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公开(公告)号：CN112624759A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011530083.7
申请日：2020-12-22
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种铪酸铅反铁电陶瓷材料及其制备方法，属于反铁电陶瓷材料领域。本发明的制备方法，采用铅过量和三层坩埚烧结法相结合进行制备，使用三层坩埚烧结法进行烧结时，PbZrO3埋料在高温下受热分解生成大量的氧分子，从而形成局部饱和蒸气压，在烧结初期能够促进蒸发‑凝聚传质，使得烧结品致密化速率加快；三氧化二铝粉在烧结温度下稳定存在，提供温度均匀的烧结环境；本发明在相对富氧且温度均匀的条件下烧结的，烧结得到的样品的晶粒大小均匀，微结构较为致密；而铅过量和烧结条件的控制，可以较为精确的控制烧结制品中的Pb和Hf的化学计量比，使之更加接近1：1。本发明制备工艺简单，成本较低，重复性较好。
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公开(公告)号：CN114149261B
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202111572669.4
申请日：2021-12-21
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种铪酸铅反铁电陶瓷材料及其制备方法。本发明的制备方法，采用铅过量和三层坩埚烧结法相结合进行制备，使用三层坩埚烧结法进行烧结时，PbZrO3埋料在高温下受热分解生成大量的氧分子，从而形成局部饱和蒸气压，在烧结初期能够促进蒸发‑凝聚传质，使得烧结品致密化速率加快；三氧化二铝粉在烧结温度下稳定存在，提供温度均匀的烧结环境；本发明在相对富氧且温度均匀的条件下烧结的，烧结得到的样品的晶粒大小均匀，微结构较为致密；而铅过量和烧结条件的控制，可以较为精确的控制烧结制品中的Pb和Hf的化学计量比，使之更加接近1：1。本发明制备的陶瓷成份简单在室温下能够获得较大电致应变0.51％，且在100～175℃温度范围内具有较好的温度稳定性。本发明制备工艺简单，成本较低，重复性较好。
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公开(公告)号：CN114149261A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111572669.4
申请日：2021-12-21
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种铪酸铅反铁电陶瓷材料及其制备方法。本发明的制备方法，采用铅过量和三层坩埚烧结法相结合进行制备，使用三层坩埚烧结法进行烧结时，PbZrO3埋料在高温下受热分解生成大量的氧分子，从而形成局部饱和蒸气压，在烧结初期能够促进蒸发‑凝聚传质，使得烧结品致密化速率加快；三氧化二铝粉在烧结温度下稳定存在，提供温度均匀的烧结环境；本发明在相对富氧且温度均匀的条件下烧结的，烧结得到的样品的晶粒大小均匀，微结构较为致密；而铅过量和烧结条件的控制，可以较为精确的控制烧结制品中的Pb和Hf的化学计量比，使之更加接近1：1。本发明制备的陶瓷成份简单在室温下能够获得较大电致应变0.51％，且在100～175℃温度范围内具有较好的温度稳定性。本发明制备工艺简单，成本较低，重复性较好。
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