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公开(公告)号：CN119865972A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202510054461.5
申请日：2025-01-14
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种提高陶瓷基板表面薄膜电路图形精度及可靠性的方法，属于微波元器件领域，所述方法包括基片前处理、制备光刻胶图案、磁控溅射制备薄膜、电镀加厚金属膜层、去除光刻胶等步骤；本发明通过在携带光刻胶图案的陶瓷基板上进行磁控溅射和电镀，制备出目标薄膜电路图形，取代传统湿法腐蚀工艺方法，规避了侧边腐蚀现象，制备出的薄膜电路图形可靠性高、一致性高、线条精度高。
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公开(公告)号：CN115588547A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211271597.4
申请日：2022-10-18
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
IPC: H01C17/242
Abstract: 本发明公开了一种基于铁氧体材料的薄膜电路的激光调阻方法，属于电子元件技术领域，其步骤包括溅射、光刻、电镀、负载老化、负载匀胶、去胶、裂片和激光调阻；本发明在负载匀胶步骤时，涂覆一层厚度适中的光刻胶，对薄膜负载进行有效保护，并通过适当地调节激光参数，可极大程度地降低电阻负载膜层气化切除损伤，最终呈现效果为在20～60倍显微镜下观察薄膜负载表面无调阻痕迹、无灼烧痕迹，这样一方面解决了器件的隔离度和耐受功率降低，保证其性能和可靠性不受调阻影响，另一方面，也能够满足军工、航天产品高质量外观要求。
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公开(公告)号：CN116780140B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202311085848.4
申请日：2023-08-28
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种准二维平面化环行器/隔离器，属于微波铁氧体器件技术领域，包括铁氧体、微带射频电路和背面金属化。本发明利用低损耗六角旋磁材料高的各向异性场，取代外加磁钢，并结合与之匹配的微带射频电路，实现环行器的准二维和平面化，大大减小器件的尺寸和重量；相对于现有同频段微带环行器/隔离器，本发明器件的尺寸重量可减少约90%，更有利于实现整机系统的小型化、集成化和低成本，并可实现与半导体器件的系统化集成。
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公开(公告)号：CN116780140A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202311085848.4
申请日：2023-08-28
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种准二维平面化环行器/隔离器，属于微波铁氧体器件技术领域，包括铁氧体、微带射频电路和背面金属化。本发明利用低损耗六角旋磁材料高的各向异性场，取代外加磁钢，并结合与之匹配的微带射频电路，实现环行器的准二维和平面化，大大减小器件的尺寸和重量；相对于现有同频段微带环行器/隔离器，本发明器件的尺寸重量可减少约90%，更有利于实现整机系统的小型化、集成化和低成本，并可实现与半导体器件的系统化集成。
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