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公开(公告)号：CN112624759A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011530083.7
申请日：2020-12-22
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种铪酸铅反铁电陶瓷材料及其制备方法，属于反铁电陶瓷材料领域。本发明的制备方法，采用铅过量和三层坩埚烧结法相结合进行制备，使用三层坩埚烧结法进行烧结时，PbZrO3埋料在高温下受热分解生成大量的氧分子，从而形成局部饱和蒸气压，在烧结初期能够促进蒸发‑凝聚传质，使得烧结品致密化速率加快；三氧化二铝粉在烧结温度下稳定存在，提供温度均匀的烧结环境；本发明在相对富氧且温度均匀的条件下烧结的，烧结得到的样品的晶粒大小均匀，微结构较为致密；而铅过量和烧结条件的控制，可以较为精确的控制烧结制品中的Pb和Hf的化学计量比，使之更加接近1：1。本发明制备工艺简单，成本较低，重复性较好。
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公开(公告)号：CN119023512A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411145824.8
申请日：2024-08-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N11/16
Abstract: 本发明属于MEMS传感器领域，公开了一种阵列式微悬臂梁MEMS黏度传感器芯片及其工作方法，包括固支体，固支体上连接有若干微悬臂梁阵列悬空结构，微悬臂梁阵列悬空结构包括一端与固支体连接的压电悬臂梁和与压电悬臂梁另一端连接的悬臂板，压电悬臂梁上设有与压电悬臂梁长度方向平行的压电电极对，压电电极对作为压电悬臂梁的顶电极，相邻的压电悬臂梁之间连接有衔接梁；若干微悬臂梁阵列悬空结构包含第一微悬臂梁阵列悬空结构和至少两个第二微悬臂梁阵列悬空结构，其中，第一微悬臂梁阵列悬空结构的悬臂板的长度小于第二微悬臂梁阵列悬空结构的悬臂板的长度。该黏度传感器芯片能够提升流体黏度的测量精度，且在流体中具备压电自激励与自检测性能。
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公开(公告)号：CN116606143A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310688124.2
申请日：2023-06-09
Applicant: 广东捷成科创电子股份有限公司 , 西安交通大学
IPC: C04B35/499 , C04B35/50 , C04B35/622 , C04B41/88 , C04B35/472
Abstract: 本发明公开了一种压电陶瓷材料及其制备方法，所述压电陶瓷材料的通式为Pb(In1/2Nb1/2)x(Yb1/2Nb1/2)yTi1‑x‑yO3，0.126≤x≤0.504，0.1≤y≤0.4。所述制备方法通过调整铌镱酸铅和钛酸铅比例构建调控压电陶瓷准同型相界，从而实现居里温度的提高和压电性能的优化。所述压电陶瓷材料能够平衡居里温度、压电性能、应变迟滞三者之间的关系。
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公开(公告)号：CN116606143B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202310688124.2
申请日：2023-06-09
Applicant: 广东捷成科创电子股份有限公司 , 西安交通大学
IPC: C04B35/499 , C04B35/50 , C04B35/622 , C04B41/88 , C04B35/472
Abstract: 本发明公开了一种压电陶瓷材料及其制备方法，所述压电陶瓷材料的通式为Pb(In1/2Nb1/2)x(Yb1/2Nb1/2)yTi1‑x‑yO3，0.126≤x≤0.504，0.1≤y≤0.4。所述制备方法通过调整铌镱酸铅和钛酸铅比例构建调控压电陶瓷准同型相界，从而实现居里温度的提高和压电性能的优化。所述压电陶瓷材料能够平衡居里温度、压电性能、应变迟滞三者之间的关系。
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公开(公告)号：CN114149261B
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202111572669.4
申请日：2021-12-21
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种铪酸铅反铁电陶瓷材料及其制备方法。本发明的制备方法，采用铅过量和三层坩埚烧结法相结合进行制备，使用三层坩埚烧结法进行烧结时，PbZrO3埋料在高温下受热分解生成大量的氧分子，从而形成局部饱和蒸气压，在烧结初期能够促进蒸发‑凝聚传质，使得烧结品致密化速率加快；三氧化二铝粉在烧结温度下稳定存在，提供温度均匀的烧结环境；本发明在相对富氧且温度均匀的条件下烧结的，烧结得到的样品的晶粒大小均匀，微结构较为致密；而铅过量和烧结条件的控制，可以较为精确的控制烧结制品中的Pb和Hf的化学计量比，使之更加接近1：1。本发明制备的陶瓷成份简单在室温下能够获得较大电致应变0.51％，且在100～175℃温度范围内具有较好的温度稳定性。本发明制备工艺简单，成本较低，重复性较好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114149261A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111572669.4
申请日：2021-12-21
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种铪酸铅反铁电陶瓷材料及其制备方法。本发明的制备方法，采用铅过量和三层坩埚烧结法相结合进行制备，使用三层坩埚烧结法进行烧结时，PbZrO3埋料在高温下受热分解生成大量的氧分子，从而形成局部饱和蒸气压，在烧结初期能够促进蒸发‑凝聚传质，使得烧结品致密化速率加快；三氧化二铝粉在烧结温度下稳定存在，提供温度均匀的烧结环境；本发明在相对富氧且温度均匀的条件下烧结的，烧结得到的样品的晶粒大小均匀，微结构较为致密；而铅过量和烧结条件的控制，可以较为精确的控制烧结制品中的Pb和Hf的化学计量比，使之更加接近1：1。本发明制备的陶瓷成份简单在室温下能够获得较大电致应变0.51％，且在100～175℃温度范围内具有较好的温度稳定性。本发明制备工艺简单，成本较低，重复性较好。
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公开(公告)号：CN119774997A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411955491.5
申请日：2024-12-28
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , H10N30/853 , H10N30/097
Abstract: 本发明公开了一种铋基复合耐高温压电陶瓷材料及其制备方法，铋基复合耐高温压电陶瓷材料由具有超高居里温度的Ca1‑x‑y(A1xA2y)Bi2(Nb)2‑m‑n(B1mB2n)O9铋层状结构压电陶瓷和(Na0.5‑p‑qA3pA4q)BiiNb2O9基铋层状结构压电陶瓷或铋基钙钛矿结构高温压电陶瓷BiaPb1‑aZn0.5aTi1‑0.5aO3复合而成。通过粉体预合成、按比例混合、球磨、成型、通氧气烧结等过程，获得致密性高的复合陶瓷材料。在此基础上，通对所得陶瓷材料采用二次极化、二次老化结合热循环处理工艺，获得了具有高压电性能、高电阻率、较低介电损耗、高温度稳定性的耐高温压电复合陶瓷材料。
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公开(公告)号：CN119198441A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411543385.6
申请日：2024-10-31
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N11/16
Abstract: 本发明属于MEMS传感器领域，具体涉及一种高阶弯曲振动耦合阶梯微悬臂板MEMS黏度传感器芯片及其工作方法，芯片包括硅基固支体，硅基固支体上设有固支体空腔，固支体空腔中连接有阶梯微悬臂板悬空结构，阶梯微悬臂板悬空结构包括自由端相对设置的两个长度不同的阶梯微悬臂板，阶梯微悬臂板包括矩形的固支板和宽板悬臂，固支板的两端分别与硅基固支体和宽板悬臂连接，固支板的宽度小于宽板悬臂，两宽板悬臂的自由端之间留有振动耦合间隙；固支板上沿宽度方向两侧对称设有压电驱动电极和拾振电极；压电驱动电极和拾振电极位于不同侧，压电驱动电极、拾振电极连接有金属引线。该黏度传感器芯片能够显著提升流体测量精度与稳定性等测量性能。
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公开(公告)号：CN115849905A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211669288.2
申请日：2022-12-24
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/622 , H10N30/853
Abstract: 本发明公开了一种高温压电陶瓷材料、制备方法及应用，属于高温压电陶瓷材料领域。本发明提供了一种高温压电陶瓷材料，为氧化钐掺杂铌镱酸铅‑钛酸铅压电陶瓷材料，通过在铌镱酸铅‑钛酸铅二元体系中掺杂Sm2O3，制得的材料兼具高居里温度和进一步得到提升的压电性能，同时，相比于现有陶瓷，该陶瓷高温下的压电性能更加优异。本发明提供一种高温压电陶瓷材料的制备方法，可以避免陶瓷出现第二相，成功实现PYN‑PT基材料的稳定烧结，而且通过上述方法制备的陶瓷粒径均一，致密度高。本发明的制备方法工艺简单、烧结温度低、成本低、适宜于大规模的工业化生产，在高温压电材料以及器件领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN112573916A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011521711.5
申请日：2020-12-21
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/48 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种PbHfO3基陶瓷材料及其制备方法，属于陶瓷材料领域。本发明的PbHfO3基陶瓷材料，由摩尔分数为(1‑x)的反铁电材料PbHfO3和摩尔分数为x的的反铁电材料Pb(Zn0.5W0.5)O3固溶而成，为具有较低临界电场及较高击穿场强的新型反铁电‑反铁电二元固溶体陶瓷材料。在±200kV/cm的外加交流偏压和10Hz的测试频率下，应变可达0.63％，储能密度可达到4.91J/cm3。本发明的PbHfO3基陶瓷材料，为易调控的大应变和高储能密度反铁电陶瓷材料。
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