公开(公告)号：CN119636133A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411532825.8

申请日：2024-10-30

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 李敏 ,  卢丹青 ,  李支康 ,  韩香广 ,  王路 ,  贾琛 ,  罗国希 ,  杨萍 ,  林启敬 ,  赵立波

IPC: B29D7/01

Abstract: 本发明属于三维微纳制造技术领域，具公开了一种三维复合型薄膜及其制备方法，方法包括：在已制备好的高分子聚合物复合双层应力薄膜表面制备导电功能结构；高分子聚合物复合双层应力薄膜包括第一高分子聚合物薄膜和设置于第一高分子聚合物薄膜表面的第二高分子聚合物薄膜，第一高分子聚合物薄膜的溶胀率与第二高分子聚合物薄膜的溶胀率不同；导电功能层制备于第二高分子聚合物薄膜表面；然后进行切割，得到平面复合双层应力薄膜；将平面复合双层应力薄膜于溶剂中进行溶胀变形，得到预设形状的三维复合型薄膜。本发明利用基于溶胀机理的应力差引入策略，从而实现了柔性聚合物功能薄膜一体化卷曲成形制造。

公开(公告)号：CN119394154A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411532824.3

申请日：2024-10-30

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 李敏 ,  卢丹青 ,  贾琛 ,  罗国希 ,  李支康 ,  韩香广 ,  王路 ,  杨萍 ,  林启敬 ,  赵立波

IPC: G01B7/16 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明属于三维微纳制造及传感技术领域，公开了一种自卷曲螺旋形应变传感器及其制备方法，在柔性薄膜衬底的顶层高分子聚合物薄膜上利用激光加工方式原位制备出图案化的石墨烯导电薄膜；将带有石墨烯导电薄膜的柔性薄膜衬底切割成条状结构；柔性薄膜衬底的底层高分子聚合物薄膜的溶胀效应大于顶层高分子聚合物薄膜的溶胀效应，因此将条状柔性薄膜衬底在溶剂中进行溶胀变形，即可得到自卷曲螺旋形应变传感器。本发明利用溶胀机理实现柔性螺旋形结构的制备，采用激光诱导石墨烯的加工方式实现了石墨烯导电薄膜的原位制备，通过调节特征参数，可实现多层级螺旋形功能结构的制备，获得具有不同灵敏度和工作范围的应变传感器。

公开(公告)号：CN119361335A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411532823.9

申请日：2024-10-30

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 李敏 ,  卢丹青 ,  罗国希 ,  贾琛 ,  李支康 ,  韩香广 ,  王路 ,  杨萍 ,  林启敬 ,  赵立波

IPC: H01G11/54 ,  H01G11/50 ,  H01G11/84 ,  H01G11/86 ,  H01G11/26 ,  H01G11/12

Abstract: 本发明属于三维微纳制造及储能技术领域，公开了一种三维自卷曲微型超级电容器及其可控制备方法，方法包括：制备双层薄膜衬底，双层薄膜衬底包括顶层具有负热膨胀系数的导电功能层和底层具有正热膨胀系数的磁性薄膜衬底，磁性薄膜衬底中均匀分布高剩磁材料和磁热材料；在导电功能层表面制备出图案化的叉指电极；在导电功能层表面，在叉指电极的一侧制备正极、另一侧制备负极，得到复合型平面微型超级电容器；将复合型平面微型超级电容器于磁场中进行弯曲变形，得到自卷曲结构；向自卷曲结构中加入液晶态电解质，得到三维自卷曲微型超级电容器。本发明通过进一步缩小器件的投影面积，提高器件的空间利用率，进而提升器件单位面积内的能量密度。