-
公开(公告)号：CN119464951A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411622373.2
申请日：2024-11-14
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种铂掺杂铁铝合金磁致伸缩材料及其制备方法，所述磁致伸缩材料以Fe0.80Al0.20合金为基体，通过掺杂Pt替代Fe或Al，控制晶粒沿 方向生长，从而提高所述磁致伸缩材料的磁致伸缩性能。
-
公开(公告)号：CN119005366A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411007212.2
申请日：2024-07-25
Applicant: 西安交通大学
IPC: G06N20/20 , G06F18/214 , G16C20/70
Abstract: 本发明公开了一种预测RFe2型材料巨磁致伸缩性能的机器学习方法及装置，所述方法包括：构建RFe2型材料的成分‑性能‑磁致伸缩数据集；将所述成分‑性能‑磁致伸缩数据集划分成不同比例的训练集和测试集，根据不同比例下所述训练集和所述测试集的计算结果确定最终数据集，所述数据集包括训练集和测试集；利用所述最终数据集训练机器学习模型，得到训练后的机器学习模型，其中，所述训练集用于所述机器学习模型的训练，所述测试集用于验证所述机器学习模型的预测精度，最后通过所述训练后的机器学习模型预测所述RFe2型材料的巨磁致伸缩性能。本发明实现了能够快速筛选出具有大应变、窄滞后和宽温域的RFe2型磁致伸缩材料，大幅降低了研发成本。
-
公开(公告)号：CN116913676A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310978861.6
申请日：2023-08-04
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种高性价比烧结钕铁硼磁体及其晶界扩散制备方法和应用，属于稀土永磁材料技术领域，首先对烧结钕铁硼初始磁体进行预处理，然后在预处理后的烧结钕铁硼初始磁体c轴方向的两个表面依次沉积内层Tb膜和外层Dy膜，后经真空热处理，制得高性价比烧结钕铁硼磁体。先溅射Tb，后溅射Dy，Tb优先接近Nd‑Fe‑B表面，并形成Nd‑Tb‑Fe‑B硬磁壳，后溅射的Dy大部分会填充到晶界，起到晶界去耦合的作用，大大减少Tb在晶界的填充度，该方法与传统晶界扩散烧结钕铁硼磁体制备方法相比在降低重稀土Tb用量的同时，可有效保持或者提高烧结钕铁硼磁体的矫顽力，大大提高了材料的性价比。
-
公开(公告)号：CN116246873A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310027775.7
申请日：2023-01-09
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明涉及稀土永磁材料领域，尤其涉及一种烧结钕铁硼磁体及其制备工艺，包括以下步骤：S1，对不含重稀土元素的烧结钕铁硼初始磁体进行预处理，获得预制钕铁硼磁体；S2，在预制钕铁硼磁体的表面溅射重稀土元素膜，获得沉积有重稀土膜的钕铁硼磁体；S3，将沉积有重稀土膜的钕铁硼磁体在真空下依次进行扩散热处理、第一退火热处理和第二退火热处理，获得烧结钕铁硼磁体。本发明采用磁控溅射方法在磁体表面沉积重稀土元素膜，可以沉积单面或双面或多面或全部表面都被沉积，理论沉积表面积越多，扩散效率越高，但是沉积面的多少和磁体最终性能影响不大，只影响热扩散过程的时间。将沉积完的磁体经分步真空热处理晶界扩散工艺，制得高性能烧结钕铁硼磁体。
-
公开(公告)号：CN111519437B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202010247707.8
申请日：2020-03-31
Applicant: 国网经济技术研究院有限公司 , 西安交通大学 , 国网河南省电力公司
IPC: D06M15/37 , D06M15/53 , D06M11/28 , D06M13/256 , D01F8/18 , D01D5/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , D06M101/40
Abstract: 本发明公开了一种基于静电纺丝技术和化学氧化法相结合制备碳‑二氧化锡‑聚吡咯纳米复合纤维的方法，涉及纳米材料制备技术领域，包括步骤：S100、制备碳‑二氧化锡复合纳米纤维；S200、使用碳‑二氧化锡复合纳米纤维制备碳‑二氧化锡‑聚吡咯纳米复合纤维。本发明优势在于：本发明制备方法可有效缓解二氧化锡在充放电过程中的体积膨胀；本发明的制备方法可通过控制反应时间有效调节包覆层的厚度，从而获得循环性能稳定、使用寿命长且在比容量方面仍然具有优势的锡基材料；本发明的制备方法可以在空气中为C‑SnO2复合纳米纤维表面合成一层均匀致密的聚吡咯包覆层从而得到碳‑二氧化锡‑聚吡咯纳米复合纤维。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113193180A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110416890.4
申请日：2021-04-16
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/583 , H01M4/1395 , H01M4/1393 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种具有表面偶联活性的硅/功能化石墨烯插层复合材料的制备方法，涉及锂离子电池新型负极材技术领域，所述方法包括以下步骤：S100、制备羧基功能化的石墨烯材料；S200、制备具有表面偶联活性的硅颗粒；S300、使用所述石墨烯材料和所述硅颗粒制备具有表面偶联活性的硅/功能化石墨烯插层复合材料。本发明使得硅和石墨烯两者表面都具有化学活性，降低大量的含氧官能团对电化学性能的消极影响，从而提高硅/功能化石墨烯插层复合材料的循环寿命和循环稳定性。
-
公开(公告)号：CN110010724B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910264296.0
申请日：2019-04-03
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种在金属衬底上制备BaZrS3太阳能电池薄膜材料的方法，涉及太阳能电池薄膜材料制备领域，包括：称取BaZrO3粉末并硫化处理得到靶材A；将蓝宝石放入磁控溅射系统中镀钨得到衬底B；对靶材A和衬底B进行镀膜得到样品C；将样品C进行热处理得到最终产物BaZrS3太阳能电池薄膜材料。本发明首先制备靶材和金属衬底，然后将制备的靶材和金属衬底放置在脉冲激光沉积设备中溅射镀膜得到样品，然后对样品进行热处理得到最终产物BaZrS3太阳能电池薄膜材料，填补了利用金属衬底制备钙钛矿结构的太阳能电池薄膜材料的空白，对于利用金属衬底制备钙钛矿结构的太阳能电池薄膜材料具有一定的指导意义。
-
公开(公告)号：CN109321792B
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201811388856.5
申请日：2018-11-20
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种具有交换偏置效应的Mn‑Ni‑Ga哈斯勒合金材料，属于磁性材料制备领域，其化学式为Mn50Ni50‑xGax，其中x的原子百分比为2～14。本发明还公开了一种具有交换偏置效应的Mn‑Ni‑Ga哈斯勒合金材料的制备方法，包括以下步骤：步骤1、根据Mn50Ni50‑xGax的原子百分比分别称取纯度不低于99.9％的Mn、Ni、Ga；步骤2、采用电弧熔炼或定向凝固法制备Mn、Ni、Ga得到Mn‑Ni‑Ga哈斯勒合金材料样品；步骤3、将得到的样品热处理和测试及表征。
-
公开(公告)号：CN111029072A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911363609.4
申请日：2019-12-25
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种可用于磁存储的Ni-Mn-Si阵列材料及其制备方法，涉及磁性材料制备技术领域，本发明公开了一种可用于磁存储的Ni-Mn-Si阵列材料，所述材料的化学式为Ni2Mn1+xSi1-x，其中，x的取值范围为0≤x≤0.2；本发明还公开了一种可用于磁存储的Ni-Mn-Si阵列材料的制备方法，所述方法包括如下步骤：S100、根据Ni2Mn1+xSi1-x合金的原子百分比分别称取纯度不低于99.9％的Ni、Mn、Si原料，其中Mn的质量在计算后过量添加5％；S200、熔炼所述原料得到Ni-Mn-Si样品；S300、将所述样品热处理。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
79
records
(took 0.028 seconds)
