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公开(公告)号：CN107976589A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201711419962.0
申请日：2017-12-25
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01R29/22
Abstract: 本公开涉及一种宽温域准静态d33测试系统。所述系统包括第一单元、第二单元；其中：所述第一单元包括传热介质，通过改变传热介质的温度，实现对不同温度d33的测量；所述第二单元包括准静态d33测量仪，其探头能够使试样位于传热介质中，进而通过改变传热介质的温度，实现对不同温度d33的测量。本公开突破了常规的d33测量仪只能测量室温d33的局限，根据传热介质的不同可实现不同温度范围内的d33测量，在技术方案中涉及的材料、设备，易于获得，成本低廉、操作方便、实用性强。
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公开(公告)号：CN112469682B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN201980027113.1
申请日：2019-04-22
Applicant: 西安交通大学 , 国立研究开发法人物质·材料研究机构
IPC: C04B35/622
Abstract: 本公开涉及一种获得无铅压电材料的方法，方法包括：步骤S100，调整第一无铅压电材料的T/O相界：针对第一无铅压电材料，通过掺杂将其四方相T与正交相O之间的T/O相界调整至室温附近；步骤S200，进一步调整C/T相界和O/R相界：进一步通过掺杂，调整立方顺电相C与四方相T之间的C/T相界、以及正交相O与菱方相R之间的O/R相界，以使得C/T相界和O/R相界向T/O相界靠拢；步骤S300，获得第二无铅压电材料：在C/T相界和O/R相界向T/O相界靠拢的过程中，获得多种不同压电常数d33、不同居里温度Tc的第二无铅压电材料。本公开还涉及相应的无铅压电材料。本公开的技术方案在各种应用场景下都有望取代锆钛酸铅(PZT)的压电材料，且工艺经济、节能环保。
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公开(公告)号：CN110744045A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201910840457.6
申请日：2019-09-06
Applicant: 西安交通大学
IPC: B22F1/00 , B22F9/22 , C01B32/162 , B33Y70/10
Abstract: 本发明公开了一种在铝合金球形粉表面原位合成碳纳米管的方法，涉及高吸光性铝基粉体制备技术领域，所述方法包括以下步骤：S100、制备Ni/2024Al催化剂；S200、将Ni/2024Al催化剂在混合气体氛围下煅烧得到CNTs/2024Al-Ni复合粉体。本发明的制备方法利用碳管的强吸光性和纳米尺度表面效应提高铝合金粉体对激光能量的吸收效率，降低能量损耗，避免高输入能量对样品微观结构的不利影响，克服金属粉体的低吸光率对3D打印技术应用中的不利影响，同时最大限度保存了原始粉末的球形度，满足3D打印要求。
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公开(公告)号：CN107976589B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201711419962.0
申请日：2017-12-25
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01R29/22
Abstract: 本公开涉及一种宽温域准静态d33测试系统。所述系统包括第一单元、第二单元；其中：所述第一单元包括传热介质，通过改变传热介质的温度，实现对不同温度d33的测量；所述第二单元包括准静态d33测量仪，其探头能够使试样位于传热介质中，进而通过改变传热介质的温度，实现对不同温度d33的测量。本公开突破了常规的d33测量仪只能测量室温d33的局限，根据传热介质的不同可实现不同温度范围内的d33测量，在技术方案中涉及的材料、设备，易于获得，成本低廉、操作方便、实用性强。
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公开(公告)号：CN112469682A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201980027113.1
申请日：2019-04-22
Applicant: 西安交通大学 , 国立研究开发法人物质·材料研究机构
IPC: C04B35/622
Abstract: 一种获得无铅压电材料的方法及相应的无铅压电材料，方法包括：通过掺杂将四方相T与正交相O之间的T/O相界调整至室温附近进而调整第一无铅压电材料的T/O相界：进一步通过掺杂，调整立方顺电相C与四方相T之间的C/T相界、以及正交相O与菱方相R之间的O/R相界，以使得C/T相界和O/R相界向T/O相界靠拢以调整C/T相界和O/R相界；获得第二无铅压电材料，在C/T相界和O/R相界向T/O相界靠拢的过程中，获得多种不同压电常数d33、不同居里温度Tc的第二无铅压电材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107723579B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201710822410.8
申请日：2017-09-13
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种获得低驱动场大磁致应变磁致伸缩材料的方法及材料，该方法包括：对材料进行改性，使得其具备纳米马氏体畴，并且以满足低驱动场大磁致应变效应为准。本发明还分别公开了低驱动场大磁致应变磁致伸缩材料的多晶样品和定向凝固样品的制备方法，采用该方法可以获得具有独特的低驱动场大磁致应变性能的新型磁致伸缩材料，方法明确易行，简单实用；上述制备方法具有工艺简单、可重复性好、生产良品率高等优点，获得的Fe100‑xPdx合金在性能上具有饱和磁场小(饱和磁场 300ppm)等特点。
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公开(公告)号：CN107723579A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710822410.8
申请日：2017-09-13
Applicant: 西安交通大学
CPC classification number: C30B29/52 , C22C33/06 , C22C38/005 , C30B28/06 , H01L41/20 , H01L41/35 , H01L41/39
Abstract: 本发明公开了一种获得低驱动场大磁致应变磁致伸缩材料的方法及材料，该方法包括：对材料进行改性，使得其具备纳米马氏体畴，并且以满足低驱动场大磁致应变效应为准。本发明还分别公开了低驱动场大磁致应变磁致伸缩材料的多晶样品和定向凝固样品的制备方法，采用该方法可以获得具有独特的低驱动场大磁致应变性能的新型磁致伸缩材料，方法明确易行，简单实用；上述制备方法具有工艺简单、可重复性好、生产良品率高等优点，获得的Fe100-xPdx合金在性能上具有饱和磁场小(饱和磁场 300ppm)等特点。
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公开(公告)号：CN103613379A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310541284.0
申请日：2013-11-04
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622
Abstract: 一种高性能无铅压电陶瓷及其制备工艺，将原料二氧化钛、碳酸钡、二氧化锡按化学计量比为0.89:1:0.11进行配料、球磨、预烧、二次球磨、造粒、成型，最后用坩埚盖住，并放入烧结炉中，先以2℃/min升温到500℃，保温2小时进行排胶，然后以4℃/min升温到1400℃并保温4小时，然后随炉冷却至室温，即可得到需要的无铅压电陶瓷；本发明的无铅压电陶瓷材料在准四相点处发现了非常高的介电和压电性能，材料的相对介电常数达到～75000，是纯钛酸钡在其居里温度处介电常数的6-7倍；同时压电系数d33达到了697pC/N，相当于纯钛酸钡在室温压电系数的5倍，这也是目前无铅压电陶瓷材料中的最高值。
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公开(公告)号：CN103031429A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210539289.5
申请日：2012-12-13
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于应变玻璃相变的应力调控热膨胀行为的方法，该方法首先选择可以为任何发生引起体积膨胀的马氏体相变的合金材料作为母合金，然后其中进行缺陷掺杂，再利用原位透射电子显微镜对高温母相和低温应变玻璃态进行结构对比分析，使其满足应变玻璃态中的类马氏体畴的体积比相变前其对应的母相的体积大；最后对应变玻璃合金施加不同大小的外力，通过改变合金中类马氏体畴的数量和大小来调控其在升降温过程中的热膨胀行为。本发明不但可以根据实际需求，人为适时精确调控材料的热膨胀行为，避免精密器件上可能产生的热应力、热振动；而且也可以充分利用原材料的特性，如合金固有的高导电性、高导热性以及高机械强度等性能。
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公开(公告)号：CN103011808A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210538679.0
申请日：2012-12-13
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/491 , C04B35/499 , C04B35/468 , C04B35/457 , C04B35/48 , C04B35/50
Abstract: 本发明公开了一种基于弛豫铁电相变的电场调控热膨胀行为的方法，该方法首先选择一种在降温过程中发生能够引起体积膨胀的铁电相变的基体铁电材料，掺入缺陷。当掺杂浓度超过临界值时，材料发生弛豫铁电相变。一部分高温顺电相转变成纳米尺寸铁电畴，产生体积膨胀；剩余的部分不发生结构变化，在降温过程中体积收缩。对此弛豫铁电材料加电场，纳米尺寸铁电畴数量和大小随着外加电场的增加而增大，纳米尺寸铁电畴引起的体积膨胀效应也增加。相反，不发生结构变化的基体的体积收缩效应逐渐减小。因此，通过改变外加电场来调节纳米铁电畴在材料中的体积分数，以调节上述体积膨胀和体积收缩这两种相反效应的比例，从而实现对材料整体热膨胀行为的调控。
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