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公开(公告)号：CN117979803A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410168221.3
申请日：2024-02-06
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H10N10/817 , H10N10/854 , H10N10/80 , H10N10/01 , H10N10/17
摘要： 公开了一种半霍斯勒热电器件及其界面连接方法，器件中，第一氮化铝陶瓷板导热绝缘层层叠于第一覆铜层上，第一焊料层层叠于第二覆铜层上，第一镍箔层叠于第一焊料层，第一半霍斯勒热电臂一端支承于第一银箔上，第二银箔层叠于第一半霍斯勒热电臂的另一端，第三覆铜层间隔且平行第一覆铜层，第二氮化铝陶瓷板导热绝缘层层叠于第三覆铜层上，第三银箔层叠于第二镍箔，第二半霍斯勒热电臂一端支承于第三银箔上，第四银箔层叠于第二半霍斯勒热电臂的另一端，第三镍箔层叠于第二银箔和第四银箔上，第五覆铜层层叠于第三焊料层上，第三氮化铝陶瓷板导热绝缘层层叠于第五覆铜层上，第六覆铜层层叠于第三氮化铝陶瓷板导热绝缘层上。
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公开(公告)号：CN117871605A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410168235.5
申请日：2024-02-06
申请人： 西安交通大学
摘要： 公开了一种热电材料性能参数表征装置和测试方法，装置中，底板包括真空连接器；真空罐体密封连接底板以形成真空环境；水冷凸台设于底板上表面且位于真空环境；低温端传感器设于水冷凸台的上表面；一对支撑柱竖直固定于底板的上表面且位于真空环境；加压装置设于一对支撑柱的顶部，加热模块设于加压装置之下且位于一对支撑柱之间，待测样品一端连接传热块底部，另一端连接低温端传感器，待测样品为热电材料；探针测量待测样品的温度信号和电压信号；测试控制和数据处理系统，其连接至热电偶表、电压表、电流源和温度控制模块以控制表征测试流程、数据采集和后处理。
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公开(公告)号：CN117805178A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410168246.3
申请日：2024-02-06
申请人： 西安交通大学
摘要： 公开了一种用于热电材料性能参数表征的探针，装置中，支撑底座包括基座以及竖直连接基座的支撑杆，金属壳体包括设于一端的一对贯穿孔以及设于金属壳体底部的穿线孔，填充材料填充于金属壳体靠近贯穿孔的一端，一对限位套管分别设于贯穿孔，一对双线线路依次穿设且延伸出填充材料和限位套管，第一正连接线及第一负连接线自穿线孔进入金属壳体中的一个双线线路的一端且自另一端延伸，第一正连接线及第一负连接线在另一端形成第一测试点，第二正连接线及第二负连接线自穿线孔进入金属壳体中的另一个双线线路的一端且自另一端延伸，第二正连接线及第二负连接线在另一端形成第二测试点，第一测试点和第二测试点接触待热电材料的测材料样品。
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公开(公告)号：CN116281880A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310294318.4
申请日：2023-03-24
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： C01B19/00 , C04B35/515 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要： 本发明公开了一种P型碲化铋基材料及其制备方法，所述P型碲化铋基材料的通式表示为：Bi0.4Sb1.6‑xYbxTe3，0
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公开(公告)号：CN115752203A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211479658.6
申请日：2022-11-23
申请人： 西安交通大学
摘要： 公开了一种基于摩擦纳米发电的真空开关位移传感器装置，基于摩擦纳米发电的真空开关位移传感器装置中，梳状电极嵌入所述一对卡槽，定位轴安装于所述第一通孔，所述定位轴两端设有轴承，所述轴承在所述一对轴承滑道中垂直移动，高分子摩擦薄片经由薄片夹持器设置于所述夹持器卡槽且所述高分子摩擦薄片抵接所述梳状电极，高分子摩擦薄片与梳状电极接触摩擦输出电压信号，卡箍可拆卸连接所述夹持器卡槽，压力调节装置设于所述第二通孔且抵接所述薄片夹持器以调节所述高分子摩擦薄片抵接所述梳状电极的接触压力，采样集成电路电连接梳状电极以采集所述电压信号以转换为位移信号。
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公开(公告)号：CN113594343B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202110770987.5
申请日：2021-07-07
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种热电器件及其制造模具和制造方法，热电器件中，其包括至少一组热电臂单元，第一热电臂具有第一上表面和相对于的第一下表面，第二热电臂具有第二上表面和相对于的第二下表面，第二热电臂经由绝缘胶层无缝粘结第一热电臂，第一上表面齐平第二上表面且第一上表面与第二上表面相邻位置形成第一间隔槽，第一下表面齐平平齐第二下表面且第一下表面与第二下表面相邻位置形成第二间隔槽，第一上阻挡层层叠于第一上表面，第二上阻挡层层叠于第二上表面，上导流片层叠于第一上阻挡层和第二上阻挡层，第一下阻挡层层叠于第一下表面，第二下阻挡层层叠于第二下表面，第一下导流片层叠于第一下阻挡层，第二下导流片层叠于第二下阻挡层。
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公开(公告)号：CN114739528A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210377150.9
申请日：2022-04-11
申请人： 西安交通大学
摘要： 公开了一种包括超级电容和电池的基于温差供电的无线测温电路，基于温差供电的无线测温电路中，热电装置将温差所产生的热能转换成电能；电能管理模块电连接所述热电装置以调节电能，所述电能管理模块包括连接所述热电装置的升压单元和连接所述升压单元的储能装置；温度采集模块采集待测物体的温度数据，所述温度采集模块电连接所述电能管理模块；信号处理模块电连接所述电能管理模块和温度采集模块，所述信号处理模块接收并处理所述温度数据生成温度信号；无线发射模块电连接所述电能管理模块，所述无线发射模块接收并发射所述温度信号。
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公开(公告)号：CN113860873A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111218230.1
申请日：2021-10-19
IPC分类号： C04B35/515 , C04B35/622 , B22F3/02 , B22F3/14 , B22F7/02 , B22F9/04 , H01L35/34 , H01L35/16 , H01L35/02 , H01L35/28
摘要： 本公开揭示了一种碲化铋热电器件的制备方法，包括：选取适量的Ni粉原料和C粉原料混合后球磨，获得Ni‑C混合粉料；在磨具中填入适量碲化铋粉料并进行预压，形成碲化铋热电材料层；将Ni‑C混合粉料干燥后填入磨具中，并均匀堆积在碲化铋热电材料层上进行二次预压，形成Ni‑C阻挡层；对碲化铋热电材料层和Ni‑C阻挡层进行SPS烧结，冷却后获得碲化铋热电器件。本公开通过选用C原料部分代替Ni原料，能够在一定程度上减少Ni元素和Te元素在碲化铋热点材料层和阻挡层界面处的扩散和反应，在一定程度上能够抑制碲化铋热电材料层和Ni‑C阻挡层界面处的劣化。
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公开(公告)号：CN113013315A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110166141.0
申请日：2021-02-05
申请人： 西安交通大学
摘要： 公开了N型银硫属化合物热电材料的制备方法及多孔块体，方法包括：热电材料的化学式为AgxSe1/3Te1/3S1/3，以Ag，Se，S，Te单质为原料，按照所述化学式称量后混合放入球磨机中，所述球磨机对称量配比后的原料球磨8h形成粉体材料；对粉体材料真空干燥以得到预定阈值的粉体材料，干燥真空度≤0.1Pa，干燥温度为60‑120摄氏度，第一梯度升温后总保温时间在18h以上；SPS烧结法在真空加压条件下对所述粉体材料进行烧结，其中，烧结温度为350℃‑450℃；压力为50‑65MPa；保温时间为10min，且烧结采用第二梯度升温，全程保压。
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公开(公告)号：CN111508779B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202010369991.6
申请日：2020-04-30
申请人： 西安交通大学 , 贵州天义电器有限责任公司
摘要： 公开了中频接触器触头结构、接触器及方法，中频接触器触头结构中，静触头基座包括空腔，动触头基座位于所述静触片上方，动触片设在所述动触头基座的下表面且相对所述静触片间隔设置以形成间隙，铜连接件螺栓连接绝缘连接件，用于电气连接的铜连接件经由中频电流产生交变磁场，连杆机构连接件配置成连接连杆以致所述动触头部分运动使得动触片接触所述静触片，四个增磁块分别设在绝缘壳体内侧且避免接触所述静触头部分和动触头部分，其中，所述四个增磁块起导磁作用以增强所述间隙之间的磁场，使得电弧在磁场作用下朝灭弧空间吹弧。
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