第二焊锡层层叠于第二阻挡层上，第三热端导流片间隔且平行第一热端导流片，N型碲化铋基热电臂支承于第三阻挡层上，第四阻挡层层叠于N型碲化铋基热电臂的上表面，第四焊锡层层叠于第四阻挡层上，第一冷端导流片层叠于第二焊锡层和第四焊锡层上，第三陶瓷导热层层叠于第一冷端导流片上，第二冷端导流片层叠于第三陶瓷导热层上。